Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Technologia wytwarzania sub-mikrometrowych diod tunelowych typu MIM

Stonio Bartłomiej, Wiśniewski Piotr, Haras maciej, Sochacki Mariusz

Przegląd Elektrotechniczny

|

2022

|

R. 98, nr 2

114--116

PL

Rozwój układów scalonych wymaga od współczesnej mikroelektroniki opracowania, wytwarzania oraz weryfikacji przyrządów półprzewodnikowych o coraz lepszych parametrach. Rozwój można podzielić na wiele współczesnych trendów takich jak: (i) zwiększenie częstotliwości pracy, (ii) miniaturyzacja, (iii) obniżenie zużycia energii oraz (iv) redukcja ceny. Dla każdego z prezentowanych trendów mikroelektronika wykonała bezprecedensowy postęp, dzięki któremu możliwe było osiągnięcie poziomu rozwoju charakterystycznego dla aktualnego stanu Przemysłu 4.0. Wraz z pojawieniem się nowych urządzeń dla Internetu Rzeczy (IoT) czy komunikacji terahercowej (THz), pracujących na bardzo wysokich częstotliwościach, powstała naturalna potrzeba konstrukcji (i)tanich, (ii)kompatybilnych z masową produkcją oraz (iii) w pełni zintegrowanych urządzeń na ultra-wysokie częstotliwości. W tym kontekście diody MIM (ang. Metal-Insulator-Metal) budżą coraz większe zainteresowanie. W pracy zaprezentowano poszczególne etapy wytwarzania struktur MIM na potrzeby diod tunelowych. Proces jest w pełni kompatybilny z technologią CMOS i składa się z wielu procesów m.in: wytwarzania warstw dielektrycznych, osadzania warstw metalicznych, odwzorowania kształtów, trawienia warstw oraz proces typu lift-off. Otrzymane struktury MIM zostały scharakteryzowane elektrycznie.

EN

Development of integrated circuits put modern microelectronics in position of constantly providing devices with better performances. This development is manifested by multiple indicators and trends including: (i) operational frequency, (ii) miniaturization, (iii) minimization of losses, (iv) falling price, etc. In each of the aforementioned trends the microelectronics marked unprecedented progress, making the 3rd and 4th industrial revolution possible. With emerging new markets e.g. Internet of Things (IoT) or Terahertz communication (THz), both operating at very high frequencies, enormous need of (i) cheap; (ii) industrially compatible; (iii) operating at high frequencies and (iii) fully integrated devices appeared. In this context MIM (Metal Insulator Metal) diodes are gaining more and more interest. In this work we demonstrate the fabrication process flow of MIM structure acting as tunneling diodes. Presented fabrication technology is fully CMOS-compatible and consists sequence of processes including: dielectric layer deposition, metal layer sputtering, electron beam lithography, etching and metal lift-off. Subsequently after fabrication the MIM diodes were electrically characterized.

2

Wybrane aspekty wytwarzania masek fotolitograficznych na podłożach szafirowych

Zawadzka Agnieszka, Prażmowska-Czajka Joanna, Indykiewicz Kornelia, Paszkiewicz Regina

Przegląd Elektrotechniczny

|

2019

|

R. 95, nr 10

162--165

PL

Fotolitografia jest jednym z najczęściej stosowanych procesów przyrządowych przy wytwarzaniu elementów mikro- i nanoelektronicznych. Do przeprowadzenia procesu fotolitografii niezbędne są maski fotolitograficzne, z których kopiuje się wzór na podłoże pokryte warstwą rezystu. W pracy opisano sposób wytwarzania masek fotolitograficznych, na podłożach szafirowych, przeznaczonych do zastosowań w litografii UV i DUV z wykorzystaniem elektronolitografii. Zbadano transmisje materiałów wykorzystanych do ich produkcji. Przedstawiono wpływ poszczególnych parametrów procesu ekspozycji wiązką elektronową na kształt i poprawność odwzorowania projektu maski w rezyście. Przeprowadzono proces trawienia warstwy chromu w różnych roztworach, m. in. w roztworze kwasu solnego, azotanu cerowo-amonowego czy nadmanganianu potasu oraz zbadano kształty i profile otrzymanych struktur. Bazując na opracowanej technologii wytworzono zestaw masek fotolitograficznych do wytwarzania tranzystorów typu HEMT (High Mobility Transistor) i następnie przeprowadzono procesy fotolitografii z ich wykorzystaniem i określono jakość uzyskanych wzorów.

EN

Photolithography is one of the main methods applied in the micro- and nano-electronics industry. Photolithographic masks are indispensable part of the photolithography process, that enable copying the pattern from the mask into a substrate covered with a resist layer. The paper describes the method of photolithographic masks fabrication process development, with electron beam lithography, on sapphire substrates for UV and DUV lithography applications. The transmission of used materials was examined. The influence of parameters of the electron beam exposure process on the shape and correctness of the mask patterns in the resist layer was presented. The etching procedure of the chromium layer in various solutions such as solutions of hydrochloric acid, cerium ammonium nitrate or potassium permanganate was carried out. The shape of the obtained structures and profiles was examined for different solutions. Based on the developed technology, the lithographic masks for HEMT transistors were fabricated and applied for the photolithography. The shape and overall quality of obtained structures was determined.

3

Jak powstają te maleństwa?

Sulima R.

Nowa Elektrotechnika

|

2008

|

nr 5 (45)

1--4