PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 4

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  GaN transistor
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Modularny przekształtnik wielopoziomowy z wykorzystaniem półprzewodników z azotku galu
Straś Andrzej, Jackiewicz Krzysztof, Miazga Tomasz, Bałkowiec Tomasz, Gierczyński Michał, Kaszewski Arkadiusz
Przegląd Elektrotechniczny
|
2019
|
R. 95, nr 10
169--172
PL
W artykule opisano zagadnieniami związane z Modularnym Przekształtnikiem Wielopoziomowym wykonanym z wykorzystaniem tranzystorów HEMT z azotku galu (GaN). Przedstawiony został projekt obwodu silnoprądowego urządzenia oraz wymagania stawiane układowi sterowania. W publikacji przedstawiono również opis elektronicznej platformy sterującej dla przekształtnika.
EN
The article describes issues related to the Modular Multilevel Converter made with the use of gallium nitride (GaN) HEMT transistors. The design of the power circuit of the device and the requirements for the control system are presented. The publication also presents the description of the electronic control platform designed to control the converter.
2
Content available remote Rezonansowy wzmacniacz klasy E z tranzystorem GaN - wybrane praktyczne aspekty
Mikołajewski M.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2018
|
R. 94, nr 11
80--83
PL
W referacie przedstawiono obliczenia projektowe oraz rezultaty pomiarów dla rezonansowego wzmacniacza klasy E z tranzystorem GaN GS61008P. Dla zbudowanego układu o nominalnych parametrach: moc wyjściowa POnom= 100 W, częstotliwość fpnom= 13,56 MHz, napięcie zasilania EZnom= 24 V opracowano efektywny bramkowy układ sterujący o minimalnej mocy zasilania PZDR = 0,22 W. W pracy zbadano wpływ sposobu sterowania kluczem tranzystorowym na sprawność energetyczną wzmacniacza przy częstotliwościowej (FM) regulacji mocy wyjsciowej. Ponadto, wskazno na konieczność zabezpieczenia tranzystora GaN przed uszkodzeniem na wypadek zaniku bramkowego sygnału sterującego w układach zasilanych dławikowo.
EN
In the paper a design project and measurement results for a resonant Class E amplifier with a GaN GS61008P transistor have been presented. The designed and built amplifier operated at the frequency fnom= 13.56 MHz with output power POnom= 100 W from suppy voltage EZnom= 24 V, and minimum supply power of its gate driver was only PZDR= 0.22 W. Frequency control of the amplifier h.f. output power and the amplifer efficiency were tested for various methods of the transistor driving. Moreover, it was proved that GaN transistors require overvoltage protection circuits if applied to h.f. amplifiers with a supply choke.
3
Content available remote Broadband power electronics controlled voltage source with output stage based on GaN transistors
Gwóźdź M.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2018
|
R. 94, nr 5
70--73
EN
The work presents the power electronics controlled voltage source (VCVS) with a modified sigma-delta modulator (SDM) in the control section. The modulator includes an analog comparator with dynamic hysteresis instead of a latched comparator, being typically used in single-bit SDMs. Thank to this feature a resolution of the SDM output signal is, theoretically, unlimited. Due to very high frequency of the SDM output bit stream in the power stage of VCVS the GaN transistors are used. Planned field of application of the converter is an Automated Test Equipment (ATE). In the work the converter’s operation basics and selected results of its simulation model studies are presented.
PL
W pracy zaprezentowano energoelektroniczne sterowane źródło napięcia ze zmodyfikowanym modulatorem sigma-delta w bloku sterowania. Modulator zawiera komparator z dynamiczną pętlą histerezy zamiast, typowo stosowanego, komparatora „zatrzaskowego”. Dzięki temu rozdzielczość sygnału wyjściowego modulatora jest, teoretycznie, nieskończona. Z powodu znacznej wartości częstotliwości strumienia bitowego na wyjściu modulatora, w bloku wykonawczym użyto tranzystorów GaN. Planowanym polem zastosowań źródła napięcia jest sprzęt do testowania urządzeń elektrycznych dużej mocy. W pracy przedstawiono zasadę działania źródła oraz przedstawiono wybrane wyniki badań jego modelu symulacyjnego.
4
Content available Broadband power electronics controlled current source with analogue control section and output stage based on GaN transistors
Gwóźdź M.
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
|
2017
|
No. 91
55--61
EN
The paper presents the conception of the power electronics controlled current source based on the sigma–delta modulator (SDM). Due to very high frequency of the SDM output bit stream, in the power stage of inverter the gallium-nitride (GaN) transistors are used. In these circumstances even efficient DSPs are unable, due to limitation of its pass–band of the control path, to obtain right parameters of the output current regulator. So, the regulator is done in the fully analogue manner. As result of these the value of distortions of the inverter output current is much lower, compared to the typical, PWM based, solutions. This benefit is not paid significantly by increase in the system complexity. In work the converter operation basics and results of its simulation model studies are presented.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.