PL
 |
EN
Ograniczanie wyników
Czasopisma help
  1. 23 Przegląd Elektrotechniczny
  2. 8 Journal of Telecommunications and Information Technology
  3. 7 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
  4. 6 Prace Naukowe Politechniki Śląskiej. Elektryka
  5. 3 Przegląd Telekomunikacyjny + Wiadomości Telekomunikacyjne
Więcej...
Autorzy help
  1. 13 Kasprzak M.
  2. 5 Barlik R.
  3. 5 Sochacki M.
  4. 4 Grzejszczak P.
  5. 4 Król K.
Więcej...
Lata help
  1. 2 2023
  2. 4 2022
  3. 2 2021
  4. 2 2020
  5. 1 2019
Więcej...
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 66

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 4 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  MOSFET
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 4 next fast forward last
1
Content available remote Zasilacz sterowany cyfrowo z przetwornicą reverse buck
Ptak Przemysław, Górecki Krzysztof, Klewer Dawid
Przegląd Elektrotechniczny
|
2023
|
R. 99, nr 9
285--288
PL
W pracy przedstawiono wyniki pomiarów ilustrujących wpływ doboru tranzystora mocy wykonanego w technologii krzemowej (Si) oraz azotku galu (GaN) na właściwości zasilacza sterowanego cyfrowo z przetwornicą DC-DC typu reverse buck. Przedstawiono i krótko opisano najważniejsze bloki funkcjonalne skonstruowanego układu. Przedyskutowano wybrane zależności wielkości charakteryzujących badany zasilacz od prądu obciążenia.
EN
This paper presents the results of measurements illustrating the effect of selecting a power transistor made in silicon (Si) and gallium nitride (GaN) technology on the properties of a digitally controlled power supply with a reverse buck DC-DC converter. The main functional blocks of the developed system are presented and briefly described. Selected dependencies of quantities characterizing the studied power supply on load current are described.
2
Content available remote Modelowanie stałoprądowych charakterystyk tranzystorów SiC-MOS mocy w programie SPICE
Bisewski Damian, Lubicz-Krośnicka Emilia
Przegląd Elektrotechniczny
|
2023
|
R. 99, nr 9
289--292
PL
Artykuł dotyczy problematyki komputerowego modelowania charakterystyk oraz parametrów tranzystorów MOS mocy wykonanych z węglika krzemu (SiC). W ramach realizacji pracy sformułowano oraz zaimplementowano w programie PSPICE autorski model rozważanego tranzystora, który bazuje na zmodyfikowanym modelu Shichmana-Hodgesa krzemowego tranzystora MOS. Opracowany model, w porównaniu do innych istniejących modeli tranzystora MOS wbudowanych w popularnych programach komputerowych, modeli firmowych, a także modeli opisanych w literaturze, cechuje się dużą dokładnością. Ponadto, zaproponowany model charakteryzuje się stosunkowo nieskomplikowaną budową, tzn. w zależnościach analitycznych opisujących ten model występuje zaledwie kilkanaście parametrów, których wartości można wyznaczyć korzystając z informacji zawartych w kartach katalogowych konkretnych typów tranzystorów albo na podstawie wyników pomiarów.
EN
The paper deals with the problem of computer modelling of characteristics and parameters of power MOSFETs made of silicon carbide (SiC). An original model of the considered transistor was formulated and implemented in the PSPICE program, which is based on the ShichmanHodges model of the silicon MOS transistor modified by the authors. In comparison to other existing MOS transistor models embedded in popular computer programs as well as models described in literature, the developed model exhibits high accuracy. Furthermore, the proposed model features a relatively simple structure, meaning that it includes only a few parameters in its analytical description. The values of these parameters can be determined based on the information provided in the datasheets of specific transistor types or through measurement results.
3
Content available remote Zastosowanie algorytmu genetycznego w procesie estymacji parametrów modeli przyrządów półprzewodnikowych
Bisewski Damian
Przegląd Elektrotechniczny
|
2022
|
R. 98, nr 9
103--106
PL
Praca dotyczy zastosowania algorytmu genetycznego w procesie estymacji wartości parametrów arbitralnie wybranego modelu tranzystora MOS. Przedstawiono budowę oraz zasadę działania algorytmu genetycznego. Pokazano wpływ wybranych parametrów sterujących działaniem algorytmu na obliczone wartości funkcji celu. Zaproponowano modyfikację operatora krzyżowania wpływającą na uzyskiwanie wyników obliczeń z większą dokładnością.
EN
The paper concerns the application of the genetic algorithm in the process of parameter estimation of an arbitrarily selected MOSFET model. The structure and the principle of operation of the genetic algorithm have been presented. The influence of selected parameters controlling the algorithm operation on the calculated values of the objective function has been shown. A modification of the crossing operator providing calculation results of greater accuracy has been proposed.
4
Content available remote Wpływ rozmieszczenia pustek lutowniczych na parametry cieplne tranzystorów MOSFET
Pietruszka Adrian, Górecki Paweł, Tarasiuk Jacek, Skwarek Agata
Przegląd Elektrotechniczny
|
2022
|
R. 98, nr 9
94--98
PL
W artykule opisano wpływ występowania oraz lokalizacji dużych pustek w połączeniu lutowanym pada termicznego na parametry cieplne tranzystora MOSFET. Na potrzeby realizacji prac badawczych zaprojektowano i wykonano serię próbek testowych, których parametry termiczne zmierzono za pomocą pośredniej metody elektrycznej. Przeprowadzono analizę statystyczną otrzymanych wyników oraz wykonano zdjęcia RTG pada termicznego wybranych próbek testowych. W niniejszym artykule analizowano wpływ występowania pustek lutowniczych w padzie termicznym, na parametry termiczne tranzystora MOSFET. Określono wpływ lokalizacji pustek wewnątrz połączenia lutowanego.
EN
The article describes the influence of the occurrence and location of large voids in the solder joint at the thermal pad of the MOSFET transistor influencing its thermal parameters. For the purposes of the research work, a series of test samples were designed and fabricated, the thermal parameters were measured using an indirect electrical method. Statistical analysis of the obtained results was performed and X-ray images of the thermal pad of selected test samples were taken. This paper analyzes the effect of the presence of solder voids in the thermal pad, on the thermal parameters of the MOSFET transistor. The effect of the location of the voids inside the solder joint was determined.
5
Content available Study of Capacitor & Diode Aging effects on Output Ripple in Voltage Regulators and Prognostic Detection of Failure
Preethi Sharma K., VijayaKumar T.
International Journal of Electronics and Telecommunications
|
2022
|
Vol. 68, No. 2
281--286
EN
Objectives: To design and simulate a buck converter and detector circuit which can prognostically indicate the power supply failure. Failure of Aluminium Electrolytic Capacitor (AEC) is considered as the parameter causing the power supply failure. To analyse variation of output ripple voltage due to possible changes in the Equivalent Series Resistance (ESR) and effective capacitance of the capacitor and design a detector to detect the failure of power supply prognostically. Methods: A DC-DC buck converter in SMPS topology is designed by assuming an input voltage of 12V with 3 volts possible fluctuations and an output voltage of 3.3 volts is desired. Simulation is carried out to measure the variation in output ripple voltage caused due to aging of electrolytic capacitor using TINA by Texas Instruments. A detector is also designed to compare the ripple voltage and a predefined threshold voltage so as to indicate the possible failure of Switched Mode Power Supply (SMPS) well in advance by monitoring the output ripple increase. Novelty: Having a fault tolerant power supply is very important in safety critical applications. Here by monitoring the output ripple variation, the degradation of AEC is predicted by calculating the ESR and capacitance variation. This simple yet effective prognostic detection will support in the design of fault tolerant power supplies. Highlight: It is found that, the ripple at the output increases with aging of the electrolytic capacitor, as with time the equivalent capacitance decreases and Equivalent Series Resistance (ESR) of the capacitor increases. The designed detector output is found to prognostically indicate the failure of SMPS.
6
Content available Modelling and simulation of sinusoidal pulse width modulation controller for solar photovoltaic inverter to minimize the switching losses and improving the system efficiency
Panneerselvam Sivaraj, Kandasamy Karunanithi, Perumal Chandrasekar
Archives of Electrical Engineering
|
2022
|
Vol. 71, nr 3
615--626
EN
With the extinction of fossil fuels and high increase in power demand, the necessity for renewable energy power generation has increased globally. Solar PV is one such renewable energy power generation, widely used these days in the power sector. The inverters used for power conversion suffer from power losses in the switching elements. This paper aims at the detailed analysis on switching losses in these inverters and also aims at increasing the efficiency of the inverter by reducing losses. Losses in these power electronic switches vary with their types. In this analysis the most widely used semiconductor switches like the insulated gate bipolar transistor (IGBT) and metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) are compared. Also using the sinusoidal pulse width modulation (SPWM) technique, improves the system efficiency considerably. Two SPWM-based singlephase inverters with the IGBT and MOSFET are designed and simulated in a MATLAB Simulink environment. The voltage drop and, thereby, the power loss across the switches are compared and analysed. The proposed technique shows that the SPWM inverter with the IGBT has lower power loss than the SPWM inverter with the MOSFET.
7
Content available remote Ocena dokładności firmowych modeli tranzystorów SiC-MOS
Bisewski Damian, Lubicz-Krośnicka Emilia
Przegląd Elektrotechniczny
|
2021
|
R. 97, nr 12
187--190
PL
Praca dotyczy problematyki modelowania charakterystyk oraz parametrów tranzystorów MOS mocy wykonanych z węglika krzemu. Przedstawiono aktualny status komercyjny tranzystorów SiC-MOS oraz informacje w zakresie dostępności modeli firmowych rozważanych przyrządów półprzewodnikowych. Zaprezentowano budowę oraz zasadę działania modeli oferowanych przez wybranych producentów tranzystorów SiC-MOS. Przedstawiono wyniki oceny dokładności tych modeli poprzez porównanie wyników symulacji oraz charakterystyk katalogowych.
EN
The paper concerns on modelling of the characteristics and parameters of power MOSFETs made of silicon carbide. The current commercial status of SiC-MOSFETs and information on the availability of manufacturers models of considered transistors have been discussed. The structure and principle of operation of the models offered by selected manufacturers of SiC-MOSFETs have been presented. An evaluation of accuracy of these models have been presented by comparing the simulation results and catalogue characteristics.
8
Content available Cascaded boost converter-based high-voltage pulse generator for pulsed electric field applications
Krishnaveni S., Rajini V.
Archives of Electrical Engineering
|
2021
|
Vol. 70, nr 3
631--641
EN
Food processing technologies for food preservation have been in constant development over a few decades in order to meet current consumer’s demands. Healthy competitive improvements are observed in both thermal and non-thermal food processing technology since past two decades due to technical revolution. Among these novel technologies, pulsed electric field food processing technology has shown to be a potential non-thermal treatment capable of preserving liquid foods. The high-voltage pulse generators specifically find their applications in pulsed electric field technology. So, this paper proposes a new structure of a high-voltage pulse generator with a cascaded boost converter topology. The choice of a cascaded boost converter helps in selecting low DC input voltage and hence the size and space requirement of the high-voltage pulse generator is minimized. The proposed circuit is capable of producing high-voltage pulses with flexibility of an adjusting duty ratio and frequency. The designed circuit generates a maximum peak voltage of 1 kV in the frequency range of 7.5–20 kHz and the pulse width range of 0.8–1.8 μs. Also, the impedance matching between the cascaded boost converter and the high-voltage pulse generator is found simple without further additional components. The efficiency can be improved in the circuit by avoiding low frequency transformers.
9
Projekt i analiza termiczna wzmacniacza mocy POWER MOSFET dla specjalnych systemów nadawczych w zakresie fal długich i bardzo długich
Miś Tomasz Aleksander
Przegląd Telekomunikacyjny + Wiadomości Telekomunikacyjne
|
2020
|
nr 7-8
358--361, CD
PL
Artykuł opisuje projekt i testy wzmacniacza mocy pracującego na częstotliwościach poniżej 300 kHz do zastosowania w nadajniku stacjonarnym średniej mocy oraz w nadajniku stratosferycznym. Jako bazę wykorzystano zespół nadawczy z projektu IGLUNA z roku 2019. Zaprezentowano wyniki kontroli i aktywnego sterowania temperaturami tranzystorów wzmacniacza, omówiono funkcjonowanie termiczne urządzenia w warunkach stratosferycznych. Więcej szczegółów planuje się przedstawić w czasie prezentacji.
EN
The article presents the design process and tests of a power amplifier operating below 300 kHz for the use in a stationary medium-power radio transmitter and in a stratospheric transmitter. As a basis a previous transmitter design from the 2019 IGLUNA program was used. The results of the active temperature control of the amplifier’s transistors are presented, the operation of the device in stratospheric environment is described. More details are to be presented on the article’s presentation.
10
Content available remote Porównanie falowników klasy DE z pasma 13,56 MHz zbudowanych na tranzystorach SiC MOSFET i GaN FET
Przybyła Krzysztof, Kasprzak Marcin
Przegląd Elektrotechniczny
|
2020
|
R. 96, nr 7
68--71
PL
W artykule przedstawiono wyniki pomiarów sprawności czterech falowników o mocy wyjściowej do 450W, dwóch zbudowanych na tranzystorach SiC a dwóch na GaN. Tranzystory mają klasę napięciową (650 – 900)V, prądową (20-30)A, obudowy przewlekane (TO-220, TO-247) i SMD (np. D2PAK-7). Badania wykazały, że tranzystory GaN pozwalają na uzyskanie sprawności całkowitej (89-92)% natomiast tranzystory SiC sprawności (70-80)%. Uzyskane sprawności falowników z tranzystorami GaN są wyższe niż podobnych falowników z najlepszymi Si RF MOSFET.
EN
Efficiency measurement results of the four inverters with output power up to 450W, built with SiC (2x) and GaN (2x) transistors are presented in the paper. Used transistors were in (650-900)V voltage class, (20-30)A current class, (TO-220, TO-247) THT cases and (e.g. D2PAK-7) SMD cases. The research has shown that GaN and SiC transistors allow to obtain total efficiency of (89-92)% and (70-80)% respectively. The obtained efficiency results of the inverters with GaN transistors are higher than similar inverters with the best Si RF MOSFETs.
11
Content available remote Microelectronic transducer of gas concentration based on MOSFET with an active inductive element
Osadchuk Alexandr. V., Osadchuk Volodymyr. S., Seletska Olena. O., Krylik Lyudmila. V.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2019
|
R. 95, nr 4
237--241
EN
This article presents the microelectronic transducer of gas concentration. The transducer have been used in the absorption spectroscopy technique equipment for measuring concentration of combustible gases. The transducer contains photoresistor and semiconductor structure and provides converting of informative optical signal into the output frequency one. The proposed transducer is low-cost in both material and fabrication and can be used for measuring weak changes of gases. The mathematical model of the microelectronic transducer which describes the transfer function and sensitivity has been calculated. The developed transducer shows a high sensitivity up to 150 Hz/ppm.
PL
Zaprezentowano mikroelektroniczny przetwornik koncentracji gazu (spalin) wykorzystujący spektroskopię absorpcji. W układzie przetwarzającym sygnał optyczny na częstotliwość wykorzystano fotorezystor.
12
Content available remote Wpływ obudowy tranzystora SiC MOSFET na sprawność energetyczną falownika klasy DE z pasma 13,56 MHz
Przybyła K., Kasprzak M.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2018
|
R. 94, nr 3
87--90
PL
W artykule przedstawiono wyniki pomiarów falownika klasy DE 12 MHz z tranzystorami SiC MOSFET C3M0120090 (900 V, 22 A, 120 mΩ). Pomiarów falownika dokonano dla dwóch wersji tranzystorów, z obudową TO-247 i D2PAK-7. Badania wykazały, że tranzystory w obudowie D2PAK-7 umożliwiają uzyskanie wyższej sprawności niż tranzystory w obudowie TO-247 (dla E=200 V: ηTO-247=68%, ηD2PAK-7=84%). Uzyskane wartości sprawności nie są mniejsze niż opisywane w literaturze.
EN
Measurement results of 12 MHz Class DE inverter with SiC MOSFET transistors C3M0120090 (900 V, 22 A, 120 mΩ) are presented in the paper. Measurements were done with two versions of transistors, in case TO-247 and D2PAK-7. Laboratory tests showed that transistors in D2PAK-7 case allow to obtain higher efficiency of Class DE inverter than transistors in TO-247 case (for E=200 V: ηTO-247=68%, ηD2PAK-7=84%). Obtained efficiency values are not lower then described in the literature.
13
Content available remote Weryfikacja mocy strat w obwodzie bramkowym wybranych tranzystorów MOSFET na bazie Si i SiC
Przybyła K.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2018
|
R. 94, nr 1
129--132
PL
W artykule przedstawiono wyniki pomiarów mocy strat w obwodzie bramkowym dla tranzystorów MOSFET na bazie Si: APT5010JFLL, IXFN44N80P oraz APT40SM120J na bazie SiC. Pomiary były wykonywane w układzie falownika klasy DE w przedziale częstotliwości od 275 kHz do 525 kHz i przy napięciu zasilania falownika E=0 V i E=300 V. Wyniki pomiarów porównano z wynikami obliczeń mocy strat na podstawie danych katalogowych. Wykazano rozbieżności wyników i podano możliwe przyczyny.
EN
Measurement results of power losses in the gate circuit in Si: APT5010JFLL, IXFN44N80P and SiC: APT40SM120J MOSFET transistors are presented in the paper. Measurements were taken in class DE inverter configuration in frequency range from 275 kHz to 525 kHz and with inverter supply voltage E=0 V and E=300 V. The article contains also the comparison of evaluated power loss values, based on datasheets, with laboratory results.
14
Content available remote Quasi – rezonansowy dwufazowy przekształtnik DC/DC podwyższający napięcie
Zimoch P.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2018
|
R. 94, nr 3
116--119
PL
W artykule dokonano analizy dwufazowego przekształtnika DC/DC podwyższającego napięcie z tranzystorami MOSFET załączanymi przy zerowym napięciu dren – źródło. Przeprowadzono badania symulacyjne, które wykazały, że możliwa jest praca tego typu przekształtnika przy częstotliwości rzędu kilkuset kHz oraz wykonano prototyp układu o częstotliwości pracy 400 – 600 kHz.
EN
The paper presents an analysis of a two-phase DC/DC boost converter with MOSFET transistors switched at zero drain – source voltage. Simulations, which have been conducted, have shown a possibility to make such converter with switching frequency up to a few hundred kHz. A prototype converter with switching frequency of 400 – 600 kHz has been made.
15
Content available remote Problem zwarć skrośnych w scalonych sterownikach bramkowych pracujących z częstotliwością 30 MHz
Legutko P.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2018
|
R. 94, nr 6
74--77
PL
W artykule przedstawiono problematykę zwarć skrośnych występujących w scalonych, komercyjnych sterownikach bramkowych stosowanych powszechnie z tranzystorami MOSFET mocy i pracujących z częstotliwością sięgającą 30 MHz. Zwarcia skrośne w wyjściowym stopniu wzmacniającym drajwera są niezwykle istotne dla działania całego układu falownika. Wpływ zwarć objawia się dużymi stratami mocy biegu jałowego drajwera scalonego, które mogą sięgać nawet 30 W. Tak duża wartość mocy strat znacząco obniża sprawność całego przekształtnika oraz bezpośrednio wpływa na sprawność samego drajwera, która rzadko przekracza 60%. W artykule opisano problematykę identyfikacji zwarć oraz innych zjawisk występujących w sterownikach bramkowych (twardo-przełączalnych) pracujących z częstotliwościami sięgającymi 30 MHz. Przeprowadzone badania wykazały istnienie alternatywnych rozwiązań komercyjnych sterowników bramkowych charakteryzujących się niejednokrotnie lepszymi parametrami statycznymi i dynamicznymi.
EN
This paper presents the problem of short circuits in integrated drivers IXYS Corporation. The problem of short circuits in high frequency driver operating in inverter, is very important for example in efficiency or power losses determining. The short circuit in output amplifier by the drivers affects on the total power losses in this driver. All drivers in this project have been tested for operating frequency from 10 MHz to 30 MHz. Additionally, this paper presents a characteristics of power losses at idle for eight tested drivers - four integrated drivers and four discrete drivers have been designed. The new discrete drivers design has been developed as a PCB circuit on a thermal clad technology with the use of discrete low power components. The PCB board are made of IMS material, which consist of aluminum base (1.5 mm), the layers of ceramic insulator (100 μm) and cooper layer (35 μm). The power losses in integrated driver DEIC420 associated of short circuits are even 30 W for 30 MHz. The new MOSFET discrete drivers characterized by 5 W of power losses in this same work conditions.
16
Content available remote Porównanie falowników klasy D-ZVS 300 kHz do nagrzewania indukcyjnego z tranzystorami MOSFET na bazie Si oraz SiC
Kasprzak M., Przybyła K.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2018
|
R. 94, nr 3
60--64
PL
W artykule przedstawiono wyniki porównania falowników klasy D-ZVS, 300 kHz i mocy ok. 20 kW. Falowniki zbudowano na tranzystorze CAS120M12BM2 (SiC, 138 A) oraz 5-ciu równolegle połączonych tranzystorach IXFN 44N80P (Si, 5x25 A). Falownik z SiC MOSFET w porównaniu do 5xSi MOSFET uzyskuje (8-26)% wyższą moc wyjściową, sprawność jest o 2% wyższa, moc sterowania obwodu bramkowego jest 2,5 razy niższa. Równoległe połączenie kilku Si MOSFET jest dopuszczalne w przypadku dużej mocy falownika, ok. 20 kW lub większej.
EN
Comparison results of 300 kHz, 20 kW Class D-ZVS inverters are presented in the paper. Inverters were based on CAS120M12BM2 (SiC, 138 A) transistor and 5 parallel placed IXFN 44N80P (Si, 5x25 A) transistors. The inverter with SiC MOSFET in comparison with 5xSi MOSFET achieves (8-26)% higher output power, higher efficiency by 2% and gate circuit power losses are 2.5 times lower. The parallel placement of several Si MOSFET transistors is acceptable in the inverter of high power, 20 kW or more.
17
Content available Analysis and investigation of Schottky barrier MOSFET current injection with process and device simulation
Schwarz Mike, Calvet Laurie E., Snyder John P., Krauss Tillmann, Schwalke Udo, Kloes Alexander
International Journal of Microelectronics and Computer Science
|
2018
|
Vol. 9, nr 1
1--8
EN
In this paper we focus on the implementation of a process flow of SB-MOSFETs into the process simulator of the Synopsys TCAD Sentaurus tool-chain. An improved structure containing topography is briefly discussed and further device simulations are applied with the latest physical models available. Key parameters are discussed and finally the results are compared with fabricated SB-MOSFETs in terms of accuracy and capability of process simulations.
18
Content available A comparison study of the features of DC/DC systems with Si IGBT and SiC MOSFET transistors
Fatyga K., Kwaśny Ł., Stefańczak B.
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
|
2018
|
T. 8, nr 2
68--71
EN
This paper presents a comparison of the efficiency of two bidirectional DC/DC converters based on dual H-bridge topology. Tested converters were built using Si-based IGBT transistors and SiC-based MOSFETs. The results of the research are efficiency characteristics, taken from tests at the frequency range of 10÷60 kHz. Analysis of the results points to a massive advantage of the SiC-based design over the Si-based one.
PL
W artykule zaprezentowano badania porównawcze sprawności dwóch dwukierunkowych przekształtników DC/DC wykonanych w topologii podwójnego mostka H. Badane przekształtniki wykonano w technologii krzemowej z tranzystorami IGBT oraz w technologii węglika krzemu z tranzystorami SiC MOSFET. Rezultatem badań są charakterystyki sprawności uzyskane z testów przy częstotliwości pracy w zakresie 10÷60 kHz. Analiza uzyskanych wyników wskazuje na zdecydowaną przewagę rozwiązania wykonanego w technologii węglika krzemu nad rozwiązaniem z tranzystorami krzemowymi IGBT
19
Content available Historia tranzystora polowego, początki i geneza powstania
Czupryniak J., Namirowska P., Ossowski T.
Technical Issues
|
2017
|
nr 1
28--33
EN
Automation diagnostic methods and techniques of environmental monitoring combined with higher precision, sensitivity and selectivity of the currently available detection methods evokes a growing interest of medicine and medical diagnostics to produce the miniaturized diagnostic devices and technology which enable automation of medical procedures. Application of different sensors including chemical ones for detecting substance such as: peptides, proteins, ions, heavy metals in biological systems in which is low concentration of analyte is observed, forces us to use a miniaturized chemical nanosensors with high sensitivity and selectivity. This type of sensors are FET, ISFET and MOSFET. The nano-diagnostic devices with ability of molecular recognition that’s today's world most important analytical challenge for designers and chemists in order to obtain rapid and cheap diagnostic methods. In this paper we present the principle of FET and the genesis of the measuring system.
20
Content available remote Zastosowanie dielektryków high-k w przyrządach mocy wytwarzanych w technologii węglika krzemu
Król K., Sochacki M., Kwietniewski N., Gierałtowska S., Wachnicki Ł.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2017
|
R. 93, nr 8
106--109
PL
W artykule omówiono zalety zastosowania warstw dielektrycznych o wysokim współczynniku przenikalności elektrycznej osadzanych techniką ALD (ang. Atomic Layer Deposition) i praktyczne aspekty ich wykorzystania w przyrządach mocy typu MOSFET wytwarzanych w technologii węglika krzemu (SiC).
EN
This article describes the benefits of high-k dielectrics’ application in silicon carbide (SiC) technology aimed for production of power MOSFETs. The importance of the finding a new dielectric material for SiC MIS structures is explained and the main application problems are disscussed. The stacked dielectric layers of Al2O3/SiO2 and ZrO2/SiO2 manufactured by atomic layer deposition technique (ALD) on 4H-SiC substrates are then investigated by means of electrical methods useful in power device technology.
first rewind previous Strona / 4 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.