Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Simulation and characterization of 4H-SiC JBS diodes irradiated by hydrogen and carbon ions

Sharma R. K., Hazdra P, Popelka S.

International Journal of Microelectronics and Computer Science

|

2015

|

Vol. 6, nr 2

59--63

EN

This paper presents the development and application of simulation models for proton and carbon irradiated 4H-SiC junction barrier Schottky (JBS) diodes. Commercial JBS diode chips were irradiated to the identical depth with different doses of hydrogen and carbon ions. The resulting defects were then identified by deep level transient spectroscopy (DLTS). Comprehensive I-V and C-V measurement performed prior to and after ion irradiation was used for calibration of simulation models. Results show that compared to protons, heavier carbon ions introduce more defects with deeper levels in the SiC bandgap and more stable damage. For the first time, the free carrier concentration profile extracted from CV simulations for irradiated JBS diode has been compared with experimental data. The simulation of irradiated JBS diodes exhibit excellent matching with experimental data and can be very useful for the optimization of SiC power devices. Furthermore, it is shown that the developed model can be used for prediction of the effect of ion irradiation on both the static and dynamic characteristic of PiN diode.

2

Problematyka modelowania w programie SPICE charakterystyk stałoprądowych elektroizolowanych diodowych modułów mocy zawierających diody typu PiN oraz diody typu FRED

Dąbrowski J., Zarębski J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 1

103-106

PL

W artykule poruszono problematykę modelowania w programie SPICE charakterystyk statycznych krzemowych elektroizolowanych diodowych modułów mocy. Do badań wybrano moduły zawierające diody typu PiN oraz diody typu FRED.

EN

In the paper the problem of modeling of d.c. characteristics of electroisolated power diode modules was considered. For investigations the modules containing the silicon PiM diodes and the silicon fast recovery epitaxial diodes were chosen.

3

Pasywny ogranicznik diodowy na pasmo Ku

Gryglewski D., Wojtasiak W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 10

48-51

PL

Celem komunikatu jest prezentacja konstrukcji pasywnego ogranicznika diodowego przeznaczonego do ochrony toru odbiorczego radaru RSKu-10 na pasmo 17...17.5 GHz. Na podstawie analizy różnych rozwiązań układowych i konstrukcyjnych diodowych układów ograniczających opracowano strukturę i technologię ogranicznika na pasmo Ku z krzemowymi diodami ograniczającymi PIN w formie chipów o typowej wartości pojemności zlącza 0,2 pF i rezystancji szeregowej 2..,3 Ω. Układ z pojedynczą diodą tłumi sygnał poniżej progu ograniczania (Pwe1dB - 7 dBm) mniej niż 0.4 dB, przy stratach odbicia na poziomie -20 dB w żądanym zakresie częstotliwości 17...17,5 GHz W przedziale ograniczania osiągnięto parametry zgodne z danymi producenta diody.

EN

The paper presents design of PIN diode passive limiter for Ku-band RSKu-10 radar. The typical silicone limiter PIN diode with typical 0.2 pF junction capacitance has been chosen. To fulfill requirements the new concept of diode assembly in microstrip line is developed. The limiter was designed with the aid of ADS simulator and manufactured on substrate RT/DURO-ID5880 (Er- 2.22, h - 0.254 mm). The measured insertion loss and return loss of limiter over a 17÷17.5 GHz frequency range are lower than 0.5 dB and -20 dB, respectively During limiting operation the 10 dBm threshold level and 22dBm leakage level was achieved. The device is a part of the full version of Ku-band limiter for radar.

4

Charakteryzacja diod p-i-n wytworzonych metodą implantacji warstw epitaksialnych 4H-SiC jonami glinu

Kwietniewski N., Pazio K., Sochacki M., Szmidt J., Droździel A., Kulik M., Prucnal S., Pyszniak K., Rawski M., Turek M., Żuk J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2009

|

Vol. 50, nr 6

32-35

PL

W pracy opisano wytwarzanie i charakteryzację diod p-i-n wytwarzanych w strukturach epitaksjalnych 4H-SiC. W celu uzyskania warstw typu p⁺ wykonano 4-krotną implantację jonami Al przy całkowitej dawce 7,1 · 10¹⁴ cm⁻2² dla uzyskania prostokątnego rozkładu głębokościowego. Implantację prowadzono przy temperaturze tarczy 500°C z użyciem implanatora jonów UNIMAS wyposażonego w plazmowe źródło jonów naszej konstrukcji. Zaimplantowany materiał został następnie wygrzany w argonie przez 20 min. w t = 1600°C. Przeprowadzono badania rozkładów głębokościowych SIMS oraz rozpraszania mikro-ramanowskiego. Z pomiarów metodą c-TLM wyznaczono wartości rezystancji charakterystycznej kontaktów. Pomiary Halla wykazały, że koncentracja nośników w warstwie implantowanej p⁺ o grubości 350 nm zawiera się w przedziale 3...4 · 10¹⁸ cm⁻³ Gęstość prądu wytworzonych diod osiąga maksymalną wartość 220 A/cm² przy polaryzacji w kierunku przewodzenia 10 V, natomiast napięcie przebicia zawiera się w granicach 550...600 V.

EN

We report on fabrication and characterization of 4H-SiC p-i-n diodes. In order to obtain p⁺ -type layer, a four energy Al box-like profile was implanted with atotal fluence of 7,1 • 10 ¹¹ cm ⁻² at 500°C, using the UNIMAS ion implanter equipped with a plasma ion source of our construction. Implanted material was subsequently annealed for 20 min at 1600°C in argon. SIMS depth profiling and micro-Raman scattering investigations we re performed. The values of specific contact resistance were determined by the c-TLM method. The performed Hall measurements have shown that 350 nm thick p⁺ layers are characterized by carrier concentration of 3...4 • 10 ¹⁸ cm ⁻³. The fabricated diodes have probed forward current density up to 220 A/cm² at 10 V forward drop and 550...600 V breakdown voltages.

5

Nowe krzemowe detektory promieniowania : opracowania Instytutu Technologii Elektronowej

Węgrzecki M., Bar J., Węgrzecka I., Słysz W., Grodecki R., Grabiec P., Krzemiński S., Budzyński T., Zaborowski M., Panas A., Cież M., Kulawik J., Gröger B.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2006

|

Vol. 47, nr 12

40-43

PL

Omówiono nowe opracowania ITE w dziedzinie krzemowych detektorów promieniowania. W szczególności opisano unikalne detektory cząstek a, w tym 64-elementowe matryce chromatograficzne do rejestracji pojedynczych atomów pierwiastków z grupy transuranowców, opracowane we współpracy z Institut fur Radiochemie - Technische Universitat Munchen oraz dwuelementowy otwarty detektor cząstek a, opracowany we współpracy z Paul Scherrer Institut (PSI) - Villingen, Szwajcaria, do budowanego w PSI detektora COLD (Cryo-On-Une-Detector).

EN

New devices developed at the ITE in the field of silicon detectors of radiation are presented in the article. In particular, unique detectors of a particles - including 64-element, chromatographic arrays used for recording the single atoms of transuranic elements - developed in cooperation with Institut fur Radiochemie - Technische Universitat Munchen, are described, as well as a 2-element, open detector of a particles, developed in cooperation with Paul Scherrer Institut (PSI) - Villingen, Switzerland, used in the COLD detector (Cryo-On-Line-Detector) developed at PSI.

6

Modelling of power PiN diode under surge current conditions

Nowak J., Bakowski M., Lisik Z.

Elektronika : prace naukowe

|

2005

|

nr 10

63-78

EN

Fast recovery silicon power diodes, having radiation induced recombination centres, operating under forward bias at large current densities and high temperatures, have been studied in a detailed way, both experimentally and with the help of device simulation Medici package. Comparing the dynamic I-V characteristics with the results of numerical simulations performed using the exact physical models of the diode and the experimental set-up should allow validation of the models including parameters of the recombination states introduced by irradiation. This comparison is possible only when all the specific features of the measurement set-up are taken into account in the simulations. Therefore, it is necessary to define the electro-thermal numerical model of the diode under investigations combined with the electro-thermal model of the experimental set-up as the boundary condition for Medici simulations. The evaluation of this electro-thermal model of the diode under experiment is presented. The main issue is to define the thermal boundary conditions. Using them, one can verify the calibration of the IR detector signal vs. temperature. This is especially important since no direct calibration is possible.

PL

Dioda mocy PiN jest kluczowym przyrządem półprzewodnikowym w większości nowoczesnych układów mocy. Jedną z metod pozwalającą na poprawienie własności dynamicznych diody mocy jest zaawansowane modelowanie czasu życia po przez zastosowanie promieniowania elektronami bądź helem. Celem pracy jest opracowanie odpowiedniego modelu numerycznego diody mocy PiN pozwalającego na ocenę własności centrów rekombinacyjnych wytworzonych z użyciem promieniowania elektronami i helem. W pracy w szczególności uwzględniono wpływu termicznych warunków brzegowych oraz zależność czasu życia nośników od temperatury na poprawność wyników uzyskiwanych w trakcie symulacji. Zaproponowany model obejmuje numeryczny model diody mocy PiN oraz elektro-termiczny model ..sample holdera" - kluczowego elementem układu pomiarowego, mającego istotny wpływ na uzyskane wyniki eksperymentalne. Uzyskane wynik eksperymentalne ukazują znaczący wpływ zastosowanego promieniowania na charakterystykę diody. Porównanie eksperymentalnych charakterystyk IV z wynikami symulacji numerycznych pozwala między innymi na ocenę poprawności zastosowanych modeli rekombinacyjnych. Jako narzędzie symulacyjne wybrano pakiet Medici.