Effect of annealing on the structural properties of arsenic-implanted mercury cadmium telluride film grown by molecular beam epitaxy was studied with the use of transmission electron microscopy and optical reflection. Strong influence of the graded-gap surface layer grown on top of the film on the behaviour of implantation-induced defects under arsenic activation annealing was revealed and interpreted.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.