Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Methodology of simulative RF parameters evaluation on ISM RKE system example

Jabłeka M., Niemiec H., Ryszko A., Klatka T., Szelest M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2013

Vol. 54, nr 12

17-21

This paper shows the comparison between the simulative evaluation and laboratory measurements of RF parameters in Remote Keyless Entry (RKE) receiver. It is produced in two variants: 315 MHz and 433 MHz (ISM band). The parameters that are evaluated are Sensitivity and Noise Figure. The standard procedure of Noise Figure evaluation assumes the usage of RF dedicated simulator. Unfortunately the requirements connected with large volume production - especially the statistical manner - are omitted in models prepared for RF simulators. Authors shows the methodology that allows to evaluate RF parameters with high precision using the standard SPICE - like simulator which is de facto world standard. Analyses are made using PCB extraction data in connection with standard SPICE - based models. The difference between the simulative based values and laboratory measurement values is only 2 dB.

W artykule przedstawiono porównanie wybranych parametrów otrzymanych z symulacji odbiornika RKE (ang. Remote Keyless Entry), pracującego w paśmie ISM na częstotliwościach 315 MHz i 433 MHz, z pomiarami laboratoryjnymi. W ramach porównania skupiono się na analizie dwóch czynników: czułości i poziomie szumów własnych układu odbiorczego. W typowym podejściu, do wykonania takiego zadania używa się specjalizowanych symulatorów dedykowanych do analizy obwodów wielkiej częstotliwości. Niestety, wymagania techniczne związane z produkcją wielkoseryjną - a w szczególności zagadnienia statystyczne - są często pomijane w modelach przygotowywanych dla symulatorów w.cz. Autorzy pokazują, że możliwe jest wykonanie bardzo dokładnej symulacji w oparciu symulatory nie dedykowane do analizy w.cz. Szczególnie przy użyciu symulatora typu SPICE będącego w zasadzie światowym standardem. W analizach wykorzystano parametry połączeń wyekstrahowane z płytki PCB, a także typowe modele stosowane w symulatorach typu SPICE. Różnice między metodami symulacyjnymi i pomiarami laboratoryjnymi są na poziomie zaledwie 2 dB.

Mozaikowy detektor monolityczny z aktywnymi komórkami w technologii SOI

Domański K., Grabiec P., Grodner M., Jaroszewicz B., Jasielski J., Jastrząb M., Klatka T., Kozieł M., Kucewicz W., Kucharski K., Kuta S., Marczewski J., Niemiec H., Sapor M., Tomaszewski D.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2004

Vol. 45, nr 10

39-41

Praca przedstawia nowe rozwiązanie mozaikowego detektora krzemowego z aktywnymi komórkami, wykonanego na płytkach podłożowych SOI (Silicon On Insulator) [1], wytworzonych metodą wafer-bonding. Prezentowana praca jest częścią projektu SUCIMA (Silicon Ultra Fast Camera for Gamma and Beta Sources in Medical Applications), realizawanego w ramach 5. Programu Ramowego Komisji Europejskiej.

A novel solution of an active pixel detector, which exploits wafer-bonded Silicon On Insulator (SOI) substrates for integration of the readout electronics with the pixel detector is presented in this paper. The main concepts of the proposed monolithic sensor and the preliminary tests results with ionising radiation sources are addresses. Presented work is a part of the project, called SUCIMA (Silicon Ultra Fast Camera for Gamma and Beta Sources in Medical Applications), founded by European Commission within 5-th Framework Program.

Rozwój technologii SOI do realizacji monolitycznego detektora mozaikowego

Niemiec H., Klatka T., Kozieł M., Kucewicz W., Kuta S., Machowski W., Sapor M., Szelezniak M., Domański K., Grabiec P., Grodner M., Jaroszewicz B., Kociubiński A., Kucharski K., Marczewski J., Tomaszewski D.

Elektronizacja : podzespoły i zastosowania elektroniki

2003

Vol. 23, nr 10

19-24

Opisano wykonany w technologii SOI (ang. Silicon on Insulator) nowy, krzemowy detektor mozaikowy scalony z elektroniką odczytową. Przybliżono podstawowe założenia nowej technologii sensora SOI oraz przedstawiono wyniki pomiaru dedykowanej struktury testowej.

New generation of monolithic silicon pixel detectors, fabricated on the SOI (Silicon on Insulator) substrate, is described in this paper. A new technology, which combines the standard CMOS process with the pixel detector manufacturing technique and the results of dedicated SOI test structures measurement are presented.