Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: Focused Ion Beam

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

X-ray photoelectron study of ion implanted tetrahedral Ccarbon

Tsvetkova T., Berova M., Sandulov M., Avramova I., Boettger R., Bischoff L.

Przegląd Elektrotechniczny

2016

R. 92, nr 8

59--61

Samples of thin film (d~40nm) tetrahedral amorphous carbon (ta-C), deposited by filtered cathodic vacuum arc (FCVA), have been implanted with N+ and Ga+ at ion energy E = 20 keV and ion fluences D = 3.1014÷3.1015 cm-2. This results in optical properties modification, best manifested by a significant shift of the optical absorption edge to lower photon energies, which is accompanied by a considerable increase of the absorption coefficient (photo-darkening effect) in the measured photon energy range (0.5÷3.0 eV). These effects could be attributed both to additional defect introduction and increased graphitization, as confirmed by X-ray photo-electron spectroscopy (XPS) measurements. The nonimplanted films show the expected variety of carbon-carbon chemical bonds: three- and fourfold coordinated carbon, while the X-ray results show that ion implantation leads to the introduction of additional disorder in the films. The X-ray photoelectron spectra of the implanted films show that, in addition to the already mentioned changes, the ion bombardment results in an increase of the threefold coordinated as compared to the fourfold coordinated carbon bonds, i.e. increased graphitization of the carbon content in the films. These structural modifications, due to the ion implantation, are the reasons for the observed changes in the optical properties of the films, which could be made use of in the area of high-density optical data storage using focused Ga+ ion beams.

Próbki cienkiej folii (d~40nm) tetraedrycznego amorficznego węgla (ta-C), napylanego za pomocą przefiltrowanego katodowego łuku próżniowego (FCVA), zaimplantowano N+ oraz Ga+ z energią jonów E = 20 keV oraz dawkami jonowymi D = 3.1014÷3.1015 cm-2. Skutkuje to zmianą właściwości optycznych, szczególnie znacznym przesunięciem optycznej krawędzi absorpcji do poziomu niższych energii fotonów, czemu towarzyszy znaczny wzrost wartości współczynnika absorpcji (efekt foto-zaciemnienia) dla zakresu energii fotonów (0.5÷3.0 eV). Efekty te mogą być przypisane zarówno do wprowadzania dodatkowych defektów jak i zwiększonej grafityzacji, co potwierdzono metodą rentgenowskiej spektroskopii foto-elektronowej (XPS). Folie nieimplantowane demonstrują oczekiwaną różnorodność wiązań chemicznych węgiel-węgiel: trzy I czterokrotnie skoordynowanego węgla, podczas gdy wyniki badań rentgenowskich wykazali, że implantacja jonowa prowadzi do wprowadzenia dodatkowych zaburzeń w foliach. Rentgenowskie widma fotoelektronowe implantowanych folii wykazują, że dodatkowo do wcześniej wspominanych zmian dochodzi wzrost trzykrotnie skoordynowanej krawędzi w wyniku bombardowania jonowego w porównaniu do czterokrotnie skoordynowanej krawędzi węgla, oznacza to wzrost grafityzacji zawartości węgla w foliach. Takie zmiany strukturowe, ze względu na implantację jonową, są rezultatem obserwowanych zmian właściwości optycznych próbek, które mogłyby być wykorzystywane do optycznego przechowywania danych za pomocą skupionych wiązek jonowych Ga+.

FIB/SEM technology in NEMS/MEMS fabrication and investigation

Kunicki P., Kowalski Z. W., Gotszalk T.

Przegląd Elektrotechniczny

2016

R. 92, nr 8

21--24

FEI Helios NanoLab 600i microscope with Kleindiek MM3A-EM micromanipulators, controlled by microscope PC connected to Keithley 2400 Source Meter, has been used in our experiments. Due to limited space only several examples of FIB/SEM processes that have been conducted are presented here. They proof the great advantage of this technology in modifying single structures in short time.

Mikroskop FEI Helios600i wraz z mikromanipulatorami Kleindiek MM3A-EM oraz urządzenie Keithley 2400 zostały użyte w naszych eksperymentach. Z powodu ograniczonego miejsca przedstawiono jedynie kilka przykładów procesów z wykorzystaniem technologii FIB/SEM. Największą zaletą tej technologii jest możliwość modyfikacji pojedynczej struktury w krótkim czasie.

Wykorzystanie wiązki jonów Ga+ do wycinania preparatów do obserwacji w mikroskopie transmisyjnym

Morgiel J., Major Ł., Grzonka J., Wojewoda J., Pomorska M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2007

Vol. 48, nr 10

46-49

Przedstawiono podstawowe aspekty przygotowania preparatów do obserwacji w mikroskopie transmisyjnym drogą cięcia wiązką jonów Ga+, tzw. FIB (Focused Ion Beam). Preparaty wycinano na urządzeniu FEI typu Quanta 3D wyposażonym w mikromanipulator Omniprobe. Omówiono pozyskiwanie preparatu, określane jako H-bar, oraz przy wykorzystaniu mikromanipulatora, tj. pobranie preparatu w komorze urządzenia określane jako in-situ. Wykorzystanie drugiego sposobu pozwala na większą elastyczność prowadzenia obserwacji, tj. umożliwia pochylanie preparatu w większym zakresie kątów oraz sprzyja wysokiej precyzji pomiarów mikroanalizy składu chemicznego. Ta nowa w skali światowej i dopiero wprowadzana w Polsce technika przełamująca wiele barier w preparatyce cienkich folii powinna znacznie rozszerzyć zastosowanie mikroskopii transmisyjnej w badaniach materiałowych.

The two most common approaches of thin foils preparation using Ga+ Focused Ion Beam type Quanta 3B by FEI company is presented. The first one frequently called the H-bar relies on mechanical thinning and final removal of material leaving a kind of a window transparent to electron beam at the sample side. The second, called in-situ is realized by cutting fine slab of a material of a size approximately of 25x10x1 um, picking it with Omniprobe micro-manipulators, fixing to copper grid and finally thinned down to electron transparency. The second procedure allows far more flexibility during transmission electron microscopy observations, i.e. larger tilt angles and raises precision of local chemical measurements. These new techniques of sample preparations help in extending transmission electron microscopy characterization to materials which due to technical problems were not available up to now.