PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 35

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
1
50 lat działalności Instytutu Technologii Elektronowej
Mroziewicz B.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2016
|
Vol. 57, nr 8
3--15
PL
Opis zawiera ważniejsze fragmenty historii Instytutu i wyniki jego działalności w okresie 50 lat istnienia. Przewijają się w nim dwa nurty powiązane odpowiednio z licznymi zmianami w jego organizacji i działalności naukowo badawczej oraz aplikacyjnej. Ta ostatnia podlegała znacznym fluktuacjom stosownie do zadań stawianych przed Instytutem najpierw jako jednostką naukową Polskiej Akademii Nauk, następnie instytutem badawczo rozwojowym należącym do Naukowo-Produkcyjnego Centrum Półprzewodników, a na końcu instytutem o statusie jednostki badawczo-rozwojowej. Przedstawiona w opisie historia została podzielona na etapy wyznaczane przez nominacje kolejnych dyrektorów, chociaż nie zawsze pociągały one za sobą zmiany w obszarze tematyki rozwijanej przez Instytut czy sposobu upowszechniania osiąganych wyników. Rysunki zawarte w tekście są kopiami slajdów prezentowanych na uroczystym Sympozjum poświęconym 50-leciu Instytutu.
EN
The paper contains some selected fragments of the history and more important achievements of the Institute during its 50 year activity. There are two intermixing mainstreams connected respectively with multiple changes in its organization and scientific or industrial application activity. The latter has been subjected to significant fluctuations adequately to tasks set for the Institute which started as a unit of the Polish Academy of Sciences, next belonged to the Scientific and Production Semiconductor Center and finally has been supervised by the Ministry of Development. The history presented in the paper has been divided into stages corresponding to directors that had led the Institute although these personal changes not always have affected its activity in a particular scientific field or in the way the results were spread out. Figures included in the paper have been presented at the festive Symposium devoted to the 50 anniversary of the Institute.
2
Sumowanie wiązek generowanych przez jednowymiarowe matryce laserów półprzewodnikowych
Mroziewicz B.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2015
|
Vol. 56, nr 8
38-47
PL
Parametrem decydującym o przydatności laserów półprzewodnikowych w wielu nowoczesnych zastosowaniach technicznych lub medycznych jest luminancja wiązki fal emitowanej przez te lasery. Ze względu na różnego rodzaju ograniczenia konstrukcyjne, pojedyncze krawędziowe lasery półprzewodnikowe osiągnęły już jednak niemal maksymalną sprawność i moc wyjściową, a generowana przez nie wiązka charakteryzuje się asymetrycznym przekrojem i znaczną rozbieżnością. Rozwiązaniem staje się zatem stosowanie zbioru laserów tworzących matryce a następnie sumowanie emitowanych przez nie wiązek. Proces takiego sumowania (ang. Beam-combining) jest złożony ze względu na interferencję fal o różnych długościach, fazach i kierunkach propagacji, wymaga zatem synchronizacji. Zagadnienia te, a w szczególności metody sumowania koherentnego i niekoherentnego wiązek emitowanych przez jednowymiarowe matryce zwane linijkami laserowymi stanowią temat niniejszego artykułu. Jego ramy zostały ograniczone do opisania zagadnień kluczowych, lecz bogaty spis literatury powinien umożliwić zainteresowanym czytelnikom uzupełnienie aktualnego stanu wiedzy i techniki w tej dziedzinie.
EN
The parameter that is of particular interest for those who want to apply semiconductor lasers in modern technical or medical applications is luminance of the beam they emit. Numerous construction limitations have already almost restricted further improvements in the efficiency and output power of the individual devices. What’s more, their beam is usually asymmetrical in the cross-section and strongly divergent. Therefore a solution is sought through beam-combining of the laser arrays. The latter is complicated by wave interference that are of different length, phase and direction of propagation. These problems and in particular methods of coherent and non-coherent synchronization of the beams emitted by one-dimensional laser arrays are the subject of the present paper. Its scope has been restricted to some selected topics but a reach bibliography should be helpful for those who find the problems interesting.
3
Przestrzenne charakterystyki wiązek promieniowania emitowanego przez lasery półprzewodnikowe
Mroziewicz B., Pruszyńska-Karbownik E., Regiński K.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2014
|
Vol. 55, nr 3
84-88
PL
Rozkład natężenia pola optycznego w wiązce emitowanej przez lasery, określany jako charakterystyka kierunkowa lasera, ma z reguły duże znaczenie z punktu widzenia zastosowań laserów w praktyce. W szczególności odnosi się to do laserów półprzewodnikowych, które generują wiązkę o dużej rozbieżności, często wielomodową i astygmatyczną. W artykule przedstawiono oryginalne urządzenie nazwane profilometrem goniometrycznym, które okazało się uniwersalne, a szczególnie przydatne do pomiarów kierunkowych charakterystyk kwantowych laserów kaskadowych emitujących w pasmie średniej podczerwieni. Załączono wyniki pomiarów testowych i płynące z nich wnioski. Pokazano, że opisywane urządzenie może również służyć do pomiaru charakterystyk laserów diodowych w innych pasmach częstotliwości pod warunkiem zastosowania odpowiedniego detektora.
EN
Spatial distribution of the optical field emitted by lasers, called also a radiation profile, is extremely important for laser applications. That is particularly relevant to semiconductor lasers due to a high divergence, often multimode character, and an astigmatism of the beam they emit. In the paper presented is an original instrument called a goniometric profiler which has proved to be very useful for measurements of the quantum cascade lasers operating in the mid–IR range. The paper includes measurement results and related conclusions. It has been demonstrated that the instrument can also serve to measure characteristics of other semiconductor diode lasers at the frequency range limited only by the used detectors.
4
Kwantowe lasery kaskadowe do celów spektroskopii molekularnej : zagadnienia wybrane
Mroziewicz B.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2013
|
Vol. 54, nr 11
58-66
PL
Artykuł stanowi przegląd wybranych właściwości kwantowych laserów kaskadowych I-rodzaju, którymi te przyrządy powinny się charakteryzować w zastosowaniach do celów spektroskopii, w paśmie średniej podczerwieni. Przyjęto, że muszą to być lasery pracujące w pojedynczym modzie a do najważniejszych ich parametrów zaliczono osiągalne długości fal, szerokość generowanej linii, moc wyjściową oraz zakres przestrajania. W przeważającej części artykułu zagadnienia te przedstawiono w sposób ogólny mając na celu głównie wprowadzenie czytelnika w ich meritum, natomiast najbardziej znaczące dokonania w okresie ostatniej dekady zilustrowano za pomocą chronologicznie ułożonych tablic. Liczne odesłania do literatury zawarte w tekście i tabelach powinny umożliwić zainteresowanym czytelnikom dokładniejsze zapoznanie się ze szczegółami dotyczącymi omawianych zagadnień. Analiza danych zawartych w artykule może w szczególności posłużyć do oceny sytuacji w dziedzinie szeroko rozumianej technologii laserów kaskadowych oraz perspektyw ich dalszego rozwoju.
EN
The paper contains a review of some selected properties of the type quantum cascade lasers designed for MIR spectroscopy. Single mode operation, available wavelengths, linewidh, output power and the tuning range are considered in particular. The topics are discussed in a rather general form to introduce the reader into the subject. Most relevant properties of the lasers attained in the last decade have been displayed in tables which also show chronology of the developments. Interested readers may find much more details in the numerous bibliography included in the paper. Analysis of the data contained in the paper may be helpful to estimate the state of the art and perspectives for further progress in the field.
5
Granice widma promieniowania laserów półprzewodnikowych : résumé po 50 latach rozwoju ich technologii
Mroziewicz B.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2012
|
Vol. 53, nr 10
81-90
PL
Lasery półprzewodnikowe powstały 50 lat temu i od tego czasu głęboko wpisały się w wiele dziedzin naszej techniki, a od pewnego czasu również medycyny. Złożyły się na to liczne ich zalety, a jedną z nich jest wyjątkowa możliwość uzyskania generacji promieniowania w paśmie częstotliwości rozciągającym się od ultrafioletu do teraherców. Cecha ta wynika bezpośrednio z faktu, że wytwarzane są z połprzewodników, a te przez swoją różnorodność i specyficzne właściwości fizyczne pozwalają na wzbudzenie akcji laserowej na zadanej długości fali. Niestety i w tym względzie występują pewne ograniczenia, które uwidaczniają się w postaci luk w widmie ich promieniowania oraz dolnej i górnej granicy długości emitowanych przez nie fal. Zagadnienia te będą tematem niniejszego résumé.
EN
Semiconductor lasers have been around for 50 years and have deeply affected many domains in our technical environment not to mention medicine. This position they owe to many advantages but perhaps the most important one is that their emission covers a very wide spectral range extending from UV to terahertz frequencies This feature results directly from the fact that they are made of semiconductors which because of their variety and specific physical properties make possible to excite laser action at the demanded wavelength. However, there are also some flows in this respect. They appear in form of gaps in the semiconductor laser's emission spectrum and we are also facing limitations in the lower and upper wavelengths range of that spectrum. These topics we will discuss over in the present review.
6
Goniometryczna metoda pomiaru przestrzennego rozkładu natężenia promieniowania kwantowych laserów kaskadowych
Regiński K., Mroziewicz B., Pruszyńska-Karbownik E.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 10
48-50
PL
W artykule omówiono goniometryczne metody pomiaru rozkładu promieniowania laserów półprzewodnikowych. Szczególny nacisk położono na problemy związane z pomiarem profili wiązek promieniowania laserów kaskadowych. Przedstawiono unikalny układ goniometryczny zaprojektowany w Instytucie Technologii Elektronowej przeznaczony do takich pomiarów. Omówiono budowę tego układu i jego parametry robocze. Przedstawiono możliwy zakres zastosowań tego układu w projektowaniu i diagnostyce laserów kaskadowych.
EN
The paper concerns goniometric methods of measuring the field intensity distribution in the beams generated by semiconductor lasers. Special attention is paid to the problems of measuring the profiles of beams of quantum cascade lasers. Certain unique goniometric set-up (called also beam profiler) designed in Institute of Electron Technology is presented. Details of construction of the beam profiler are discussed and selected parameters of the set-up are described. The range of application of the set-up in investigation of quantum cascade lasers is briefly discussed.
7
Biało-świecące diody LED rewolucjonizują technikę oświetleniową
Mroziewicz B.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2010
|
Vol. 51, nr 9
145-154
PL
Diody elektroluminescencyjne (LED) legły u podstaw rozwoju optoelektroniki służąc przez wiele lat jako źródła promieniowania prawie koherentnego o długości fal rozciągającej się od światła zielonego do podczerwieni. Spełniały głównie role wskaźników sygnalizujących stan systemu, służyły do wyświetlania informacji lub były źródłami sygnałów optycznych. Jednak dopiero opanowanie technologii produkcji LED emitujących światło o barwie fioletowo-niebieskiej przyniosło trzeci składnik barwowy umożliwiający syntezę światła białego. Prowadziło to do budowy diod zawierających trzy chipy emitujące światło czerwone zielone i niebieskie, lecz szybko okazało się, że rozwiązaniem tańszym będzie wykorzystanie nowych diod do pobudzania luminoforów, które w rezultacie napromieniowania światłem krótkofalowym emitują światło białe. Okoliczność ta zbiegła się w czasie z uświadomieniem przez ekologów zagrożeń związanych z zanieczyszczeniem atmosfery dwutlenkiem węgla (CO₂) i wynikającą stąd koniecznością ograniczenia światowego zużycia energii elektrycznej.
EN
Light emitting diodes (LEDs) have been fundamental for most developments in the optoelectronics. Over many years they were indispensable as sources of nearly coherent radiation in the light-band extending from green to infrared. They were serving as indicators, displays and signal sources, respectively. However, it was not until the violet-blue LEDs have been developed that white light could be synthesized. These LEDs have led to RGB (red, green, blue) white emitting LEDs but soon turned out that it would be cheaper to generate white light by illuminating with blue light a proper phosphor. Such notion was developed just on time as it had been understood that treats brought about by CO₂ air pollution and necessity to restrict electrical energy consumption are becoming obligatory. White-emitting LEDs feature properties that allow not only for reduction of demand for electricity but also promise economical profits. Some selected topics conceming LEDs used for SSL (solid state lighting) are the subject covered by the present review.
8
Content available remote Double-frequency external cavity laser with a singular optical semiconductor amplifier
Kowalczyk E., Szyjer M., Fronc K., Mroziewicz B.
Opto-Electronics Review
|
2009
|
Vol. 17, No. 3
255-259
EN
Optical properties of an external cavity laser with a semiconductor optical amplifier and two diffraction gratings are described. The laser has been pigtailed and its emission showed two peaks in the output spectrum. The wavelength of the peaks, and in particular the spectral spacing between them, could be controlled by adjusting the reflecting elements in the system. The proposed double-frequency laser may be adopted as a signal source in terahertz generators.
9
Pomiar współczynnika odbicia zwierciadeł diod laserowych z wnęką Fabry-Perota
Pruszyńska-Karbownik E., Mroziewicz B.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2009
|
Vol. 50, nr 5
83-85
PL
Pokrycie zwierciadeł diod laserowych o konstrukcji krawędziowej powłokami optycznymi, dpowiednio - refleksyjnymi i antyrefleksyjnymi, jest ważnym elementem technologii tych przyrządów zarówno z punktu widzenia ich trwałości, jak i sprawności kwantowej. W artykule opisano metodę pomiaru współczynnika odbicia powłoki antyrefleksyjnej, którą opracowano pod kątem zastosowania w pomiarach diod laserowych zmontowanych na chłodnicach.
EN
It is essential for reliability and quantum efficiency of the edge emitting diode lasers to protect their mirrors with reflection and antireflection coatings, respectively. In the paper there is described a measurement method that has been developed to measure refractive index of the antireflection coating deposited on the front mirror of a diode laser bonded to a heatsink.
10
Generacja fal terahercowych z zastosowaniem laserów półprzewodnikowych
Mroziewicz B.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2009
|
Vol. 50, nr 9
132-143
PL
Pasmo częstotliwości terahercowych w widmie promieniowania elektromagnetycznego to ostatni skrawek tego widma dotychczas słabo wykorzystywany w technice. Powodem tego stanu rzeczy są trudności w osiągnięciu fal o częstotliwości terahercowej. Tymczasem technika ta znajduje coraz szersze możliwości aplikacyjne. W artykule omówiono metody generacji fal terahercowych oparte na wykorzystaniu promieniowania emitowanego przez lasery - szczególnie lasery półprzewodnikowe. Znaczną część artykułu poświęcono opisowi zjawisk leżących u podstaw tej techniki z położeniem nacisku na zjawisko mieszania częstotliwości. Szczególną uwagę zwrócono na potencjał tkwiący w kwantowych laserach kaskadowych i laserach dwufalowych, które uważane są za szczególnie perspektywiczne z punktu widzenia budowy generatorów promieniowania terahercowego o znaczącej mocy wyjściowej.
EN
The terahertz frequency band is the last shred of the electromagnetic radiation spectrum that had been left al most unused in practical applications. The situation has been caused by difficulties encountered when trying to generate terahertz wavelengths of meaningful power. However, this technique finds ever increasing applications and has aroused a great interest in its development. In the paper we describe basic phenomena leading to generation of terahertz signals by optical methods. Photo-mixing of laser beams is treated more in detail due to variety of possibilities offered by the method itself and semiconductor lasers in particular. Quantum Cascade Lasers and two-colour external cavity lasers deserve special attention as promising sources of high output power terahertz signals and the state of the art in this field has been therefore enlightened more thoroughly.
11
Content available remote External cavity wavelength tunable semiconductor lasers : a review
Mroziewicz B.
Opto-Electronics Review
|
2008
|
Vol. 16, No. 4
347-366
EN
External cavity tunable lasers have been around for many years and now constitute a large group of semiconductor lasers featuring very unique properties. The present review has been restricted to the systems based on the edge emitting diode lasers set-up in a hybrid configuration. The aim was to make the paper as concise as possible without sacrificing, however, most important details. We start with short description of the fundamentals essential for operation of the external cavity lasers to set the stage for explanation of their properties and some typical designs. Then, semiconductor optical amplifiers used in the external cavity lasers are highlighted more in detail as well as diffraction gratings and other types of wavelength-selective reflectors used to provide optical feedback in these lasers. This is followed by a survey of designs and properties of various external cavity lasers both with mobile bulk gratings and with fixed wavelength selective mirrors. The paper closes with description of some recent developments in the field to show prospects for further progress directed towards miniaturization and integration of the external cavity laser components used so far to set-up hybrid systems.
12
Jednomodowe przestrajalne lasery półprzewodnikowe do zastosowań w układach czujnikowych spektroskopii absorpcyjnej
Mroziewicz B.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2007
|
Vol. 48, nr 5
31-41
PL
Spektroskopia absorpcyjna wykorzystywana do wykrywania śladowych ilości obcych substancji w gazach, coraz częściej posługuje się czujnikami, w których źródłem promieniowania są lasery półprzewodnikowe. W artykule omówiono zasady budowy takich czujników oraz konstrukcję i właściwości znajdujących w nich zastosowanie laserów półprzewodnikowych. Specjalną uwagę poświęcono laserom z zewnętrzną wnęką rezonansową oraz kwantowym laserom kaskadowym, szczególnie przydatnym dla spektroskopii absorpcyjnej w zakresie średniej podczerwieni.
EN
Absorption spectroscopy currently exploited to detect trace gases is mainly based on sensors that use semiconductor lasers. In the paper systems of such sensors are briefly described to set the stage for discussion on design and properties of the semiconductor lasers suitable to applications in these systems. A special attention is paid to external resonant cavity lasers and quantum cascade lasers as the most important light sources for absorption spectroscopy in the midinfrared wavelength range.
13
Rewolucja w technologii LED : czy prawa Craforda i Haitza nadal obowiązują?
Mroziewicz B.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2006
|
Vol. 47, nr 3
34-39
PL
Postęp w technologii LED i wynikająca z niego ewolucja parametrów tych przyrządów podlega prawidłowościom znanym jako prawo Craford'a i prawo Haitz'a. Omówiono czynniki stanowiące siłę napędową rozwoju technologii LED ze szczególnym uwzględnieniem LED emitujących światło pomarańczowe, niebieskie i białe. Przeanalizowano ograniczenia wynikające z zasady ich działania i konstrukcji. Na tym tle przedstawiono perspektywy utrzymania tempa dalszego rozwoju technologii LED wyznaczonego przez omawiane prawa.
EN
Developments in LED's technology and brought about evolution of these device parameters follow predictions known as Craford's and Haitz' laws. In the presentation we discuss factors being a driving force behind the progress observed in LED' manufacturing and research. Attention has been focused on the advancements in technology of amber, blue and white LEDs. Limitations that result from the principle of their operation and construction are reviewed. Finally conclusions have been drawn as to how far the laws in question will be obeyed in future.
14
Połączenia optyczne w układach elektronicznych nowych generacji
Mroziewicz B.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2006
|
Vol. 47, nr 6
6-15
PL
Zdumiewająca i niewyczerpalna zdolność elektroniki do wykładniczego wzrostu jest wciąż reprezentowana przez prawo Moore'a. Skutki działalności tego prawa zmuszają do refleksji na temat sposobów transmisji danych między poszczególnymi układami elektronicznymi o nieustannie rosnącym stopniu złożoności i szybkości działania. W artykule omówiono zasady działania połączeń optycznych i aktualny stan ich zaawansowania, zilustrowany przykładami proponowanych rozwiązań, oraz perspektywy tej techniki na przyszłość.
EN
Amazing and seemingly inexhaustible capacity for growth in electronics is still represented by Moore's Law. This reality makes us to look for new ways of data transmission between ever faster operating electronic systems. Optical interconnects emerge as a viable solution. In the paper, principle of operation of such interconnects, pertinent designs and their performance are described.
15
Fotonika krzemowa : nowe perspektywy
Mroziewicz B.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2006
|
Vol. 47, nr 10
35-44
PL
Skojarzenie fotoniki z technologią opartą na stosowaniu krzemu wydawało się do niedawna niedościgłą utopią, choć było oczywiste, że przyniosłoby w efekcie ogromne korzyści zarówno mikroelektronice, jak i samej fotonice. Wytrwałe badania doprowadziły jednak w ostatnich latach do radykalnej zmiany w opinii na temat perspektyw takiego skojarzenia. W artykule omówiono podstawowe podzespoły fotoniczne, w tym źródła światła, modulatory i fotodedektory, wytwarzane z krzemu pod kątem zastosowań przede wszystkim w układach połączeń optycznych prze­znaczonych do komunikacji między i wewnątrz komputerów.
EN
To combine photonics with the silicon-based technology seemed in a not distant past beyond the reach, although it has been clear that it would be beneficiary for both microelectronics and photonics. However, persistent research has lead in recent years to a radical change in opinions on that matter. In this paper silicon based photonic devices are discussed including light sources, modulators and photodetectors, all essential for optical interconnects between - and within computers.
16
Content available remote Thermally induced changes of broad contact pulse-operated single quantum well (SQW) separate confinement heterostructure (SCH) laser spectra
Kowalczyk E., Ornoch L., Szerling A., Mroziewicz B.
Optica Applicata
|
2005
|
Vol. 35, nr 3
573-578
EN
A technique of time-resolved laser spectra mapping has been developed to assess thermo-optical properties of diode lasers. Using this technique the emission spectra of broad contact pulse operated diode lasers were measured for consecutive time points within the pulse duration width. The emitted wavelength was found to be highly dependent on the time elapsing from the pulse front and a time shift of wavelength was clearly observed in the spectrum of pulse-operated lasers.
17
Content available remote Analysis of thermal conditions of pulse operated single quantum well separate confinement heterostructure (SQW SCH) lasers
Ornoch L., Kowalczyk E., Mroziewicz B.
Optica Applicata
|
2005
|
Vol. 35, nr 3
591-595
EN
Junction temperature affects laser diode performance in many ways. Magnitude of the light output power, a center wavelength of the spectrum and diode reliability are all strongly dependent on the junction temperature. A simple electrical method to measure laser diode junction temperature has been developed. It is based on the measurement of the junction voltage change, which is due to the change of its temperature and is induced by supplying the laser with DC current in parallel to the pulsed driving current. Junction temperature dynamics in the pulse operated GaAs based SQW SCH quantum well broad contact lasers designed for emission at 980 nm was studied and results are presented. Additionally, junction cooling in these lasers as a function of time was also assessed.
18
Lasery półprzewodnikowe wciąż pozostają przedmiotem zainteresowań nauki i przemysłu. Cz. 1, Lasery bipolarne : technologia podąża za potrzebami rynku
Mroziewicz B.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2005
|
Vol. 46, nr 5
30-42
PL
Celem artykułu jest wprowadzenie czytelnika w zagadnienie laserów półprzewodnikowych, postrzegane z perspektywy aktualnych kierunków ich rozwoju. Omówiono w nim ważniejsze aspekty technologii laserów dużej mocy, laserów niebieskich i laserów typu VCSEL oraz rynku na te przyrządy. Przedstawiono nowe perspektywy związane z technologią kropek kwantowych. Całość materiału została uzupełniona krótkimi wykładami wyjaśniającymi zasady działania i budowy omawianych laserów.
EN
The aim of the paper is to acquaint the reader with semiconductor lasers looked at in perspective of their current development and further progress. Topics related to high power lasers, blue-violet lasers and VCSELs, including markets for these devices, are discussed. New features associated with quantum dots are also presented. The contents is supplemented by short lectures on devices in question.
19
Lasery półprzewodnikowe wciąż pozostają przedmiotem zainteresowań nauki i przemysłu. Cz. 2, Lasery unipolarne (kaskadowe) : nowe perspektywy dla optoelektroniki
Mroziewicz B.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2005
|
Vol. 46, nr 6
35-42
PL
Przedstawiono nowe możliwości zastosowań laserów półprzewodnikowych wynikające z postępu prac nad kwantowymi laserami kaskadowymi. Całość materiału została uzupełniona krótkimi wykładami wyjaśniającymi zasady działania i budowy omawianych laserów.
EN
Quantum cascade lasers and applications that benefit from their development. The content is supplemented by short lectures on physics envolved in operation of these devices.
20
Content available remote High power QW SCH InGaAs/GaAs lasers for 980-nm band
Bugajski M., Mroziewicz B., Regiński K., Muszalski J., Kosiel K., Zbroszczyk M., Ochalski T., Piwoński T., Wawer D., Szerling A., Kowalczyk E., Wrzesińska H., Górska M.
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
|
2005
|
Vol. 53, nr 2
113-122
EN
Strained layer InGaAs/GaAs SCH SQW (Separate Confinement Heterostructure Single Quantum Well) lasers were grown by Molecular Beam Epitaxy (MBE). Highly reliable CW (continuous wave) 980-nm, broad contact, pump lasers were fabricated in stripe geometry using Schottky isolation and ridge waveguide construction. Threshold current densities of the order of Jth = 280 A/cm2 (for the resonator length L = 700 [mu]m) and differential efficiency [eta]= 0.40 W/A (41%) from one mirror were obtained. The record wall-plug efficiency for AR/HR coated devices was equal to 54%. Theoretical estimations of above parameters, obtained by numerical modelling of devices were Jth = 210 A/cm and [eta] = 0.47 W / A from one mirror, respectively. Degradation studies revealed that uncoated and AR/HR coated devices did not show any appreciable degradation after 1500 hrs of CW operation at 35°C heat sink temperature at the constant optical power (50 mW) conditions.
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.