Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Wpływ trawienia plazmą na wybrane parametry cienkich warstw CdTe i SnO2 dla zastosowań fotowoltaicznych

Lichograj R., Olchowik J. M., Lichograj P., Czernik S.

Czasopismo Inżynierii Lądowej, Środowiska i Architektury / Journal of Civil Engineering, Environment and Architecture

|

2015

|

z. 62, nr 2

275--287

PL

Powszechnie wiadomo, iż w oddziaływaniu fotonów z materią może dojść do odbicia, absorbcji i przenikania. W rozwiązaniach fotowoltaicznych, możliwość pomiaru i kontroli tych zjawisk na poziomie badań i produkcji ma kluczowe znaczenie w odniesieniu do ich późniejszej wydajności. Możliwość kontroli grubości warstw w czasie ich nanoszenia metodą napylania magnetronowego, czy też ich redukowania stosując trawienie plazmą, pozwala na dobór optymalnych parametrów optycznych i elektrycznych tworzonych ogniw cienkowarstwowych. W niniejszej pracy trawiono plazmą cienkie warstwy CdTe i SnO2, naniesione we wcześniejszym etapie metodą rozpylania magnetronowego w próżni. Określono parametry technologiczne napylania magnetronowego i trawienia plazmą wpływające na właściwości warstw. Warstwy obrazowano przy użyciu AFM, natomiast pomiary grubości i pomiary współczynnika odbicia dokonano z wykorzystaniem elipsometrii. Przeprowadzone badania wykazały, że trawienie plazmą cienkich warstw w istotny sposób wpływa na zmianę ich refleksyjności (zarówno warstwy półprzewodnika ditlenku cyny jak i tellurku kadmu). Wykazano również ścisły związek użytej mocy i czasu trawienia z redukcją grubości warstwy. Obrazowanie AFM uwidoczniło zmiany w wielkości i ilości ziaren powierzchni trawionych warstw i wzrost ich nieregularności ułożenia, wraz ze zmieniającymi się parametrami procesu. Stwierdzono możliwość całkowitego usunięcia cienkich warstw w procesie trawienia plazmą i w efekcie możliwość uszkodzenia podłoża warstw trawionych co jednak wymaga dalszych badań w tym zakresie.

EN

It is well known that the reaction of photons with matter may lead to reflection, absorption and permeation. In the photovoltaic solutions, the ability to measure and control these phenomena at the level of research and production is crucial in terms of their performance and quality. The ability to control the thickness of the layers at the time of applying magnetron sputtering method or the plasma etching using a reduction allows for selection of the optimum optical and electrical parameters of the formed thin-layer cells. In this study, plasma was digested with thin layers of CdTe and SnO2, deposited by magnetron sputtering in a vacuum. Technological parameters of magnetron sputtering and plasma etching affecting the properties of layers have been specified. The layers were imaged using AFM, and the measurements of the thickness and reflectance measurements were made with the use of ellipsometry. The study showed the plasma etching of thin layers is an important contribution to change their reflectivity (both layers of semiconductors - tin dioxide and cadmium telluride). It was demonstrated the close relationship of the applied power and etching time with the reduction of the layer thickness. AFM imaging revealed changes in the size and number of grains etched surface layers and an increase of their irregular arrangement, together with changing process parameters. The possibility of complete removal of thin layers of plasma etching process, resulting in possible damage to the substrate etched layers has been stated, however, it requires further research in this area.

2

Determining energy production of CdTe photovoltaic system

Šlamberger J., Virtič P.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2013

|

R. 89, nr 2b

84--87

EN

This paper presents a method for determining energy production of Cadmium-Telluride photovoltaic system, which has a different working performance than the most used Silicon photovoltaic systems. The main difference is sensitivity to the temperature and the solar irradiance. The CdTe cells are less sensitive to the temperature and in contrast to the Si Cells they have a higher efficiency at lower irradiance.

PL

W artykule przedstawiono metodę wyznania energii wytworzonej przez system paneli fotowoltaicznych z tellurku kadmu (CdTe), różniących się od klasycznych krzemowych. Głównymi różnicami między nimi jest wrażliwość na zmiany temperatury i nasłonecznienia, gdzie system CdTe wykazuje mniejszą wrażliwość na temperatury natomiast Si wyższą sprawność przy niskim nasłonecznieniu.

3

Polycrystalline solar cells based on CdTe

Sibiński M.

Zeszyty Naukowe. Elektryka / Politechnika Łódzka

|

2008

|

z. 115

111-116

EN

In the paper a practical, complex analysis of CdS/CdTe solar cell implementation in Building Integrated Photovoltaics is presented. Potentialy useful manufacturing technologies are reviewed and evaluated. As the optimal, the ICSVT technique is analysed. New properties of this technology are reported. Subsequently, all possible configurations of the novel solar cell are considered. The practical realisation of the technology steps leading to each of the considered constructions are reported.

PL

Prezentowana praca jest poświęcona implementacji metody ICSVT (Isothermal Close Space Vapour Transport) do wytwarzania ogniw słonecznych typu CdS/CdTe, zdatnych do zastosowania w aplikacjach BIPV (Building Inte-grated Photovoltaics). W ramach przeprowadzonych badań stwierdzono występowanie dotąd nie odnotowanych własności metody ICSVT, prowadzących do poprawy składu materiału konstruowanych warstw. Następnie rozważono dostępne konfiguracje proponowanych przyrządów i przeprowadzono próby technologiczne oraz symulacje prowadzące do ich praktycznej weryfikacji. Na drodze eksperymentów potwierdzono możliwość wytworzenia postulowanych przyrządów.

4

Polycrystalline CdTe solar cells on elastic substrates

Sibiński M., Lisik Z.

Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences

|

2007

|

Vol. 55, nr 3

287-292

EN

The presented article is a report on progress in photovoltaic devices and material processing. A cadmium telluride solar cell as one of the most attractive option for thin-film polycrystalline cell constructions is presented. All typical manufacturing steps of this device, including recrystalisation and junction activation are explained. A new potential field of application for this kind of device - the BIPV (Building Integrated Photovoltaic) is named and discussed. All possible configuration options for this application, according to material properties and exploitation demands are considered. The experimental part of the presented paper is focused on practical implementation of the high- temperature polymer foil as the substrate of the newly designed device by the help of ICSVT (Isothermal Close Space Vapour Transport) technique. The evaluation of the polyester and polyamide foils according to the ICSVT/CSS manufacturing process parameters is described and discussed. A final conclusion on practical verification of these materials is also given.

5

Kadmowo-tellurowe ogniwa słoneczne

Sibiński M., Burgelman M., Lisik Z.

Elektronika : prace naukowe

|

2000

|

nr 5

164-176

PL

Polikrystaliczne heterozłączowe ogniwa słoneczne na bazie tellurku kadmu należą do jednych z bardziej obiecujących rozwiązań na drodze poszukiwań ekologicznych odnawialnych źródeł energii. W pracy przedstawiono zasady ich działania i wytwarzania jako cienkowarstwowych przyrządów półprzewodnikowych. Omówiono badania, których celem było sprawdzenie przydatności procesu ICSVT do formowania bazy CdTe tych ogniw. Potwierdziły one celowość stosowania tego procesu

EN

Polycrystalline heterojunction cadmium telluride solar cells belong to the ones of most promising solutions as concerns the new renewable ecological sources of energy. In the paper, the principles of both their work and their manufacturing as thin layer semiconductor devices are presented. The investigations aimed to check the usefulness of the new ICSVT process to create the CdTe base layer of the solar cells are reported as well.