PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 6

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  DC characteristics
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available Influence of Thermal Phenomena on dc Characteristics of the IGBT
Górecki P., Górecki K.
International Journal of Electronics and Telecommunications
|
2018
|
Vol. 64, No. 1
71--76
EN
The paper concerns the study of the effect of thermal phenomena on characteristics of the IGBT. The used measurement set-ups and the results of measurements of dc characteristics of the selected transistor obtained under different cooling conditions are presented. The influence of the ambient temperature and the applied cooling system on the shape of these characteristics is discussed. In particular, attention has been paid to the untypical shape of non-isothermal characteristics of this element in the subthreshold range.
2
Charakterystyki statyczne i parametry tranzystorów MOSFET mocy z krzemu i z węglika krzemu
Górecki K., Zarębski J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2012
|
Vol. 53, nr 9
94-97
PL
W pracy przedstawiono charakterystyki statyczne wysokonapięciowych tranzystorów MOSFET mocy wykonanych z krzemu i z węglika krzemu. Przedyskutowano przebieg tych charakterystyk oraz przeanalizowano wpływ materiału, z którego wykonano tranzystor, na jego właściwości statyczne. Wskazano sytuacje, w których korzystniejsze jest stosowanie elementów wykonanych z węglika krzemu.
EN
In this paper, dc characteristics of high-voltage power MOSFETs fabricated from silicon and silicon carbide are presented. The influence of semiconductor materials on transistors properties are discussed. The situations, in which superiority of silicon carbide transistors is visible, are shown.
3
Charakterystyki DC tranzystorów MOSFET SiC oraz Si pracujących w obszarze silnego przewodzenia, w szerokim zakresie temperatur
Hapka A., Janke W., Kraśniewski J., Oleksy M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2012
|
Vol. 53, nr 9
98-101
PL
W artykule przedstawiono wyniki pomiarów charakterystyk izotermicznych i nieizotermicznych tranzystorów MOSFET z węglika krzemu oraz krzemowych, o podobnych parametrach dopuszczalnych. Określono wpływ temperatury na rezystancję R DS(on) oraz przeanalizowano jej wpływ na charakterystyki nieizotermiczne tranzystorów.
EN
In the paper, the measurements of isothetmal and nonisothermal characteristics of silicon and silicon carbide power MOSFETs are presented. The influence of the temperature on the ON-state resistance and, as a consequence - on the nonisothermal characteristics has been specified.
4
Content available remote Wpływ warunków pracy na charakterystyki statyczne diod MPS z węglika krzemu
Hapka A., Janke W.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2011
|
R. 87, nr 10
152-154
PL
W pracy omówiono wpływ warunków zasilania na charakterystyki prądowo-napięciowe diod Schottky’ego z węglika krzemu, z dodatkowym złączem PiN (Merged PiN Schottky). Zaprezentowano symulacje nieizotermicznych charakterystyk I-V przykładowej diody MPS, w których uwzględniono wpływ temperatury otoczenia na parametry krytyczne, takie jak prąd, moc oraz temperatura wnętrza, dla których element narażony jest na zniszczenie. W symulacjach uwzględniono wpływ temperatury otoczenia i wnętrza na rezystancję termiczną elementu.
EN
In the paper, the influence of operation conditons, especially ambient temperature, on the nonisothermal current-voltage characteristics of the silicon carbide Merged PiN Schottky diodes is disscussed. The investigations are mainly devoted to the dangerous regions of the DC, I-V characteristics. The simulations of the nonisothermal characteristics, with the critical parameters such as current, power and junction temperature, depending on the ambient temperature are presented. Also, the influence of the ambient and junction temperature on the thermal resistance has been included.
5
Symulacja charakterystyk diod Schottky'ego z węglika krzemu z uwzględnieniem efektów termicznych
Hapka A., Janke W.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2009
|
Vol. 50, nr 10
92-95
PL
W pracy badane są charakterystyki DC diod Schottky'ego z węglika krzemu. Charakterystyki izotermiczne, obliczone w oparciu o model dla PSPICE dostarczany przez Cree porównano z charakterystykami zmierzonymi, zamieszczonymi w notach aplikacyjnych Cree. Uwzględniono zależność rezystancji szeregowej elementów od temperatury, niekompletny model PSPICE od producenta uzupełniono o odpowiednie współczynniki. W pracy zamieszczono również charakterystyki DC z uwzględnionym efektem samonagrzewania. Charakterystyki te otrzymano po zastosowaniu nowego modelu.
EN
In the paper, the DC characteristics of SiC Schottky diodes are considered. Isothermal characteristics, obtained with the use of PSPICE model, developed by Cree are compared with the real characteristics. measured by Cree. The dependence of the diode series resistance on the temperature is taken into account, and the adequate coefficients are placed into the incomplete Cree model for PSPICE. The DC characteristics with the self - heating included are also presented in this paper. Mentioned characteristics are obtained with the use of a new, compact model for PSPICE.
6
Wpływ zjawiska samonagrzewania na charakterystyki statyczne tranzystorów TrenchMOS
Górecki K., Zarębski J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2008
|
Vol. 49, nr 10
78-80
PL
W pracy przedstawiono i przedyskutowano zmierzone przez autorów izotermiczne i nieizotermiczne charakterystyki statyczne tranzystora TrenchMOS. Przedyskutowano wpływ samonagrzewania na przebieg tych charakterystyk oraz skomentowano różnice między tymi charakterystykami a charakterystykami katalogowymi.
EN
In this paper the measured by the authors DC characteristics of TrenchMOS transistors are presented and discussed. The influence of selfheating on these characteristics is shown and the differences between the measured and catalogue characteristics are commented.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.