Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

TiAl-based Ohmic Contacts to p-type 4H-SiC

Martychowiec Agnieszka, Kwietniewski Norbert, Kondracka Kinga, Werbowy Aleksander, Sochacki Mariusz

International Journal of Electronics and Telecommunications

2021

Vol. 67, No. 3

459--463

This paper describes successfully formed ohmic contacts to p-type 4H-SiC based on titanium-aluminum alloys. Four different metallization structures were examined, varying in aluminum layer thickness (25, 50, 75, 100 nm) and with constant thickness of the titanium layer (50 nm). Structures were annealed within the temperature range of 800°C - 1100°C and then electrically characterized. The best electrical parameters and linear, ohmic character of contacts demonstrated structures with Al layer thickness equal or greater than that of Ti layer and annealed at temperatures of 1000°C or higher.

Przegląd metod czyszczenia powierzchni podłoży SiC

Martychowiec Agnieszka, Kwietniewski Norbert, Sochacki Mariusz

Przegląd Elektrotechniczny

2019

R. 95, nr 10

154--157

Zapewnienie wysokiego poziomu uzysku produkcyjnego w technologii półprzewodnikowej wymaga opracowania poszczególnych procesów technologicznych wytwarzania przyrządu oraz wysokiej jakości podłoża. Podstawowymi wskaźnikami jakości podłoży półprzewodnikowych jest gęstość określonego rodzaju defektów oraz poziom czystości powierzchni podłoży przed kolejnymi procesami. W niniejszym komunikacie dokonano przeglądu obecnego stanu wiedzy na temat metod przygotowania i czyszczenia powierzchni węglika krzemu.

Fabrication of an efficient, reliable and durable semiconductor device requires not only the development of specific technological processes used during its production, but also a high quality substrate. The quality of the substrate can be determined by the level of contamination of their surfaces and the presence of defects. They can interfere with proper operation or shorten the life of the instruments. This article reviews the current state of knowledge on the methods of preparation and cleaning of silicon carbide surfaces.