For the last ten years there has been observed an increasing interest in the field of high temperature electronics. The development of engineering of wide-bandgap semiconductors (SiC. GaN) has brought new class of electronic devices that can work in harsh environment involving high temperature. This fact imposes development of passive components to enable manufacturing of fully functional devices. Low temperature co-fired ceramics (LTCC) and thick-film technologies are well-established techniques of fabrication different types of passive components. High thermal resistance of used materials predestines them for high temperature applications. This paper deals with characterization of LTCC and thick-film passives operating at temperature up to 500°C,
PL
Od ponad dziesięciu lat obserwuje się rosnące zainteresowanie w obszarze elektroniki wysokotemperaturowej. Rozwój materiałów półprzewodnikowych z szeroką przerwą energetyczną (węglik krzemu, azotek galu] umożliwił wytworzenie nowej klasy przyrządów pracujących w trudnych warunkach środowiska, również w wysokiej temperaturze. Wymusza to potrzebę rozwodu elementów biernych, które wspólnie umożliwią wykonanie w pełni funkcjonalnych układów elektronicznych. Technologie grubowarstwowa i niskotemperaturowej ceramiki współwypalnej (LTCC] są powszechnie stosowane do produkcji różnorodnych elementów pasywnych. Wysoka odporność temperaturowa materiałów ceramicznych w szczególny sposób kwalifikuje je do zastosowań w podwyższonej temperaturze. W pracy przedstawiono charakteryzację elementów grubowarstwowych i LTCC pracujących w temperaturze do 500 °C.
2
Dostęp do pełnego tekstu na zewnętrznej witrynie WWW
Artykuł przedstawia zagadnienia symulacji i projektowania modelu trójfazowego falownika typu quasi-Z (qZ), który jest przeznaczony do współpracy z baterią ogniw fotowoltaicznych o mocy 2kW. Omówiono zasadę działania układu oraz jego sterowanie przy pomocy modulacji szerokości impulsów. Podstawowe przebiegi wartości chwilowych prądów i napięć wyznaczono w drodze symulacji w pakiecie SABER. Pokazano także metody doboru parametrów elementów półprzewodnikowych i biernych z wykorzystaniem modelu symulacyjnego.
EN
In this paper simulation and design issues of the three phase quasi-Z inverter for the photovoltaic application are presented. Operation principles of the inverter are presented as well as its pulse width modulation based control methods. Basic waveforms of the currents and voltages are obtained by SABER simulations. Methods of the semiconductor devices and passive elements are also shown in this paper.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.