Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2 2019

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Wpływ rodzaju podłoża na wybrane właściwości cienkich warstw ITO

Strzyżewski Maciej, Wojcieszak Damian, Rogala Jacek, Pastuszek Roman

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2019

Vol. 60, nr 7

21--23

W niniejszej pracy przedstawiono wyniki badań wpływu rodzaju podłoża na właściwości cienkich warstw ITO, takich jak chropowatość powierzchni, zwilżalność, rezystywność oraz współczynnik odbicia światła. Analizie poddano warstwy ITO o grubości 70 nm, naniesione metodą rozpylania magnetronowego na podłoża z krzemionki amorficznej (SiO₂), krzemu (Si), poliwęglanu (PC) oraz poli(tereftalanu etylenu) (PET). Badania wykazały istotny wpływ ukształtowania powierzchni podłoża na właściwości naniesionej cienkiej warstwy ITO. Uzyskana rezystywność warstw ITO wykazała różnice nawet o kilka rzędów wielkości dla zastosowanych różnych podłoży. Cienkie warstwy ITO wykazały właściwości hydrofilowe na każdym badanym podłożu, natomiast największą wartością kąta zwilżania charakteryzowała się warstwa ITO/SiO₂. Najmniejszą wartość współczynnika odbicia światła dla długości fali 550 nm wykazała warstwa tlenku indowo-cynowego na podłożu krzemowym i wynosiła ok. 3,2%.

This paper presents the results of research on the influence of substrate type on the properties of ITO thin films, such as surface roughness, wettability, resistivity and light reflectance. ITO 70 nm thick coatings were deposited using magnetron sputtering to amorphous silica (SiO₂), silicon (Si), polycarbonate (PC) and polyethylene terephthalate (PET) substrates. The research showed a significant influence of the surface roughness of the substrate on the properties of the deposited ITO thin film. The obtained resistivity of ITO thin films varied even by several orders of magnitude for the various substrates used. Investigated materials showed a hydrophilic properties on each substrate, but the ITO/SiO₂ layer was characterized by the highest value of the contact angle. The lowest value of the reflectance at the wavelength of 550 nm showed the indium-tin oxide thin film deposited on the silicon substrate and was about 3.2%.

Analiza efektu przełączania rezystancji w strukturach cienkowarstwowych z różnym profilem składu materiałowego

Kotwica Tomasz, Domaradzki Jarosław, Kaczmarek Danuta, Rogala Jacek, Strzyżewski Maciej

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2019

Vol. 60, nr 7

14--17

Niniejsza praca przedstawia wyniki badań elektrycznych oraz strukturalnych cienkich warstw (Ti-Cu)Ox wytworzonych metodą rozpylania magnetronowego z zaprogramowanym profilem rozkładu pierwiastków. Wytworzenie cienkich warstw zaplanowano tak, aby uzyskać gradientową zmianę koncentracji miedzi w funkcji grubości osadzonej warstwy o zadanym kształcie. Analiza składu materiałowego wykazała, że wytworzone warstwy posiadały podobny skład materiałowy wynoszący odpowiednio (Ti52Cu48)Ox oraz (Ti48Cu52)Ox oraz posiadały zadany kształt profilu rozkładu miedzi. Przeprowadzone analizy przekroi struktur wykonane za pomocą transmisyjnego mikroskopu elektronowego potwierdziły uzyskanie zarówno gradientu rozkładu miedzi o kształcie litery V, jak i gradientu rozkładu miedzi o kształcie litery U w całej objętości cienkiej warstwy. Badania elektryczne wykazały, że mimo podobnego składu materiałowego wytworzonych cienkich warstw, uzyskano różne przebiegi charakterystyk prądowo-napięciowych, a więc możliwe jest sterowanie typem efektu przełączania rezystancji przez zadanie określonego profilu rozkładu pierwiastków w danej strukturze.

The present paper shows the results of electrical properties along with the investigations of the structure of the (Ti-Cu)Ox thin films layers fabricated by the magnetron sputtering. Thin films were prepared in order to achieve gradient change of the cooper concentration in the function of the thickness of the deposited layers with programmed shape of elemental profiles. Analysis of the material compositions showed, that deposited films have similar material composition respectively, (Ti52Cu48)Ox and (Ti48Cu52)Ox with programmed specific shape of the elements gradient profile. Conducted analysis of the films with the help of transmission electron microscope proved the V-shape and the U-shape gradient distribution of the cooper across the thin films. Electrical measurements have shown that despite similar material composition of the fabricated thin films, different waveforms of current-voltage characteristics were obtained, leading to the statement that it is possible to control the type of mechanism of the resistive switching effect by programming a specific distribution profile of elements in a given structure.