Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Techniki rozpylania magnetronowego DC, MF i RF do nanoszenia cienkich warstw WO3

Jankowski H., Marszałek K., Sokulski J., Zabila Y., Stapiński T.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 10

79-81

PL

Cienkie warstwy elektrochromowe są obecnie intensywnie badane z powodu ich potencjalnych zastosowań w systemach optycznych szczególnie z zasilaniem fotowoltaicznym. Tlenek wolframu jest najbardziej obiecującym materiałem ze względu na swoje właściwości optyczne. W niniejszej pracy przedstawiono szczegóły technologiczne nanoszenia tlenku wolframu różnymi metodami magnetronowego rozpylania jonowego; DC (stałoprądowego), MF (impulsowego) i RF (częstości radiowej). Rozpylanie było prowadzone z użyciem metalicznej tarczy wolframowej dla różnych składów mieszanki gazowej Ar/O2. Jednym z badanych parametrów rozpylania była prędkość rozpylania w funkcji mocy wyładowania. Otrzymano wartości zmieniające się od 5 nm/mim to 20 nm/min dla różnych technik nanoszenia i mocy od 200 W do 1 kW. W celu uzyskania warstw krystalicznych prowadzono wygrzewanie otrzymanych warstw po naniesieniu w temperaturach 380...450°C w powietrzu. Badania strukturalne prowadzono metody dyfraktometrii rentgenowskiej a badanie morfologii powierzchni metoda mikroskopii sił atomowych.

EN

Thin film electrochromic films are nowadays produced and investigated due lo their application in different optical systems with possible photovoltaic supply Between them metallic oxides WO3 are the most promising because of excellent optical parameters. This paper presents details of magnetron sputtering technology for WO3 thin film preparation. All types it means DC (direct current sputtering), MF (pulsed magnetron sputtering) and RF (radio frequency sputtering) were tested as preparation method Films were deposited from metallic tungsten target in Ar/O2 gas mixture to realize reactive sputtering process of WO3 film nucleation. One of the tested sputtering parameter was power supply (starting from 200 W to 1 kW). Deposition rate were calculated for all deposition method and was found from 5 nm/min to 20 nm/min. Deposition process was realized in ambient substrate temperature for all sputtering method. Cristal structure was defined by x-ray diffraction for all WO, films after post deposition annealing in 380 to 450°C air atmosphere. Surface properties of sputtered films were investigated by means of atomic force microscopy AFM.

2

Mikrostrukturyzacja powierzchni Si przy pomocy laserowej litografii interferencyjnej

Lorens M., Zabila Y., Krupiński M., Perzanowski M., Suchanek K., Marszałek K., Marszałek M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 8

65-67

PL

Praca przedstawia wyniki mikrostrukturyzacji powierzchni Si, będącego powszechnie używanym podłożem w technologii otrzymywania metalicznych układów cienkowarstwowych, metodą laserowej litografii interferencyjnej. Proces wytwarzania żądanych struktur jest jednostopniowy - składa się tylko z trwającego dziesięć nanosekund impulsu lasera, po którym otrzymuje się gotową strukturę i nie wymaga stosowania materiałów fotorezystywnych ani masek. Badano tworzenie periodycznych mikrostruktur powstających na powierzchni Si(111) i Si(100), pokrytego 100 nm warstwą SiO₂, w wyniku zastosowania dwuwiązkowej litografii interferencyjnej. Obrazy z Mikroskopu Sił Atomowych (AFM), uzyskane w trybie kontaktowym w powietrzu po wykonaniu litografii, pokazały powstawanie periodycznych struktur, składających się z drutów, odpowiadających destrukcyjnym prążkom interferencyjnym, oddzielonych wąskimi kanałami utworzonymi przez konstruktywne prążki interferencyjne. Określono wpływ jednorodności wiązki lasera oraz energii pulsu lasera na wysokość struktur i ich period.

EN

The direct laser interference lithography of Si surface, the most popular substrate in thin film technology, is presented in this paper. The preparation of the structure using this method requires only one step processing. It consists of irradiation of the sample surface with an interference pattern of a high-power pulsed laser by a several tens of nanoseconds resulting in a periodical structure. Such illumination of a sample leads to a direct structuring of the surface without needs of any photoresists or masks. The structuring of silicon surface Si(111) and Si(100), covered by 100 nm film of SiO₂ by means of two beam interferometry was investigated. The atomic force microscopy (AFM) measurements show real patterning with parallel hills and valleys in place of positive and negative places in interference pictures. Influence of uniformity of laser beam and energy of the laser pulse on period and height of the structure was investigated.

3

Interferencyjna litografia laserowa

Zabila Y., Perzanowski M., Marszałek K., Marszałek M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2009

|

Vol. 50, nr 9

35-37

PL

W prezentowanej pracy przedstawiono opis interferencyjnej litografii laserowej. Jest to nowa odmiana litografii. Zaprezentowano podstawy fizyczne jak i symulacje obrazów interferencyjnych struktur otrzymanych dla geometrii z dwoma i trzema wiązkami laserowymi. Opisano układ optyczny przygotowany do realizacji litografii laserowej oraz obrazy struktur otrzymane przy pomocy mikroskopu sił atomowych będące w dobrej zgodności ze strukturami symulacji komputerowej.

EN

The paper presents description of the interference laser lithography. It is a new lithography method. Physical background and the simulations for the different setup geometry (2 and 3 laser beams) are described. Optical equipment for laser lithography-and Atomic Force Microscopy images showing good correspondence between the experimental and simulated interference images are presented.

4

Specular and diffuse X-ray reflectivity study of surfactant mediated Co/Cu multilayers

Marszałek M., Kąc M., Krupiński M., Polit A., Zabila Y.

Materials Science Poland

|

2008

|

Vol. 26, No. 3

735--741

EN

The application of X-ray techniques for studies of the interface structure of Co/Cu multilayers has been presented with a pre-deposited ultrathin film of Bi and Pb. The [Co(1 nm)/Cu(2 nm)] multilayers were thermally evaporated at very low deposition rates with a small amount of Bi and Pb surfactant (about 0.2 ML) introduced at each Cu layer. The structure of Co/Cu multilayers with added surfactant has been studied using low-angle specular and nonspecular X-ray reflectivity. In all studied specimens, the off-specular reflectivity replicates some of the features of specular reflectivity. The presence in diffuse spectra of a Bragg peak due to coherent scattering, as well as visible finite thickness clearly indicates a high degree of conformality and interface roughness replication in the surfactant mediated Co/Cu multilayers. X-ray reflectivity as well as X-ray diffuse scattering measurements showed a distinct variation in the structure of the multilayers with introduction of surfactant which leads to well-ordered periodic structures with small roughness.