PL
 |
EN
Ograniczanie wyników
Czasopisma help
  1. 9 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
  2. 5 Przegląd Elektrotechniczny
  3. 2 Świat Szkła
  4. 1 Budownictwo i Prawo
  5. 1 Chemia, Dydaktyka, Ekologia, Metrologia
Więcej...
Autorzy help
  1. 7 Araźna A.
  2. 7 Janeczek K.
  3. 6 Kozioł G.
  4. 5 Futera K.
  5. 5 Stęplewski W.
Więcej...
Lata help
  1. 1 2023
  2. 1 2022
  3. 2 2018
  4. 1 2017
  5. 2 2016
Więcej...
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 28

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  OLED
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
1
Content available Tris(8-hydroxyquinoline)aluminium in a polymer matrix as an active layer for green OLED applications
Sypniewska Małgorzata, Pokladko-Kowar Monika, Kaczmarek-Kedziera Anna, Brumboiu Iulia E., Figà Viviana, Apostoluk Aleksandra, Song Peng, Liu Junyan, Szczesny Robert, Gondek Ewa, Derkowska-Zielinska Beata
Opto-Electronics Review
|
2023
|
Vol. 31, No. 2
art. no. e146105
EN
Tris(8-hydroxyquinoline)aluminium with poly(N-vinylcarbazole) (Alq₃:PVK) or polystyrene sulfonate (Alq₃:PSS) were deposited by spin-coating on glass and silicon substrates. SEM measurements show that relatively smooth thin films were obtained. Fourier transform infrared measurements were performed to confirm the composition of the samples. The optical properties of thin films containing Alq₃:PVK and Alq₃:PSS were characterised using absorption spectroscopy and spectroscopic ellipsometry. It was found that the absorption spectrum of Alq₃:PVK is characterised by four bands, while for Alq₃:PSS only three bands are visible. The photoluminescence of the studied thin layers shows a peak with a maximum at about 500 nm. Additionally, cyclic voltammetry of Alq₃ is also presented. Theoretical density functional theory calculations provide the insight into the interaction and nature of Alq₃:PVK and Alq₃:PSS excited states. Finally, the organic light-emitting diode (OLED) structure based on Alq₃:PVK was fabricated and showed strong electroluminescence with a green emission at 520 nm. The results of the device show that the ITO/PEDOT:PSS/Alq₃:PVK/Ca/Al system can be useful for the production of low-cost OLEDs with Alq₃:PVK as an active layer for future lighting applications.
2
Content available remote Organiczne diody elektroluminescencyjne na bazie pochodnych pirazolochinoksalin
Pokladko-Kowar Monika, Wojtasik Katarzyna
Przegląd Elektrotechniczny
|
2022
|
R. 98, nr 9
220--223
PL
Pochodne pirazolochinoksalin (A-PQX) badano pod kątem zastosowań w organicznych diodach elektroluminescencyjnych (OLED). Wykonane zostały pomiary widm absorpcyjnych, fotoluminescencyjnych oraz elektroluminescencyjnych. Zbudowane zostały jednowarstwowe komórki o strukturze ITO/PEDOT:PSS/PVK+A-PQX/Ca/Al. Wyznaczone zostały parametry charakterystyczne dla OLED. Maksymalna luminescencja otrzymana dla tych struktur wynosiła 884 cd/m2 dla diody na bazie 7-N,N-dietylo-1-fenylo-3-metylo-1H-pirazolo[3,4-b]chinoksaliny (7- PQX).
EN
Pyrazoloquinoxaline derivatives (A-PQX) have been studied for applications in organic light emitting diodes (OLEDs). Single-layer OLEDs with the structure: ITO/PEDOT:PSS/PVK+A-PQX/Ca/Al were built. Parameters characteristic for OLED were determined. The absorption, photoluminescent and electroluminescent spectra were measured. The maximum luminescence obtained for these structures was 884 cd/m2 for a diode based on 7-N,N-diethyl-3-methyl-1-phenyl-1H-pyrazolo[3,4-b]quinoxaline (7A-PQX).
3
Szkło staje się inteligentne
Fischer M.
Świat Szkła
|
2018
|
R. 23, nr 6
18--19
4
Glass is getting smart
Fischer M.
Świat Szkła
|
2018
|
R. 23, nr 3
5--6
5
Content available remote Analiza porównawcza parametrów świetlnych źródeł LED oraz OLED w kontekście emisji promieniowania niebieskiego
Jakubowski P.
Polish Journal for Sustainable Development
|
2017
|
T. 21, cz. 2
25--36
PL
W artykule zaprezentowano analizy rozkładu widmowego promieniowania emitowanego przez diody LED oraz źródła światła wykonane w technologii OLED. Szczególną uwagę zwrócono na zawartość w ich promieniowaniu światła niebieskiego w zakresie od 380 nm 500 nm. W związku z tym, że za zastosowaniem danego źródła światła w konkretnej aplikacji, decydują głównie jego względy użytkowe, ekonomiczne oraz estetyczne, przeanalizowane zostały również takie parametry jak: skuteczność świetlna, wskaźnik oddawania barw oraz czas życia.
EN
Amount of blue light in spectral radiation is an important aspect of today’s light sources. The article presents analysis of blue light content in spectral flux of LEDs and OLEDs. In fact, decision about light source selection is mostly driven by some additional factor, thus other parameters have been analyzed: luminous efficacy, color rendering index and lifetime.
6
Zastosowanie technik addytywnych w elektronice
Araźna A., Janeczek K., Stęplewski W., Lipiec K., Kozioł G., Sitek J., Kościelski M., Gromek J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2016
|
Vol. 57, nr 6
17--22
PL
Atrakcyjność addytywnych technik druku zarówno bezkontaktowych, jak i kontaktowych inspiruje wiele ośrodków badawczych i producentów obwodów drukowanych do podejmowania prac badawczych mających na celu obniżenie kosztów produkcji i dostosowanie się do wzrastających wymogów ochrony środowiska poprzez dokonanie radykalnego postępu w zakresie materiałów i procesów technologicznych. W artykule przedstawiono działalność badawczą Centrum Zaawansowanych Technologii Instytutu Tele- i Radiotechnicznego podejmowaną w ostatnich latach w zakresie wykorzystania technik addytywnych do wytwarzania drukowanych elementów elektronicznych i nowej generacji urządzeń elektronicznych.
EN
The attractiveness of additive printing techniques inspires many research centers and manufacturers of printed circuit boards to undertake research aimed at reducing production costs and adapting to the increasing environmental requirements by making radical advances in materials and processes. The article presents activities in Centre of Advanced Technologies of Tele and Radio Research undertaken in the recent years in the use of additive printing techniques to produce printed electronic components and a new generation of electronics devices.
7
Content available Aktywowana termicznie opóźniona fluorescencja (TADF) – jako rozwiązanie problemu niskich wydajności układów fluorescencyjnych OLED
Pander P.
Chemik
|
2016
|
Vol. 70, nr 6
318--325
PL
Rozwój technologii wyświetlania obrazu doprowadził do opracowania ekranów typu OLED, których użycie jest coraz powszechne. Współcześnie dąży się do poprawy kwantowej wydajności (EQE) OLED. Organiczne diody elektroluminescencyjne zawsze cierpiały z powodu ograniczonej wydajności kwantowej, co jest wywołane zdolnością wykorzystania zaledwie 25% stanów wzbudzonych. TADF, czyli aktywowana termicznie opóźniona fluorescencja, umożliwia użycie do 100% stanów wzbudzonych powstających w diodzie, a zatem zmniejszeniu ulega udział bezemisyjnej relaksacji cząsteczek. Zjawisko to występuje dla cząsteczek o małej całce nakładania HOMO i LUMO, co skutkuje małą przerwą energetyczną singlet-tryplet.
EN
The development of display technology led to invention of OLED screens whose use is becoming more common nowadays. Today one of the goals is to improve OLED external quantum efficiency (EQE). Organic light-emitting diodes have always suffered from limited quantum efficiency due to harvesting of only 25% of excited states. TADF, which is thermally activated delayed fluorescence, allows to harvest up to 100% of excited states formed in the OLED, thus to decrease a contribution of the non-radiative relaxation. This phenomenon occurs for molecules possessing a small integral overlap of HOMO and LUMO, which results in a small singlet- triplet energy gap.
8
Content available remote Trawienie plazmowe i ultradźwiękowe warstw tlenku indowo - cynowego (ITO) - Cz. II. Właściwości elektryczne diod OLED
Janeczek K., Araźna A., Futera K.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2015
|
R. 91, nr 9
224-225
PL
W pracy badano wpływ właściwości powierzchni warstw ITO trawionych w ultradźwiękach lub z wykorzystaniem tlenowego wyładowania jarzeniowego na właściwości elektryczne diod OLED. Analizując wyniki badań stwierdzono, że chropowatość powierzchni warstw ITO ma istotny wpływ na wartości gęstości prądu próbek diod OLED, a poza tym, że czyszczenie powierzchni z zastosowaniem tlenowego wyładowania jarzeniowego może być uznane za skuteczną metodę trawienia warstw ITO, wykorzystywanych jako anoda diod OLED.
EN
In this study, the influence of surface properties of ITO layers treated in ultrasonic or with using oxygen glow discharge on electrical properties of OLED samples was investigated. Experimental results showed that the electrical properties of OLED samples are closely related to the surface roughness of ITO layers and furthermore that the oxygen glow discharge surface treatment can be considered as an effective method for treated of ITO layers used as an anode of OLEDs.
9
Content available remote Analiza parametrów kolorymetrycznych wybranych urządzeń z wyświetlaczami LCD/OLED w funkcji kąta obserwacji
Błaszczak U. J., Budzyński Ł., Zajkowski M.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2015
|
R. 91, nr 4
167--170
PL
Urządzenia z wyświetlaczami LCD lub OLED są coraz bardziej powszechne. Smartfony, tablety, notebooki, telewizory, infokioski wykorzystują dynamiczną prezentację treści poprzez ekrany wykorzystujące technologię diod organicznych lub ciekłokrystaliczną. Niezależnie od technologii istotne jest, aby urządzenie właściwie prezentowało treści barwne, niezależnie od sposobu obserwacji ekranu. W artykule zaprezentowano badania wybranych urządzeń przenośnych z ekranami w technologii LCD i OLED pod względem analizy rozkładu widmowego i parametrów kolorymetrycznych w funkcji kąta obserwacji ekranu. Analiza uzyskanych wyników pozwoli ocenić, czy tego typu urządzenia można zastosować do opracowania nowoczesnych opraw oświetlenia awaryjnego o zmiennej treści.
EN
Nowadays devices with LCD or OLED displays are becoming more common. Smartphones, tablets, notebooks, TVs, kiosks utilize a dynamic presentation of content through the screens using the technology of organic diodes or liquid crystal. Regardless of the technology, it is important that the device correctly presented color content, independently of the observation of screen. The paper presents a study of selected mobile devices with screens in the LCD and OLED technology in terms of the analysis of the spectral distribution and colorimetric parameters as a function of angle of observation of the screen. Analysis of the results will allow assessing whether this type of device can be used to develop a modern emergency lighting with variable content.
10
Właściwości elektryczne organicznych diod elektroluminescencyjnych wytwarzanych w atmosferze gazu obojętnego
Araźna A., Janeczek K., Lipiec K., Futera K., Stęplewski W., Gromek J
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2015
|
Vol. 56, nr 11
19-21
PL
W artykule przedstawiono wyniki badań właściwości elektrycznych organicznych diod elektroluminescencyjnych (OLED), wytwarzanych w atmosferze gazu obojętnego. Przygotowywane próbki miały następującą budowę: podłoże szklane/ITO/PEDOT:PSS/ADS233YE/aluminium. Dla części próbek zastosowano hermetyzację katody aluminiowej przy użyciu żywicy utwardzanej promieniowaniem UV. Uzyskane wyniki pokazały, że gęstość prądu dla diod wykonanych w atmosferze argonu była średnio o połowę mniejsza w porównaniu do diod wytworzonych w warunkach otoczenia. Poza tym analiza działania przygotowanych diod OLED wykazała, że zastosowanie hermetyzacji katody w próbkach wykonanych w atmosferze gazu obojętnego doprowadziło do zmniejszenia procentowego stosunku powierzchni świecenia diod w odniesieniu do powierzchni ich warstwy katody.
EN
In this paper, electrical properties of organic light-emitting diodes (OLED) fabricated in inert gas atmosphere were reported. The prepared samples had a following structure: glass substrate/ ITO/PEDOT: PSS/ADS233YE/aluminum. For a part of the samples aluminum cathode was encapsulated with using an UV cured resin. Achieved results showed that a current density for the diodes fabricated in argon atmosphere was average half lower compared to the diodes prepared in ambient conditions. Further, the analysis of the OLED performance exhibited that the use of cathode encapsulation for the samples produced in inert gas atmosphere led to decrease in a percentage ratio of a diode lighting area in comparison to the area of their cathode.
11
LED-y, struktury Destriau i OLED-y w półprzewodnikowych źródłach światła
Porada Z.
Wiadomości Elektrotechniczne
|
2014
|
R. 82, nr 4
3--10
PL
Przedstawiono różnice w konstrukcji organicznych diod elektroluminescencyjnych i struktur Destriau w porównaniu z diodami LED, które są wykorzystywane w półprzewodnikowych źródłach światła.
EN
The paper presents differences in design of organic light emitting diodes and Destriau structures when compared to LED’s used in semiconductor light sources.
12
Content available remote Elektroluminescencyjne źródła światła: LED, OLED i struktury Destriau
Porada Z.
Spektrum
|
2014
|
nr 3-4
VI--XIII
PL
Scharakteryzowano elektroluminescencyjne źródła światła: LED, OLED i struktury Destriau. OLED i struktury Destriau są powierzchniowymi źródłami światła o niewielkiej grubości, w których emisja światła następuje w półprzewodniku organicznym lub nieorganicznym. Diody LED są punktowymi źródłami emitującymi światło w obszarze złącza p-n wytworzonego na bazie krystalicznej struktury półprzewodników nieorganicznych. LED i OLED należą do najnowszych typów źródeł światła, których konstrukcja rozwija się najbardziej dynamicznie. Uważa się, że za 10 lat staną się masowymi źródłami światła. W różnorodnych zastosowaniach będą się wzajemnie uzupełniać, nie konkurując ze sobą.
EN
Characterized are electroluminescent light sources like LED, OLED and Destriau cells. OLED and Destriau structures are surface light sources of a small thickness in which light emission occurs in organic or inorganic semiconductors. LED diodes are point sources emitting light in the p-n junction area created on the basis of inorganic semiconductor crystal structure. LED and OLED belong to the latest types of light sources which constructions have been developed very dynamically. It is thought that in 10 years they will become mass light sources and in various applications they will rather complement one another and not compete with each other.
13
Content available remote Stanowisko do pomiaru jasności monitora z wyświetlaczem OLED
Kubicki J., Sosnowski T., Madura H., Bieszczad G.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2014
|
R. 90, nr 9
58-61
PL
W wielu urządzeniach np. kamerach wideo, obraz jest wyświetlany na miniaturowym monitorze, o ściśle zdefiniowanym zakresie regulacji jasności. Wymaga to kontroli czy wyświetlacz umożliwia regulację jasności obrazu w wymaganym zakresie. W artykule omówiono budowę stanowiska pomiarowego i metodę pomiaru jasności obrazu miniaturowych monitorów z wyświetlaczem OLED, które jest używane na etapie produkcji oraz badań zakładowych monitorów w PCO S.A. w Warszawie.
EN
In many imaging devices like cameras, the image is displayed in miniature monitor with capability of brightness regulation in a well-defined range. This brings the need to measure and control the brightness regulation range of such a device. The article discusses the construction of a measurement stand and method for measuring the brightness of miniature monitors with OLED displays. Elaborated laboratory setup is used in development and production process of displays in PCO S.A.
14
Wpływ wilgoci i temperatury na właściwości elektryczne diod OLED
Araźna A., Kozioł G., Janeczek K.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2014
|
Vol. 55, nr 7
42-44
PL
W pracy badano wpływ warunków przechowywania próbek diod OLED na ich właściwości elektryczne. Próbki wykonane były na podłożu szklanym z warstwą tlenku indowo-cynowego (ITO) stanowiącą anodę. Zastosowano poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate) (PEDOT:PSS) do wytwarzania warstwy przenoszącej dziury, poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(1,4-benzo-{2,1’,3}-thiadiazole)] jako warstwę emitująca światło (EML) oraz naparowaną warstwę aluminium jako katodę. Próbki przechowywano w komorze klimatycznej w warunkach 40°C/50% RH lub w warunkach obniżonej wilgotności powietrza (około 30% RH). Wpływ warunków przechowywania na właściwości elektryczne próbek określano porównując charakterystyki prądowo-napięciowe wykonane bezpośrednio po przygotowaniu próbek i po zastosowaniu narażeń klimatycznych. Obserwowano również zmiany morfologii powierzchni katody aluminiowej na mikroskopie SEM. Stwierdzono, że 98% badanej partii próbek (bez hermetyzacji katody) przechowywanych w komorze klimatycznej przestaje przewodzić prąd. Obserwacja katody aluminiowej na mikroskopie SEM na tego rodzaju próbkach wykazała występowanie zmian w jej morfologii powierzchni. Zastosowanie hermetyzacji katody wydłużyło czas przewodzenia złącza próbek struktur diod OLED.
EN
In the present work the influence of storage conditions on the electrical properties of OLED samples was investigation. The samples were prepared on the glass substrate with indium-tin oxide (ITO) layer constituting the anode. The poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate) (PEDOT:PSS) as hole transport layer (HTL), was used poly[(9,9-dioctyl-fluorenyl-2,7-diyl)-co-(1,4-benzo-{2,1’,3}-thiadiazole)] as emissive layer (EML) and evaporated aluminum layer as the cathode, were used. Samples were stored in a climatic chamber under conditions of 40°C/50% RH or under low humidity (about 30% RH). Influence of storage conditions on the electrical properties of the samples were determined by comparing the current-voltage characteristics taken immediately after preparation and after exposed samples on the climatic conditions. Morphological changes of the surface of aluminum cathode were also observed using SEM microscope. It was found that 98% of the tested samples (without cathode encapsulation) stored in a climatic chamber stops conducting. Observation of the aluminum cathode on the SEM microscope showed the presence of changes in surface morphology. The use of the cathode encapsulation prolonged the life time of the OLEDs samples.
15
Energooszczędne źródła światła w technologii LED i OLED
Schnitzer K
Elektroinstalator
|
2014
|
nr 1
38--41
PL
Z dniem 1 września 2009 r., zgodnie z decyzją Komisji Europejskiej, rozpoczęło się stopniowe wycofywanie tradycyjnych lamp żarowych o mocy 100 W z rynków krajów należących do Unii Europejskiej. W kolejnych latach wycofano ze sprzedaży żarówki 60 W oraz 40 W. Ustawodawstwo unijne zakłada stopniowe eliminowanie ze sprzedaży wszystkich energochłonnych źródeł światła, również halogenowych.
16
Wstępne próby starzeniowe organicznych diod elektroluminescencyjnych
Araźna A., Stęplewski W., Janeczek K., Kozioł G., Gromek J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2013
|
Vol. 54, nr 9
84-86
PL
W pracy określano wpływ zmiennych warunków temperatury i wilgotności powietrza na stabilność diod OLED wykonanych w warunkach otoczenia. Badano próbki z trzema rodzajami związku emitującego światło oznaczonymi jako ADS5, ADS8 i MEH-PPV. Próbki ze związkami ADS5 i ADS8 przechowywano w warunkach obniżonej wilgotności powietrza, natomiast próbki ze związkiem MEH-PPV w zmiennych warunkach temperatury i wilgotności powietrza. Wyznaczano charakterystyki prądowo-napięciowe próbek bezpośrednio po wykonaniu i po testach starzeniowych w zakresie napięcia od 0 V do 20 V. Dla próbek ze związkami ADS5 i ADS8 odnotowano zmniejszenie wartości gęstości prądowej średnio o około 42% w porównaniu z wartością początkową (przy napięciu 15 V) po około 2700...3000 godzinach. Natomiast dla próbek ze związkiem MEH-PPV po 100 h przechowywania w komorze klimatycznej obserwowano zmniejszenie wartości gęstości prądowej o około 92% w porównaniu z wartością początkową.
EN
In the work the influence of environmental conditions on the stability of OLED samples mede in ambient condition was determined. The samples with three kinds of emitting layer (named as ADS5, ADS8 and MEH- PPV) were examined. The samples with ADS5 and ADS8 were stored in the lowered humidity of air conditions. However, the samples with MEH-PPV were ageing in climatic chamber. The characteristics curren- voltage for fresh and ageing samples in the range of voltage from 0 V to 20 V were made. They stated, that irrespective of the manner of storage, samples were undergoing the degradation. The decrease in value of the current density was registered. That was about 42% after 2700 -3000 hours (at tension 15 V) for the samples with ADS5 and ADS8, and about 92% after 100 hours for the samples stored in climatic chamber (with MEH-PPV).
17
Technologia wytwarzania organicznych drukowanych źródeł światła : perspektywy, badania
Kozioł G., Gromek J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2013
|
Vol. 54, nr 4
40-42
PL
W artykule przedstawiono potencjał aplikacyjny organicznych diod elektroluminescencyjnych OLED jako źródeł światła oraz przesłanki dla podjęcia badań w Instytucie Tele i Radiotechnicznym oraz wyniki badań nad technologią wytwarzania diod OLED.
EN
The paper presents the potential application of organie light-emitting diodes OLEDs as light sources and reasons for undertaking research at the Institute of Tele & Radio and the results of research on the technology of production of OLEDs.
18
Porównanie pomiarów chropowatości tlenku indowo-cynowego (ITO) mikroskopem sił atomowych i profilometrem optycznym
Janeczek K., Araźna A., Futera K., Kozioł G., Stęplewski W., Lipiec K.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2013
|
Vol. 54, nr 4
84-86
PL
Warstwa tlenku indowo-cynowego (ITO) naniesiona na podłoże giętkie lub sztywne znajduje obecnie zastosowanie do wytwarzania organicznych diod elektroluminescencyjnych (OLED) lub organicznych ogniw fotowoltaicznych (OPV). Zazwyczaj przed nałożeniem warstw funkcjonalnych wykonywanej struktury, ITO jest poddawane czyszczeniu. W artykule opisano wyniki badań chropowatości warstwy ITO metodą mikroskopii sił atomowych i profilometrii optycznej. Badane próbki przed pomiarami poddano czyszczeniu alkalicznemu lub czyszczeniu w acetonie i alkoholu etylowym lub alkoholu izopropylowym. Niezależnie od zastosowanej techniki pomiarowej wszystkie metody przygotowania powierzchni ITO powodowały wzrost jej chropowatości w stosunku do próbki w stanie dostawy. Stwierdzono również, że wartości chropowatości zmierzonej profilometrem optycznym były wyższe niż uzyskane mikroskopem sił atomowych.
EN
Indium tin oxide (ITO) layers evaporated on elastic or rigid substrates are currently used for manufacturing organic light-emitting diodes (OLED) or organie photovoltaic cells (OPV). Before functional layers of a fabricated device are deposited on ITO substrate its surface is usually cleaned. In this paper, the results of ITO layer roughness measurements by atomic force microscopy and optical profiler are reported. The specimens were treated with alkaline cleaning or ultrasonic degreasing in acetone and ethyl or isopropyl alcohol. Irrespective of measurement technigue all treatment methods lead to increase of ITO surface roughness when compared to the untreated sample. It was affirmed that the values of ITO roughness measured with optical profilometry were higher than measured with atomic force microscopy.
19
Pomiary właściwości elektrycznych polimerowych diod elektroluminescencyjnych
Stęplewski W., Kozioł G., Araźna A., Janeczek K., Futera K.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2013
|
Vol. 54, nr 4
126-129
PL
W artykule opisano wyniki badań polimerowych diod elektroluminescencyjnych dotyczące doboru związku emitującego światło, badań starzeniowych i badań procesu hermetyzacji. W badaniach wykorzystano pomiary elektryczne do wyznaczania przebiegu charakterystyk prądowo-napięciowych i gęstości prądu w celu testowania jakości i trwałości wytworzonych struktur diod.
EN
In this paper, the results of studies on polymer light emitting diodes, such as emitting compound selection, aging tests and encapsulation process, were described. Electrical measurements were mainly used to determine current-voltage characteristics and current density what makes possible to test quality and life time of the prepared OLED structures.
20
Organiczne urządzenia elektroluminescencyjne : materiały, rozwiązania konstrukcyjne, właściwości
Wileńska E., Głowacki I., Grykien R., Łuszczyńska B.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2013
|
Vol. 54, nr 9
89-91
PL
W pracy omówiono dwa rodzaje polimerowych urządzeń elektroluminescencyjnych: diody oraz tranzystory polowe. Praca skupiała się nad uzyskaniem urządzeń emitujących światło z zakresu zbliżonego do maksymalnej czułoci oka ludzkiego. Warstwy emisyjne zostały wytworzone na bazie dwóch typów kopolimerów skoniugowanych: p-fenylenowinylenu („Super Yellow”), fluorenowobenzotiadiazolowego (F8BT) oraz mieszaniny poli(N/-winylokar bazolu) z pochodną oksadiazolu (PVK/PBD) domieszkowanej „zielonym” emiterem (Ir(ppy)3). Zahermetyzowane diody wykonane z „Super Yellow” charakteryzowały się stabilnymi parametrami użytkowymi: luminancją ok. 2500 cd/m2, wydajnością - 13 cd/A, przy napięciu zasilania w zakresie 3,5…4,5 V. Tranzystory polowe wytworzone z F8BT wykazywały zdolność sterowania intensywnością emitowanego światła poprzez zmiany napięć UDS i UGS, jednak w ich przypadku konieczne było stosowanie napięć zasilających przekraczających 100 V.
EN
This paper is focused on two kinds of polymeric electroluminescent devices: diodes (OLEDs) as well as field-effect transistors (OLETs). Experiment was concentrated to obtain devices emitting light in the spectral range corresponding to the maximal sensitivity of the human eye. Emitting layers were prepared on two type of conjugated copolymers: p-phenylene vinylene (“Super Yellow”), fluorenebenzothiadiazole (F8BT) and the mixture of PVK/PBD doped with “green” emitter (Ir(ppy)3). Encaplu sed OLEDs manufactured with “Super Yellow” characterized with constant operating parameters: luminance ca. 2500 cd/m2, current efficiency ~ 13 cd/Aat voltages: 3,5...4,5 V. Field-effect F8BT transistors have exhibited the ability to control of the the emitted light intensity by means of the UDS and UGS changes. However, OLETs have required applying of voltage higher than 100 V.
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.