PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 7

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available Energy absorption capability numerical analysis of thin-walled prismatic tubes with corner dents under axial impact
Ferdynus M., Kotełko M., Kral J.
Eksploatacja i Niezawodność
|
2018
|
Vol. 20, no. 2
252--259
EN
The paper presents results of a parametric study into energy absorption capability of thin-walled square section columns with redrawn dents, subjected to axial impact compressive load. Thin-walled aluminum tubes with four dents in the corners were under investigation. The varying parameters were the dent’s depth and distance of the dent to the base. The study was performed using Finite Element numerical code. Three crashworthiness indicators were examined: peak crushing force, crash load efficiency and stroke efficiency. The numerical results are shown in load-shortening diagrams, as well as diagrams and maps of crashworthiness indicators. It was found, that the main factor influencing a crushing mode and, subsequently, energy absorption capability, is a dent depth. The dent distance from the base is of less importance. Also a position of a dent, either at the bottom, or at the top base (the load application point) does not influence the crushing behavior significantly. For the deepest dents the relative increase of crash load efficiency (CLE) amounts 25% in comparison with the column without dents.
PL
W artykule przedstawiono wyniki badań numerycznych zdolności pochłaniania energii energoabsorberów w postaci cienkościennych słupów o przekroju kwadratowym z wgłębieniami, poddanych osiowym obciążeniom udarowym. Badano wpływ parametrów geometrycznych oraz położenia inicjatorów zgniotu w postaci walcowych przetłoczeń w narożach na zachowanie się konstrukcji oraz właściwości energoabsorbcyjne (współczynnik efektywności zgniotu- Ste oraz procentowy stosunek siły średniej do maksymalnej - CLE). Obliczenia numeryczne prowadzono z wykorzystaniem MES, programu Abaqus 6.14. Wyniki przedstawiono w postaci charakterystyk obciążenie – skrócenie oraz diagramów i wykresów. Stwierdzono, że istotny wpływ na zachowanie się konstrukcji podczas uderzenia oraz jej energochłonność ma głębokość przetłoczenia, mniej istotne jest jego położenie. W przypadku słupów z najgłębszymi przetłoczeniami względny wzrost współczynnika CLE, w porównaniu z wynikami uzyskanymi dla słupa gładkiego wynosi 25%.
2
Content available Ultraszerokopasmowy rozłożony wzmacniacz kaskadowy
Kral J.
Elektrotechnika i Elektronika
|
2006
|
T. 25, z. 2
106-112
PL
W opracowaniu przedstawiono kaskadowy wzmacniacz rozłożony zdolny do przenoszenia ekstremalnie szerokich pasm częstotliwości przy dużym (multiplikatywnym) wzmocnieniu. Przedstawiono koncepcję wzmacniacza i wyprowadzono zależności na wzmocnienia napięciowe i mocy jego bezstratnej i unilateralnej wersji. Poddano szczegółowej analizie podstawowe bloki wzmacniacza oraz sformułowano kryteria doboru elementów. Przedstawiono też porównawcze wyniki symulacji wzmacniacza ze stratami własnymi użytego modelu tranzystora. Praca ma znaczenie praktyczne, bowiem zaprojektowane zgodnie z nią elementy wzmacniacza mogą stanowić dobre wartości początkowe procesu optymalizacji komputerowej.
EN
Cascaded Single Stage Distributed Amplifier (CSSDA) is presented. Amplifier gain formulas are derived for lossless and unilateral version. Fundamental parts of amplifier are submitted to detailed discussion and criteria of elements' selection are formulated. Comparative results of amplifier simulation with loss transistor model are quoted. The paper is of practical importance since it shows how to design elements' values which can be good starting point for computer optimization.
3
Content available remote Projektowanie szerokopasmowych addytywnych wzmacniaczy rozłożonych
Kral J.
Elektrotechnika i Elektronika
|
2006
|
T. 25, z. 1
38-47
PL
W pracy zaprezentowano (konwencjonalne) wzmacniacze rozłożone, rzadko opisywane w publikacjach wydawanych w kraju, i omówiono ich części składowe (linie transmisyjne naturalne i sztuczne). Przedstawiono i przedyskutowano zależności na wzmocnienie wzmacniacza zarówno przy pominięciu, jak i uwzględnieniu strat w układzie. Zobrazowano przebiegi różnych charakterystyk układu dla konkretnie przyjętego tranzystora. Przedstawiono procedurę projektowania wzmacniacza oraz wyniki symulacji zaprojektowanej struktury w wersjach z różnymi liniami bez strat i ze stratami.
EN
Rarely met in Polish literature conventional distributed amplifiers are presented and their components (natural and artificial transmission lines) are discussed. Amplifier power gain formula for lossless and lossy structures is derived and discussed. Yarious characteristics are calculated and illustrated. Amplifier design procedure is presented as well as simulation results of some structures with lossless and lossy transistor model.
4
Content available remote Projektowanie mikrofalowych generatorów tranzystorowych
Kral J.
Elektrotechnika i Elektronika
|
2002
|
T. 21, z. 1
76--81
PL
W niniejszej pracy przedstawiono prosty, ale skuteczny sposób projektowania generatorów tranzystorowych. Pokazano podstawowe zależności matematyczne oraz syntetyczny algorytm projektowania. Zaprojektowano i przeprowadzono symulację pracy generatora na 5 GHz, o możliwie małych szumach fazowych z tranzystorem HEMT ATF 35076 firmy Hewlett-Packard, przy wykorzystaniu komercyjnego programu komputerowego Serenade* v. 7.5 firmy Ansoft. Zobrazowano konstrukcje geometryczne na wykresie Smitha dla realizacji określonych obciążeń tranzystora w generatorze. Wyznaczono kształt napięcia wyjściowego i jego widmo, czym wykazano, że układ generuje przebieg na prawie takiej częstotliwości jak projektowano. Pokazano też sposób poprawy widma sygnału wyjściowego. Przeprowadzono symulację szumów fazowych generatora i przedstawiono możliwość ich optymalizacji. Praca może też stanowić przykład możliwości nowoczesnego symulatora mikrofalowych układów nieliniowych w przypadku projektowania i symulacji pracy generatorów tranzystorowych wielkiej częstotliwości.
EN
The article covers a simple but effective oscillator design technique. Basic mathematical relations and design procedure are provided. As an example there is a design and computer simulation of a 5 GHz oscillator with HEMT transistor. Detailed matching constructions on a Smith chart of required networks are shown. The shape of output generator voltage and a way of its improvement is pictured. Simulation of phase noise and an example of its optimization close the paper. The work can also serve as an example of the possibilities of a modern nonlinear microwave circuit simulator for oscillator simulation.
5
Content available remote Projektowanie mikrofalowych wzmacniaczy małoszumnych
Kral J.
Elektrotechnika i Elektronika
|
2000
|
T. 19, z. 1
60--74
PL
W pracy przedstawiono sposób projektowania małoszumnego wzmacniacza mikrofalowego z elementami o stałych rozłożonych. Podano zależności projektowe, na podstawie których można przeprowadzić analizę graficzną układu. Omówiono ograniczenia wynikające z potencjalnej niestabilności tranzystora oraz kompromisu pomiędzy minimalnym współczynnikiem szumów a maksymalnym wzmocnieniem mocy. Podano syntetyczny algorytm projektowania. Przedstawiono też przykład projektowania wzmacniacza na 5 GHz o minimalnym współczynniku szumów rzędu 1 dB i wzmocnieniu mocy około 12 dB. Zaprezentowano sposób zwiększenia marginesu stabilności oraz szczegółowy sposób zaprojektowania obwodów dopasowujących. Pokazano też fizyczną realizację wzmacniacza (layout) na podłożu laminowanym w technice niesymetrycznych linii paskowych.
EN
This article covers the design of a low noise amplifier with distributed matching elements. Basic design relations which serve to graphical analysis are provided. Limitations connected with transistor stability and compromise between noise figure and power gain are discussed. Design procedure is formulated for a potentially unstable transistor. As an example there is a design of the amplifier with a GaAs MESFET with a noise figure of 1 dB and 12 dB gain around 5 GHz. The technique of increasing stability region and detailed matching circuit design are shown. Analysis and optimisation results are included. Presentation of amplifier layout on laminate substrate in microstrip technology closes the paper.
6
Content available remote Projektowanie i analiza wzmacniacza mikrofalowego w aspekcie właściwości nieliniowych
Kral J.
Elektrotechnika i Elektronika
|
2000
|
T. 19, z. 2
77--81
PL
Prezentowana praca stanowi odrębną tematycznie całość, lecz wiąże się z opracowaniem, zamieszczonym w poprzednim numerze Zeszytów, zatytułowanym „ Projektowanie mikrofalowych wzmacniaczy małoszumnych ". Przedstawiono tam szczegółowy projekt wzmacniacza liniowego, który jest podstawą dla projektu opisanego w niniejszym artykule. Tutaj rozważany jest wzmacniacz z tranzystorem opisanym w formie modelu nieliniowego dzięki czemu możliwa jest analiza właściwości nieliniowych układu. Zbadano zachowanie się wzmacniacza przy zmianach częstotliwości i mocy sygnału pobudzającego, przy zmianach napięcia polaryzującego, przy pobudzeniu dwoma sygnałami oraz przy pobudzeniu sygnałem cyfrowym. Szczególną uwagę zwrócono na zjawisko intermodulacji 3. rzędu, istotne w nowoczesnych wzmacniaczach wiełosygnałowych. Praca może też stanowić przykład możliwości nowoczesnego symulatora mikrofalowych układów nieliniowych (Serenade® 7.5) w przypadku analizy wzmacniaczy.
EN
This article constitutes a separate subject although is connected with the elaboration placed in the previous issue of the journal entitled "Low noise amplifier design ". There was presented a detailed design of microwave linear amplifier, which was a basis for the local design. An amplifier with MESFET nonlinear model is considered here so nonlinear properties investigation is possible. Functioning of the amplifier with changing of various signal parameters and number of signals is included. Phenomenon of the 3-rd order intermodulation is specially elaborated. The work can also serve as an example of the possibilities of a modern nonlinear microwave circuit simulator (Serenade 7.5).
7
Content available remote Metoda równoważenia harmonicznych
Kral J.
Elektrotechnika i Elektronika
|
1999
|
T. 18, z. 1
33--36
PL
W pracy przedstawiono metodą równoważenia harmonicznych (MRH) oraz jej usprawnienie z wykorzystaniem podprzestrzeni Kryłowa. Metoda równoważenia harmonicznych jest obecnie podstawową metodą analizy nieliniowych układów mikrofalowych pracujących w stanie ustalonym. Stosowana jest w czołowych komercyjnych symulatorach układów mikrofalowych, takich jak MDS firmy Hewlett Packard czy Serenadę firmy Compact-Software (obecnie Ansoft). W MRH obwód nieliniowy przedstawia siew postaci dwóch podobwodów: liniowego i nieliniowego. Istotą metody jest znalezienie takiego napięcia we wrotach łączących oba podobwody, dla którego odpowiedzi prądowe obu podobwodów są takie same. Przedstawiono sposób obliczania prądowego wektora błędu oraz sposób jego minimalizacji. Najszerzej obecnie stosowaną do tego metodąjest metoda Newtona-Raphsona. Wymaga ona obliczenia jakobianu w każdym kroku iteracyjnym. Przy dużych analizowanych układach stawia to duże wymagania co do pamięci operacyjnej i szybkości obliczeń komputera. Technika podprzestrzeni Kryłowa pozwala na znaczne zredukowanie wymaganej pamięci przy zachowaniu tej samej precyzji obliczeń i tej samej odporności na utratę zbieżności.
EN
Harmonic balance analysis and its improvement in the form of Krylov subspace have been presented. Nowadays harmonic balance method is the basic method for the analysis of non-linear microwave circuits working in steady state. It is used in the best general-purpose microwave simulators such as MDS of Hewlett Packard whether Serenadę of Com¬pact-Software (atpresent: Ansoft). In the analysis a non-linear circuit is divided into two sub-circuits: linear andnon--linear connected through a port. The idea of harmonic balance is to find a voltage waveform in the port that gives the same current in both the sub-circuits. The way of calculation of a current-error vector and its minimization is presented. The Newton-Raphson method is generally acknowledged as the most useful to minimize the error vector. It isprecise and robust but requires the storage of the Jacobian matrix in each step of iteration process. When the problem size becomes large the huge demandof computer resources is reąuired. This difficulty may be overcome making use of the Krylov sub-space techniquefor Jacobian matrix storage.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.