Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Silicide formation on silicon by dense compression plasma treatment

Anishchik V., Uglov V., Kvasov N., Petykhou Y., Astashynski V., Kuzmitski A., Zhukowski P., Karwat C., Zhukowski P., Fedotova J.

Przegląd Elektrotechniczny

2010

R. 86, nr 7

311-313

In the present paper the means of applying compression plasma flows (CPF) for deep metal doping of silicon, formation of single- and multiphase metal silicide as well as submicron silicide structures are discussed. The action of CPF on Fe/Si and Ni/Si systems results in the formation of silicon dendries and metal silicides á-FeSi2 and NiSi, NiSi2 respectively. Metal silicides are preferably localized between the silicon dendrites’ branches.

Prezentowany artykuł omawia zastosowanie strumieniowej plazmy kompresyjnej do głębokiego domieszkowania krzemu metalem oraz powstawanie jedno- i wielofazowych krzemków metali oraz submikroskopowych struktur krzemkowych. Działanie strumieniowej plazmy kompresyjnej na układy Fe/Si oraz Ni/Si powoduje tworzenie się dendrytów krzemowych i krzemków metali odpowiednio - .-FeSi2 i NiSi.

Modification of silicon surface under the action of compression plasma flow

Anishchik V., Uglov V., Astashynski V., Ananin S., Askerko V., Kostyukevich E., Kuzmitski A., Kvasov N., Daniluk A., Astashynski V. M.

Prace Naukowe Politechniki Warszawskiej. Elektronika

2002

z. 143

175-178