Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Morphology of an ITO recombination layer deposited on a silicon wire texture for potential silicon/perovskite tandem solar cell applications

Kulesza-Matlak Grazyna, Szindler Marek, Szindler Magdalena M., Sypien Anna, Major Lukasz, Drabczyk Kazimierz

Opto-Electronics Review

|

2023

|

Vol. 31, No. 4

art. no. e148222

EN

This paper presents research on the deposition of an indium tin oxide (ITO) layer which may act as a recombination layer in a silicon/perovskite tandem solar cell. ITO was deposited by magnetron sputtering on a highly porous surface of silicon etched by the metal-assisted etching method (MAE) for texturing as nano and microwires. The homogeneity of the ITO layer and the degree of coverage of the silicon wires were assessed using electron microscopy imaging techniques. The quality of the deposited layer was specified, and problems related to both the presence of a porous substrate and the deposition method were determined. The presence of a characteristic structure of the deposited ITO layer resembling a "match" in shape was demonstrated. Due to the specificity of the porous layer of silicon wires, the ITO layer should not exceed 80 nm. Additionally, to avoid differences in ITO thickness at the top and base of the silicon wire, the layer should be no thicker than 40 nm for the given deposition parameters.

2

LCD panels bioleaching with pure and mixed culture of Acidithiobacillus

Willner Joanna, Fornalczyk Agnieszka, Saternus Mariola, Sedlakova-Kadukova Jana, Gajda Bernadeta

Physicochemical Problems of Mineral Processing

|

2022

|

Vol. 58, iss. 1

15--23

EN

The influence of pure and mixed culture of A. ferrooxidans and A. tiooxidans as well as different pulp density (1 and 2%) of LCD panels on the In and Sn bioleaching efficiency was investigated. Pulp density is one of the factors affecting the metals extraction efficiency during biological leaching. It has been shown that lower pulp density results in higher indium and tin dissolution. The A. ferrooxidans bioleaching system showed better metal extraction results than A. thiooxidans, especially for tin, indicating the special role of iron and A. ferrooxidans in tin recovery. The highest leaching rate of both indium (94.7%) and tin (98.2%) was obtained using iron and sulfur medium inoculated with mixed bacteria and a pulp density of 1% w/v.

3

Optimised magnetron sputtering method for the deposition of indium tin oxide layers

Musztyfaga-Staszuk Małgorzata, Pudiš Dušan, Socha Robert, Gawlińska-Nęcek Katarzyna, Panek Piotr

Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences

|

2021

|

Vol. 69, nr 6

art. no. e139005

EN

The article presents the method of magnetron sputtering for the deposition of conductive emitter coatings in semiconductor structures. The layers were applied to a silicon substrate. For optical investigations, borosilicate glasses were used. The obtained layers were subjected to both optical and electrical characterisation, as well as structural investigations. The layers on silicon substrates were tested with the four-point probe to find the dependence of resistivity on the layer thickness. The analysis of the elemental composition of the layer was conducted using a scanning electron microscope equipped with an EDS system. The morphology of the layers was examined with the atomic force microscope (AFM) of the scanning electron microscope (SEM) and the structures with the use of X-ray diffraction (XRD). The thickness of the manufactured layers was estimated by ellipsometry. The composition was controlled by selecting the target and the conditions of the application, i.e. the composition of the plasma atmosphere and the power of the magnetrons. Based on the obtained results, this article aims to investigate the influence of the manufacturing method and the selected process parameter on the optical properties of thin films, which should be characterised by the highest possible value of the transmission coefficient (>85–90%) and high electrical conductivity.

4

ITO layer as an optical confinement for nitride edge-emitting lasers

Kuc M., Sokół A. K., Piskorski Ł., Dems M., Wasiak M., Sarzała R. P., Czyszanowski T.

Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences

|

2020

|

Vol. 68, nr 1

147--154

EN

This paper presents the results of a numerical analysis of nitride-based edge-emitting lasers with an InGaN/GaN active region designed for continuous wave room temperature emission of green and blue light. The main goal was to investigate whether the indium thin oxide (ITO) layer can serve as an effective optical confinement improving operation of these devices. Simulations were performed with the aid of a self-consistent thermal-electrical-optical model. Results obtained for green- and blue-emitting lasers were compared. The ITO layer in the p-type cladding was found to effectively help confine the laser mode in the active regions of the devices and to decrease the threshold current density.

5

Wpływ rodzaju podłoża na wybrane właściwości cienkich warstw ITO

Strzyżewski Maciej, Wojcieszak Damian, Rogala Jacek, Pastuszek Roman

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2019

|

Vol. 60, nr 7

21--23

PL

W niniejszej pracy przedstawiono wyniki badań wpływu rodzaju podłoża na właściwości cienkich warstw ITO, takich jak chropowatość powierzchni, zwilżalność, rezystywność oraz współczynnik odbicia światła. Analizie poddano warstwy ITO o grubości 70 nm, naniesione metodą rozpylania magnetronowego na podłoża z krzemionki amorficznej (SiO₂), krzemu (Si), poliwęglanu (PC) oraz poli(tereftalanu etylenu) (PET). Badania wykazały istotny wpływ ukształtowania powierzchni podłoża na właściwości naniesionej cienkiej warstwy ITO. Uzyskana rezystywność warstw ITO wykazała różnice nawet o kilka rzędów wielkości dla zastosowanych różnych podłoży. Cienkie warstwy ITO wykazały właściwości hydrofilowe na każdym badanym podłożu, natomiast największą wartością kąta zwilżania charakteryzowała się warstwa ITO/SiO₂. Najmniejszą wartość współczynnika odbicia światła dla długości fali 550 nm wykazała warstwa tlenku indowo-cynowego na podłożu krzemowym i wynosiła ok. 3,2%.

EN

This paper presents the results of research on the influence of substrate type on the properties of ITO thin films, such as surface roughness, wettability, resistivity and light reflectance. ITO 70 nm thick coatings were deposited using magnetron sputtering to amorphous silica (SiO₂), silicon (Si), polycarbonate (PC) and polyethylene terephthalate (PET) substrates. The research showed a significant influence of the surface roughness of the substrate on the properties of the deposited ITO thin film. The obtained resistivity of ITO thin films varied even by several orders of magnitude for the various substrates used. Investigated materials showed a hydrophilic properties on each substrate, but the ITO/SiO₂ layer was characterized by the highest value of the contact angle. The lowest value of the reflectance at the wavelength of 550 nm showed the indium-tin oxide thin film deposited on the silicon substrate and was about 3.2%.

6

Review on metallic oxide nanoparticles and their application in optoelectronic devices

Sosna-Głębska Aleksandra, Szczecińska Natalia, Znajdek Katarzyna, Sibiński Maciej

Acta Innovations

|

2019

|

no. 30

5--15

EN

Among the large family of metallic oxides, there is a considerable group possessing excellent semiconducting properties. What follows, they are promising materials for applications in the field of optoelectronics and photonics. Thanks to the development of nanotechnology in the last few decades, it is now possible to manufacture a great variety of different nanostructures. By controlling their size, shape, composition and crystallinity, one can influence such properties as band gap, absorption properties, surface to volume ratio, conductivity, and, as a consequence, tune the material for the chosen application. The following article reviews the research conducted in the field of application of the metallic oxide nanoparticles, especially ZnO, TiO2 and ITO (Indium-Tin Oxide), in such branches of optoelectronics as solid-state lightning, photodetectors, solar-cells and transparent conducting layers.

7

Bioleaching of indium and tin from used LCD panels

Willner J., Fornalczyk A., Gajda B., Saternus M.

Physicochemical Problems of Mineral Processing

|

2018

|

Vol. 54, iss. 3

639--645

EN

The demand for indium is increasing every year. This metal is mainly used as indium tin oxide (ITO) in the production of transparent conductive coatings for liquid crystal displays (LCD). This paper focuses on biohydrometallurgical methods used for the recovery of indium and tin from LCD sourced from spent mobile phones. Bioleaching experiments were carried out in two different leaching media: 9K medium and H2SO4 solution, using mixed, adapted bacteria Acidothiobacillus ferrooxidans and Acidothiobacillus thiooxidans. The main aim of this study was to evaluate the potential and efficiency of indium and tin extraction in the presence of acidophilic microorganisms. Within 35 days, using 9K medium, 55.6% of indium was bioleached, whereas the chemical leaching resulted in a value of 3.4%. Leaching efficiency of tin was 90.2% on the 14th day of the experiment for the biological system (9K) and 93.4% on 21st day of control leaching.

8

Impact of selected parameters on extraction of indium from LCD screens

Stępień M., Palimąka P., Bukowska A.

Metallurgy and Foundry Engineering

|

2017

|

Vol. 43, no. 4

305--311

EN

Due to the minute availability of indium and its crucial importance to the world economy, it is necessary to find alternative sources of this metal. As a large proportion of indium production is consumed for the purpose of LCD screen manufacturing, it seems reasonable to investigate their recycling leading to the recovery of this metal. The present work investigates the impact of time, temperature, and the concentration of sulfuric acid on the effectiveness of indium extraction from milled LCD panel glass scrap originating from portable computers manufactured between 2005 and 2012. The conclusion of our research defines the optimal conditions for extraction.

PL

Ze względu na niewielkie zasoby indu i jego kluczowe znaczenie dla gospodarki światowej konieczne jest poszukiwanie alternatywnych zasobów tego metalu. Ponieważ ind wykorzystywany jest głównie w produkcji ekranów w technologii LCD, racjonalny wydaje się ich recykling w kierunku odzysku tego pierwiastka. W niniejszej pracy zbadano wpływ czasu, temperatury oraz stężenia kwasu siarkowego na efektywność ługowania indu ze zmielonej frakcji szklanej paneli LCD pochodzących z komputerów przenośnych z lat 2005–2012. W wyniku badań określono optymalne warunki ługowania.

9

Hydrometallurgical methods of indium recovery from obsolete LCD and LED panels

Kristofova P., Rudnik E., Miskufova A.

Metallurgy and Foundry Engineering

|

2016

|

Vol. 42, no. 3

157--170

EN

This paper shows a review of literature data on the possibilities of indium recovery from ITO layers of waste LCD and LED displays. A short characterization of indium, its compounds, resources, production, and applications is presented. The structure and operation of LCD displays are shown. A detailed overview of the ITO leaching process is presented. Methods of indium(III) ion separation from the leachate solutions (SX, HoLLE, IX) as well as recovery of the final products (precipitation, cementation, electrowinning) are also shown.

PL

Artykuł przedstawia przegląd literatury na temat odzysku indu z warstw ITO w zużytych panelach LCD i LED. Przedstawiono krótką charakterystykę indu, jego związków chemicznych, zasobów, produkcji i zastosowań. Omówiono budowę i zasadę działania paneli LCD. W sposób szczegółowy opisano proces ługowania ITO. Przedyskutowano także metody rozdziału jonów indu(III) z roztworów po ługowaniu (SX, HoLLE, IX) oraz odzysku produktów końcowych (strącanie, cementacja, elektroliza).

10

Wpływ parametrów fizycznych warstwy ITO na pracę azotkowych laserów typu VCSEL

Śpiewak P., Wasiak M., Dłużniewski M., Staryga E., Sarzała R. P.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2016

|

Vol. 57, nr 9

47--50

PL

W pracy przedstawiono wyniki modelowania półprzewodnikowego lasera o emisji powierzchniowej z pionową wnęką rezonansową wykonanego z materiałów azotkowych. Jednym z kluczowych elementów tych konstrukcji jest warstwa ITO (ang. Indium Tin Oxide) charakteryzująca się wysoką przewodnością elektryczną, ale jednocześnie wysoką absorpcją. Warstwa ta zapewnia odpowiedni rozpływ prądu w strukturze. W pracy przedstawiono wpływ zmian wartości przewodności elektrycznej i absorpcji warstwy ITO na pracę lasera VCSEL. Analizę przeprowadzono dla struktur różniących się długościami rezonatora i aperturami elektrycznymi.

EN

This paper presents results of numerical calculations of a semiconductor vertical-cavity surface-emitting laser, made of nitride materials. An important element of the structure is a ITO layer, of a high electrical conductivity, but also high absorption. This layer causes a favourable current spreading in the structure. In this paper the impact of the electrical conductivity and absorption in ITO on the VCSEL performance is described for lasers with different electrical apertures and resonator lengths.

11

Trawienie plazmowe i ultradźwiękowe warstw tlenku indowocynowego (ITO) – Cz. I. Właściwości powierzchni warstw ITO

Araźna A., Lipiec K., Stęplewski W.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2015

|

R. 91, nr 9

220-223

PL

W pracy badano właściwości powierzchni warstw ITO poddanych trawieniu w ultradźwiękach oraz trawieniu plazmowemu. Określano kąt zwilżania powierzchni próbek, obliczano energię powierzchniową oraz chropowatość powierzchni. Zastosowano mycie w płuczce ultradźwiękowej w sekwencji roztworów aceton/alkohol etylowy (w temperaturze pokojowej) oraz czyszczenie plazmowe (O-GDT – ang.: oxygen glow discharge) pod ciśnieniem 0,1 × 10-3 Ba. Stwierdzono, że trawienie plazmowe pozwala uzyskać wyższą wartość energii powierzchniowej (66,7 mJ/m2), niższą wartość chropowatości Rpv (1,219 nm) i większe zmniejszenie wartości kąta zwilżania powierzchni ITO niż czyszczenie w ultradźwiękach.

EN

In this study, the effect of different surface treatment methods of ITO layers on their surface properties were investigated by measurements of contact angle, surface free energy and surface roughness. There were used washing in an ultrasonic bath of acetone and ethyl alcohol in the room temperature as well as oxygen glow discharge (O-GDT) under the pressure 0.1 × 10–3 Ba. We stated that oxygen glow discharge method brings higher surface energy (66.7 mJ/m2), lower value of Rpv roughness (1.219 nm), and reduction in the values of contact angles of ITO substrates than ultrasonic than ultrasonic cleaning.

12

Trawienie plazmowe i ultradźwiękowe warstw tlenku indowo - cynowego (ITO) - Cz. II. Właściwości elektryczne diod OLED

Janeczek K., Araźna A., Futera K.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2015

|

R. 91, nr 9

224-225

PL

W pracy badano wpływ właściwości powierzchni warstw ITO trawionych w ultradźwiękach lub z wykorzystaniem tlenowego wyładowania jarzeniowego na właściwości elektryczne diod OLED. Analizując wyniki badań stwierdzono, że chropowatość powierzchni warstw ITO ma istotny wpływ na wartości gęstości prądu próbek diod OLED, a poza tym, że czyszczenie powierzchni z zastosowaniem tlenowego wyładowania jarzeniowego może być uznane za skuteczną metodę trawienia warstw ITO, wykorzystywanych jako anoda diod OLED.

EN

In this study, the influence of surface properties of ITO layers treated in ultrasonic or with using oxygen glow discharge on electrical properties of OLED samples was investigated. Experimental results showed that the electrical properties of OLED samples are closely related to the surface roughness of ITO layers and furthermore that the oxygen glow discharge surface treatment can be considered as an effective method for treated of ITO layers used as an anode of OLEDs.

13

Analiza właściwości wybranych warstw typu TCO jako optycznych luster podczerwieni

Domaradzki J., Kaczmarek D., Wojcieszak D, Mazur M., Poniedziałek A., Głodek S.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2015

|

R. 91, nr 9

20-23

PL

Cienkie warstwy przezroczystych tlenków przewodzących (TCO) oraz półprzewodnikowych (TOS) stanowią dobrze już znaną grupę materiałów o unikatowych właściwościach. Łączą one bardzo dobrą przezroczystość dla światła w zakresie widzialnym promieniowania optycznego z jednoczesnym dobrym przewodnictwem elektrycznym. Do najbardziej znaczących materiałów tego typu należą takie tlenki, jak SnO2, In2O3, ZnO. Niniejsza praca zawiera dyskusję oraz wyniki modelowania komputerowego, dotyczącego zastosowania przykładowych warstw TCO jako optycznych luster cieplnych. Przedyskutowano wpływ na położenie krawędzi absorpcji w zakresie podczerwieni takich czynników, jak koncentracja nośników swobodnych oraz grubość warstwy. Modelowanie komputerowe wykonano wykorzystując charakterystyki dyspersji zespolonego współczynnika załamania światła otrzymane dla warstw In2O3-SnO2 naniesionych metodą rozpylania magnetronowego.

EN

Transparent oxide conducting (TCO) and semiconducting (TOS) thin films are already well known group of unique materials with high transparency for light in the visible part of optical radiation and simultaneously sufficiently well electrical conduction. To the leading group of such materials belong such oxides like SnO2, In2O3, ZnO. TCO thin films with n-type of electrical conduction are commonly used in the construction of transparent electrodes in many, especially portable electronics devices. However, increasing of electrical conduction in TCO or TOS thin films is usually possible by an increase in free charge carriers concentration in such thin films that results in the appearance of reduced light transmission in the infrared region of electromagnetic waves. The present work consists discussion and results of computer designing and on application of exemplary TCO thin films as optical heat mirrors. Computer simulations were performed using complex refractive index dispersion data elaborated for In2O3-SnO2 deposited by magnetron sputtering method.

14

Business process outsourcing - how to gain an advantage in a competitive environment? The case of Lublin

Bednarzewska K.

Organizacja i Zarządzanie : kwartalnik naukowy

|

2015

|

nr 3

5--22

EN

The BPO sector has been developing for nearly 40 years throughout the world. The trend was started by a small group of American companies and is currently practiced worldwide by a wide range of firms. The purpose of this article is to present the investment attractiveness of Lublin on the background of Poland’s ITO and BPO projects. For the implementation this objective a method for statistical data analysis and a descriptive method have been adopted. Before the article was written a hypothesis was put forward that the competitiveness of the location of BPO/ITO is determined by the investment climate: the availability of office space, competitive prices for rent, human capital, and support for investors by the local government. The article presents the attractiveness of the investment potential of Lublin based on past Polish ITO and BPO projects. The advantages of Lublin is its wide availability of well-educated workers, more than 20 thousand graduates per year, the low risk of employee turnover compared to other cities, the rapidly growing market of office space, the synergy of science and business, and the Lublin Airport and its growing number of direct flights to other European destinations. This article presents the case study.

PL

Sektor BPO rozwija się na świecie już od prawie 40 lat. Trend ten został zapoczątkowany przez niewielką grupę korporacji amerykańskich i obecnie jest praktykowany przez szerokie grono firm na całym świecie. Celem artykułu jest prezentacja atrakcyjności inwestycyjnej Lublina na tle Polski dla projektów ITO i BPO. Do realizacji postawionego celu została przyjęta metoda analizy danych statystycznych i metoda opisowa. Przed artykułem została postawiona hipoteza, iż konkurencyjność lokalizacji sektora BPO/ITO determinuje klimat inwestycyjny: dostępność powierzchni biurowych, konkurencyjne ceny wynajmu, kapitał ludzki, wsparcie inwestorów przez władze lokalne. Przewagą Lublina jest szeroka dostępność dobrze wykształconych pracowników, powyżej20 tys. absolwentów rocznie, niskie ryzyko rotacji pracowników w porównaniu do innych miast, szybko rozwijający się rynek powierzchni biurowych, obecność synergii nauki i biznesu oraz Port Lotniczy Lublin z rosnącą liczbą lotów bezpośrednich do innych destynacji w Europie. Artykuł stanowi studium przypadku.

15

Właściwości elektryczne organicznych diod elektroluminescencyjnych wytwarzanych w atmosferze gazu obojętnego

Araźna A., Janeczek K., Lipiec K., Futera K., Stęplewski W., Gromek J

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2015

|

Vol. 56, nr 11

19-21

PL

W artykule przedstawiono wyniki badań właściwości elektrycznych organicznych diod elektroluminescencyjnych (OLED), wytwarzanych w atmosferze gazu obojętnego. Przygotowywane próbki miały następującą budowę: podłoże szklane/ITO/PEDOT:PSS/ADS233YE/aluminium. Dla części próbek zastosowano hermetyzację katody aluminiowej przy użyciu żywicy utwardzanej promieniowaniem UV. Uzyskane wyniki pokazały, że gęstość prądu dla diod wykonanych w atmosferze argonu była średnio o połowę mniejsza w porównaniu do diod wytworzonych w warunkach otoczenia. Poza tym analiza działania przygotowanych diod OLED wykazała, że zastosowanie hermetyzacji katody w próbkach wykonanych w atmosferze gazu obojętnego doprowadziło do zmniejszenia procentowego stosunku powierzchni świecenia diod w odniesieniu do powierzchni ich warstwy katody.

EN

In this paper, electrical properties of organic light-emitting diodes (OLED) fabricated in inert gas atmosphere were reported. The prepared samples had a following structure: glass substrate/ ITO/PEDOT: PSS/ADS233YE/aluminum. For a part of the samples aluminum cathode was encapsulated with using an UV cured resin. Achieved results showed that a current density for the diodes fabricated in argon atmosphere was average half lower compared to the diodes prepared in ambient conditions. Further, the analysis of the OLED performance exhibited that the use of cathode encapsulation for the samples produced in inert gas atmosphere led to decrease in a percentage ratio of a diode lighting area in comparison to the area of their cathode.

16

Preparation of ITO films using a spray pyrolysis solution containing an acetylacetone chelating agent

Gao Y., Zhao G., Duan Z., Ren Y.

Materials Science Poland

|

2014

|

Vol. 32, No. 1

66--70

EN

Indium tin oxide (ITO) films were deposited on soda-lime glass substrates by the spray pyrolysis method using a spray solution of InCl33H2O as a precursor, SnCl45H2O as a dopant and acetylacetone (AcAcH) as a chelating agent. The effect of the addition of AcAcH to the spray solution on the surface morphology of the ITO film was investigated. The surface quality of the film prepared from the spray solution with AcAcH was better than that without AcAcH. The ITO film with the thickness of 230 nm, using the spray solution with AcAcH, exhibited the lowest resistivity of 4.75 × 10􀀀4 Wcm and higher optical transmittance of 85 %, respectively.

17

Wstępne próby starzeniowe organicznych diod elektroluminescencyjnych

Araźna A., Stęplewski W., Janeczek K., Kozioł G., Gromek J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2013

|

Vol. 54, nr 9

84-86

PL

W pracy określano wpływ zmiennych warunków temperatury i wilgotności powietrza na stabilność diod OLED wykonanych w warunkach otoczenia. Badano próbki z trzema rodzajami związku emitującego światło oznaczonymi jako ADS5, ADS8 i MEH-PPV. Próbki ze związkami ADS5 i ADS8 przechowywano w warunkach obniżonej wilgotności powietrza, natomiast próbki ze związkiem MEH-PPV w zmiennych warunkach temperatury i wilgotności powietrza. Wyznaczano charakterystyki prądowo-napięciowe próbek bezpośrednio po wykonaniu i po testach starzeniowych w zakresie napięcia od 0 V do 20 V. Dla próbek ze związkami ADS5 i ADS8 odnotowano zmniejszenie wartości gęstości prądowej średnio o około 42% w porównaniu z wartością początkową (przy napięciu 15 V) po około 2700...3000 godzinach. Natomiast dla próbek ze związkiem MEH-PPV po 100 h przechowywania w komorze klimatycznej obserwowano zmniejszenie wartości gęstości prądowej o około 92% w porównaniu z wartością początkową.

EN

In the work the influence of environmental conditions on the stability of OLED samples mede in ambient condition was determined. The samples with three kinds of emitting layer (named as ADS5, ADS8 and MEH- PPV) were examined. The samples with ADS5 and ADS8 were stored in the lowered humidity of air conditions. However, the samples with MEH-PPV were ageing in climatic chamber. The characteristics curren- voltage for fresh and ageing samples in the range of voltage from 0 V to 20 V were made. They stated, that irrespective of the manner of storage, samples were undergoing the degradation. The decrease in value of the current density was registered. That was about 42% after 2700 -3000 hours (at tension 15 V) for the samples with ADS5 and ADS8, and about 92% after 100 hours for the samples stored in climatic chamber (with MEH-PPV).

18

Wpływ trawienia na właściwości powierzchni tlenku indowo-cynowego (ITO)

Araźna A., Janeczek K., Kozioł G., Futera K., Stęplewski W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2013

|

Vol. 54, nr 4

82-84

PL

W pracy oceniano właściwości powierzchni warstw tlenku indowo- cynowego (ITO) poddanych różnym sposobom przygotowania podłoża. Określano wartości kąta zwilżania i swobodnej energii powierzchniowej próbek warstw ITO. Zastosowano trzy sposoby przygotowania powierzchni ITO: czyszczenie w płuczce ultradźwiękowej w acetonie i alkoholu etylowym w temperaturze otoczenia, czyszczenie w roztworze amoniakalnym w temperaturze 60°C oraz wygrzewanie w tlenowej plazmie wyładowania jarzeniowego pod ciśnieniem 0,1 x 10 ⁻³ Ba. Wyniki badań wykazały że właściwości powierzchni ITO ściśle zależą od zastosowanego sposobu przygotowania podłoża. Stwierdzono, że spośród badanych najbardziej efektownym sposobem przygotowania powierzchni ITO jest trawienie w tlenowej plazmie wyładowania jarzeniowego. Dla próbek czyszczonych tym sposobem uzyskano znaczący wzrost wartości energii powierzchniowej od 23,4 mJ/m² do 66,7 mj/m². Oznacza to, że ten sposób trawienia był najbardziej efektywny spośród badanych i czynił powierzchnię warstw ITO najbardziej hydrofilową.

EN

In this work, a study of the surface properties of treated indium tin oxide (ITO) substrates was made. The surface characteristics of ITO thin films are investigated by contact angle and surface free energy (SFE) measurements. We used three differenf cleaning treatments among others: washing in an ultrasonic bath of acetone and ethyl alcohol (R1) in room temperature, dipping into alkaline solution at 60°C as well as oxygen glow discharge under pressure 0.1x10⁻³ Ba. Experimental results show that the ITO surface properties are closely related to the treatment methods. We stated that the most efficient cleaning treatment was oxygen glow discharge. This way of treatment yields the highest surface energy (66.7 mJ/ m2) and brings about the maximum reduction in contact angles of ITO substrates. It means that this manner of the etching was most effective and made the most hydrophilic surface of ITO layers.

19

Porównanie pomiarów chropowatości tlenku indowo-cynowego (ITO) mikroskopem sił atomowych i profilometrem optycznym

Janeczek K., Araźna A., Futera K., Kozioł G., Stęplewski W., Lipiec K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2013

|

Vol. 54, nr 4

84-86

PL

Warstwa tlenku indowo-cynowego (ITO) naniesiona na podłoże giętkie lub sztywne znajduje obecnie zastosowanie do wytwarzania organicznych diod elektroluminescencyjnych (OLED) lub organicznych ogniw fotowoltaicznych (OPV). Zazwyczaj przed nałożeniem warstw funkcjonalnych wykonywanej struktury, ITO jest poddawane czyszczeniu. W artykule opisano wyniki badań chropowatości warstwy ITO metodą mikroskopii sił atomowych i profilometrii optycznej. Badane próbki przed pomiarami poddano czyszczeniu alkalicznemu lub czyszczeniu w acetonie i alkoholu etylowym lub alkoholu izopropylowym. Niezależnie od zastosowanej techniki pomiarowej wszystkie metody przygotowania powierzchni ITO powodowały wzrost jej chropowatości w stosunku do próbki w stanie dostawy. Stwierdzono również, że wartości chropowatości zmierzonej profilometrem optycznym były wyższe niż uzyskane mikroskopem sił atomowych.

EN

Indium tin oxide (ITO) layers evaporated on elastic or rigid substrates are currently used for manufacturing organic light-emitting diodes (OLED) or organie photovoltaic cells (OPV). Before functional layers of a fabricated device are deposited on ITO substrate its surface is usually cleaned. In this paper, the results of ITO layer roughness measurements by atomic force microscopy and optical profiler are reported. The specimens were treated with alkaline cleaning or ultrasonic degreasing in acetone and ethyl or isopropyl alcohol. Irrespective of measurement technigue all treatment methods lead to increase of ITO surface roughness when compared to the untreated sample. It was affirmed that the values of ITO roughness measured with optical profilometry were higher than measured with atomic force microscopy.

20

Pomiary właściwości elektrycznych polimerowych diod elektroluminescencyjnych

Stęplewski W., Kozioł G., Araźna A., Janeczek K., Futera K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2013

|

Vol. 54, nr 4

126-129

PL

W artykule opisano wyniki badań polimerowych diod elektroluminescencyjnych dotyczące doboru związku emitującego światło, badań starzeniowych i badań procesu hermetyzacji. W badaniach wykorzystano pomiary elektryczne do wyznaczania przebiegu charakterystyk prądowo-napięciowych i gęstości prądu w celu testowania jakości i trwałości wytworzonych struktur diod.

EN

In this paper, the results of studies on polymer light emitting diodes, such as emitting compound selection, aging tests and encapsulation process, were described. Electrical measurements were mainly used to determine current-voltage characteristics and current density what makes possible to test quality and life time of the prepared OLED structures.