PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Powiadomienia systemowe
  • Sesja wygasła!
  • Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 17

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Termodesorpcja ksenonu implantowanego do krzemu
Turek M., Droździel A., Pyszniak K., Wójtowicz A., Yushkevich Y.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2018
|
R. 94, nr 7
157--161
PL
Artykuł prezentuje wyniki badań termodesorpcji Xe zaimplantowanego do krzemu (energie 80 keV, 100 keV oraz 150 keV). Zaobserwowano gwałtowne emisje Xe w temperaturach od 1060 K do ~1600 K, pochodzące najprawdopodobniej od uwalniania gazu zgromadzonego w aglomeratach we wnękach w matrycy Si. Oszacowano wartości energii aktywacji desorpcji – jest ona rzędu 3 do 3,4 eV w rozpatrywanym zakresie energii implantacji, a więc jest większa niż dla badanych wcześniej lżejszych gazów szlachetnych w matrycy Si.
EN
Studies of the thermal desorption of Xe implanted into Si (wih energies 80 keV, 100 keV and 150 keV) are presented Sudden Xe emission at temperatures ranging from 1060 K up to ~1600 K, probably due to releases of gas bubles agglomerated in Si matrix cavities are observed.Values of deorption activation energy are estimated - it is in the range 3-3.4 eV in the considered implantation energy range, larger than for lighter noble gases implanted into Si.
2
Content available remote Influence of Penning ionization on ion source efficiency – numerical simulations
Turek M., Mączka D., Droździel A., Pyszniak K., Vaganov Y., Węgierek P.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2018
|
R. 94, nr 7
116--119
EN
The numerical model of ionization in the plasma ion source taking the electron impact and Penning effect into account is presented. The influence of the Penning effect on the ionization efficiency is under investigation - it is shown that the carrier gas could improve ionization efficiency several times compared to the pure electron ionization case. Changes of the yield from the Penning ionization are investigated as a function of carrier gas concentration, ionization degree and concentration of carrier gas atoms in the metastable state.
PL
Przedstawiony jest model źródła jonów uwzględniający jonizację Penninga i elektronami. Zastosowanie gazu nośnego skutkujące zachodzeniem jonizacji Penninga może zwiększyć wydajność jonizacji nawet kilkukrotnie. Zbadano zmiany wydajności jonizacji od koncentracji gazu nośnego, atomów w stanie metastabilnym i stopnia jonizacji plazmy.
3
Content available remote Production of rare earths ion beams in arc discharge ion source using their oxides
Turek M., Droździel A., Pyszniak K., Prucnal S.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2016
|
R. 92, nr 8
158--161
EN
Production of rare earth’s ions from using their oxides and carbon tetrachloride (CCl4) vapor is described. Mechanism of internal chemical synthesis of rare earth’s chlorides is proposed. Working characteristics like dependences of ion currents on discharge and filament current, magnetic flux density as well as CCl4 flux are presented and discussed in order to find optimal working parameters. The separated currents of 18 A, 5 A, 3 A and 12 A were obtained for Eu+, Gd+, Ho+ and Pr+, respectively.
PL
W atykule opisana jest metoda wytwarzania wiązek jonów pierwiastków ziem rzadkich wykorzystująca ich tlenki i pary czterochlorku węgla (CCl4). Zaproponowano także wyjaśnienie mechanizmu wewnętrznej syntezy chlorków ziem rzadkich. Celem znalezienia optymalnych parametrów pracy rozpatrywanane są charakterystyki robocze źródła, takie jak zależności natężenia prądów jonowych od natężeń prądu wyładowania, grzania katody, indukcji magnetycznej zewnętrznego magnesu jak również nacieku CCl4. Otrzymano rozseparowane wiązki jonów Eu+, Gd+, Ho+ i Pr+ o natężeniach odpowiednio 18 A, 5 A, 3 A i 12 A.
4
Content available remote Źródło jonów dla potrzeb spektroskopii jądrowej wykorzystujące plazmę generowaną strumieniem elektronów
Turek M., Maczka D., Słowiński B., Yushkevich Y., Pyszniak K., Zubrzycki J.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2013
|
R. 89, nr 5
290-293
PL
Zaprezentowano konstrukcję źródła jonów z plazmą generowaną strumieniem elektronów a także omówiono warunki pracy w reżymach on-line i off-line. Zaletą źródła jest jego dość duża wydajność (rzędu 2-5 % dla pierwiastków trudnolotnych) osiągana dzięki powstaniu pułapki potencjału w komorze jonizacyjnej. Przedstawiono oszacowania krytycznych warunków pracy zapewniających powstanie tej pułapki, a także optymalnej temperatury roboczej katody oraz ograniczenia narzucane przez konstrukcję źródła na okresy półrozpadu jonizowanych nuklidów.
EN
Construction of the electron beam generated plasma ion source is presented as well as its working conditions in the on-line and off-line modes. The advantage of the source is its relatively high ionization efficiency (~2-5% for refractory metals) achieved due to the existence of the potential trap inside the ionization chamber. The estimations of the critical working parameters leading to the formation of the trap and the estimation of the optimal cathode temperature are given. The constraints imposed by the construction details on ionized nuclide half-life are discussed.
5
Content available remote Jonoluminescencja SiC wzbudzana bombardowaniem jonami H+
Pyszniak K., Żuk J., Droździel A., Wójtowicz A., Prucnal S., Turek M.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2013
|
R. 89, nr 5
281-283
PL
Zaprezentowano wyniki badań jonoluminescencji węglika krzemu bombardowanego jonami H+ o energiach 120 i 180 keV. Widma jonoluminescencji w zakresie 400-800 nm mają charakter ciągły z maksimum odpowiadającym fali o długości 730 nm. Badano także zmiany natężenia świecenia wywołane bombardowaniem jonowym. Zaobserwowano bardzo szybkie (dwa rzędy wielkości) osłabienie świecenia (dawki rzędu 4·1014 H+/cm2) wywołane zwiększającą się ilością defektów w tarczy. Artykuł zawiera także prezentację aparatury pomiarowej.
EN
Experimental results of the silicon carbide ionoluminescence induced by 120 and 180 keV H+ ion beams. The obtained spectra in the range 400-800 nm are continuous with the maximum at approximately 730 nm. Changes of the luminescence intensity caused by accumulated irradiation fluence were also studied. A very fast decrease of luminescence intensity (by two orders of magnitude) for a relatively small fluence (4·1014 H+/cm2) due to the increasing damage ot the target was observed. A brief description of experimental set-up is also given.
6
Content available remote Wytwarzanie jonów podwójnie naładowanych w plazmowym źródle jonów z parownikiem
Turek M., Droździel A., Pyszniak K., Mączka D.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2012
|
R. 88, nr 11b
328-331
PL
W artykule omówiono wytwarzanie wiązek jonów podwójnych (As2+, Al2+, Bi2+, Sb2+,Be2+, Mn2+ oraz Ga2+) przy użyciu źródła jonów z parownikiem ogrzewanym wyładowaniem łukowym. Zaprezentowano podstawowe charakterystyki pracy: zależności natężenia prądu jonowego i napięcia anodowego od natężenia prądu wyładowania, natężenia prądu katodowego i indukcji pola magnetycznego. Omówiono także numeryczny model jonizacji w źródle i porównano przewidywane przez ten model wyniki z wynikami eksperymentalnymi.
EN
The paper describes the production o doubly charged ions (As2+, Al2+, Bi2+, Sb2+, Be2+, Mn2+ and Ga2+) using an arc discharge ion source with an evaporator. Basic characteristics of the ion source are presented, namely the dependences of ion current and anode voltage on the discharge and cathode currents and magnetic field flux density. A numerical model of ionization in the ion source is also discussed and its predictions are compared to the experimental results.
7
Content available Working parameters of the electron - beam-generated ion source for ISOL facilities
Yushkevich Y. V., Turek M., Mączka D., Pyszniak K., Słowiński B., Vaganov Y. A., Zubrzycki J.
Nukleonika
|
2012
|
Vol. 57, No. 3
351-356
EN
An electron-beam generated plasma (EBGP) ion source for nuclear spectroscopy purposes at YASNAPP (YAdernaya Spektroskopya NA Putchkah Protonov - nuclear spectroscopy using proton beams) isotope separation on-line facility is presented. Working conditions both in on- and off-line mode are presented and discussed. Formation of a potential trap inside a discharge chamber is an advantage of the presented construction, enabling relatively high ionization efficiencies (2-5%) even for hard-to-ionize elements like Be, Ti, V, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rd, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt. The paper presents estimation of critical values of working parameters that enable formation of the ion trap leading in consequence to high efficiency of ionization. The optimal temperature of the discharge chamber and cathode walls is found to be in the range 2600-2800 K. Calculations of the output rates of ions produced in the on-line mode are also presented as well as the constraints on the half-life time of obtained nuclides imposed by construction details like the target material and its thickness.
8
Zastosowania pochodnych ułamkowych w badaniach optycznych warstw półprzewodników modyfikowanych implantacją jonową
Gluba Ł., Kulik M., Rzodkiewicz W., Żuk J., Kobzev A. P., Pyszniak K., Droździel A., Turek M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 11
86-89
PL
W pracy przedstawiamy wyniki analizy punktów krytycznych (E₁) dla warstw GaAs oraz Si zaimplantowanych jonami Xe⁺ dwoma różnymi dawkami. W obliczeniach stosowano metodę pochodnych ułamkowych (FDS) widm funkcji dielektrycznych. Zbadano wpływ uszkodzeń radiacyjnych na własności optyczne tych półprzewodników. Do badań została wykorzystana także metoda RBS/NRA w celu zbadania grubości tlenku oraz warstwy zaimplantowanej.
EN
In this paper we present analysis of critical points (E₁) of Xe⁺ ion implanted GaAs and Si with two different fluences. In our calculations, we applied Fractional Derivative Spectra (FDS) method to dielelectric functions. Influence of radiation damage on optical properties of these semiconductors was studied. For this study RBS/NR was also applied for characterizing thickness of implanted layer and oxide layer.
9
Wyznaczanie rozkładów głębokościowych domieszek metodą PIPE
Pyszniak K., Gluba Ł., Turek M., Droździel A., Filiks J., Wójtowicz A., Żuk J., Mączka D.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 11
50-52
PL
Omówiono zastosowanie metody PIPE (Particie Induced Photon Emission) do wyznaczania rozkładów głębokościowych domieszek. Omawiana metoda pozwala również na dość dokładne wyznaczanie współczynników rozpylania... Artykuł zawiera opis stosowanej aparatury, krótkie omówienie procedury pomiarowej, oraz porównanie otrzymanych wyników z symulacjami komputerowymi.
EN
The application of PIPE (Particle Induced Photon Emission) method for dopant depth profiling is described. The method gives also a possibility to determine sputtering yields for targets. The paper contains the description of an experimental setup and the applied method, as well as the comparison of the obtained results with computer simulations.
10
Self assembled InN quantum structures in Si₃ N₄ films produced by flash lamp processing
Prucnal S., Turek M., Pyszniak K., Droździel A., Rebohle L., Skorupa W., Żuk J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 11
48-50
PL
Nanostruktury InN wytworzono w warstwach Si₃ N₄ poprzez implantację jonami In i milisekundowe wygrzewanie błyskowe. W widmie mikroramanowskim obserwuje się wierzchołki 495 oraz 592 cm&8315;¹, odpowiadające fononom Eh₂ oraz A₁ w InN. Wąskie pasmo w widmie fotoluminescencyjnym skupione wokół 1.35 µm potwierdza powstanie kryształów InN o dobrej jakości. Naprężenia powstałe w trakcie formowania się krystalitów mogą zostać zlikwidowane poprzez dobór odpowiednich warunków wygrzewania.
EN
The InN quantum structures were formed in Si₃ N₄ films by indium ion implantation and subsequent thermal annealing. The µ - Raman spectrum shows peaks at 495 and 592 cm&8315;¹ corresponding to the transverse optical (Eh₂) and longitudinal optical (A₁) phonon modes in InN, respectively. The narrow PL band at around 1.35 µm from the InN QDs was observed what confirm the formation of high quality InN crystals. Moreover, stress introduced to the InN nanocrystals during formation can be controlled by the proper choice of annealing conditions.
11
Dwie konstrukcje plazmowych źródeł jonów z parownikiem
Turek M., Droździel A., Pyszniak K., Prucnal S.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 11
60-64
PL
W artykule omówione są dwie konstrukcje źródeł jonowych: z anodą cylindryczną i katodą wnękową wykorzystujące parownik. Źródła te są szczególnie użyteczne do wytwarzania wiązek jonów pierwiastków występujących jako ciała stałe, dostarczając natężeń prądów jonowych rzędu 70 ... 100 µA (w wypadku Al, Bi, As, Sb), 25 µA (Eu) oraz 15 ... 30 µA (Fe, V, Cr oraz jony podwójne i molekularne). Przedstawiono zasadę działania obu źródeł zwracając uwagę na dzielące je różnice. Zaprezentowano wybrane wyniki eksperymentalne ilustrujące ogólne zasady rządzące zachowaniem omawianych źródeł jonów.
EN
The paper presents two constructions of ion sources with an evaportor: with an cyllindrical anode or an hollow cathode. The sources are especially suitable for ion production from solids, providing ion currents of 70...100 µA (Al, Bi, As, Sb etc.), 25 µA (Eu) and 15 ... 30 µA (Fe, V, Cr and molecular or doubly charged ions). The principle of operation is discussed taking into consideration the differences between the two designs. Some chosen experimental data is shown in order to illustrate the processes that occur in the ion sources.
12
Content available remote Źródło jonów z parownikiem ogrzewanym przez wyładowanie łukowe. Symulacje komputerowe i eksperyment
Turek M., Droździel A., Pyszniak K., Prucnal S., Żuk J.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2010
|
R. 86, nr 7
193-195
PL
W artykule zaprezentowano nowy typ źródła jonów, szczególnie użyteczny w razie potrzeby uzyskania wiązek jonów pierwiastków metalicznych, także trudnotopliwych. Opisano także model numeryczny pozwalający na obliczenia wydajności jonizacji w zależności od parametrów pracy źródła. Przedstawiono wyniki symulacji. Pokazano wybrane doświadczalne charakterystyki źródła, otrzymane dla żelaza i glinu.
EN
A new type of ion source is presented that is especially useful for metalic ion beams, also in the case of refractory metals. A numerical model enabling ion source efficiency calculations is described and some simulation results are discussed. Ion source characteristics measured for iron and aluminum are presented.
13
Źródło jonów dla potrzeb implantacji jonami Al⁺
Turek M., Pyszniak K., Prucnal S., Droździel A., Żuk J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2009
|
Vol. 50, nr 9
102-105
PL
Zaprezentowano nową konstrukcję źródła jonów pierwiastków metalicznych. Podstawowym rozwiązaniem konstrukcyjnym jest umieszczenie molibdenowego parownika wewnątrz komory plazmowej źródła. Parownik jest nagrzewany przez spiralną katodę oraz przez wyładowanie łukowe. Wytworzone pary trafiają wprost do plazmy wyładowania łukowego, gdzie ulegają jonizacji w wyniku zderzeń z elektronami. Źródło umożliwia uzyskiwanie znacznych natężeń prądu Al⁺, rzędu 70 µA, ponadto pracuje stabilnie przez kilkanaście godzin. Artykuł zawiera opis konstrukcji źródła oraz numerycznego modelu jego pracy, jak również omówienie wyznaczonych charakterystyk źródła jonów.
EN
A new construction of the metalic ion source is presented. The clue of the design is an evaporator made of molybdenum and placed inside a discharge chamber. The evaporator is heated by a spiral cathode as well as by an arc discharge. Vapors are ionized in the arc discharge by electron impact. The source provides typically the current 70 µA of Al⁺ ions. The source operates stable over a dozen hours. The paper presents the construction of the source, the numerical model as well as the discussion of its characteristics measured in experiments.
14
Charakteryzacja diod p-i-n wytworzonych metodą implantacji warstw epitaksialnych 4H-SiC jonami glinu
Kwietniewski N., Pazio K., Sochacki M., Szmidt J., Droździel A., Kulik M., Prucnal S., Pyszniak K., Rawski M., Turek M., Żuk J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2009
|
Vol. 50, nr 6
32-35
PL
W pracy opisano wytwarzanie i charakteryzację diod p-i-n wytwarzanych w strukturach epitaksjalnych 4H-SiC. W celu uzyskania warstw typu p⁺ wykonano 4-krotną implantację jonami Al przy całkowitej dawce 7,1 · 10¹⁴ cm⁻2² dla uzyskania prostokątnego rozkładu głębokościowego. Implantację prowadzono przy temperaturze tarczy 500°C z użyciem implanatora jonów UNIMAS wyposażonego w plazmowe źródło jonów naszej konstrukcji. Zaimplantowany materiał został następnie wygrzany w argonie przez 20 min. w t = 1600°C. Przeprowadzono badania rozkładów głębokościowych SIMS oraz rozpraszania mikro-ramanowskiego. Z pomiarów metodą c-TLM wyznaczono wartości rezystancji charakterystycznej kontaktów. Pomiary Halla wykazały, że koncentracja nośników w warstwie implantowanej p⁺ o grubości 350 nm zawiera się w przedziale 3...4 · 10¹⁸ cm⁻³ Gęstość prądu wytworzonych diod osiąga maksymalną wartość 220 A/cm² przy polaryzacji w kierunku przewodzenia 10 V, natomiast napięcie przebicia zawiera się w granicach 550...600 V.
EN
We report on fabrication and characterization of 4H-SiC p-i-n diodes. In order to obtain p⁺ -type layer, a four energy Al box-like profile was implanted with atotal fluence of 7,1 • 10 ¹¹ cm ⁻² at 500°C, using the UNIMAS ion implanter equipped with a plasma ion source of our construction. Implanted material was subsequently annealed for 20 min at 1600°C in argon. SIMS depth profiling and micro-Raman scattering investigations we re performed. The values of specific contact resistance were determined by the c-TLM method. The performed Hall measurements have shown that 350 nm thick p⁺ layers are charac­terized by carrier concentration of 3...4 • 10 ¹⁸ cm ⁻³. The fabricated diodes have probed forward current density up to 220 A/cm² at 10 V forward drop and 550...600 V breakdown voltages.
15
Badania optyczne politypów 6H-SiC oraz 15R-SiC poddanych wielokrotnej implantacji jonami glinu w podwyższonej temperaturze
Kulik M., Żuk J., Rzodkiewicz W., Pyszniak K., Droździel A., Turek M., Prucnal S., Sochacki M., Szmidt J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2008
|
Vol. 49, nr 7-8
15-18
PL
Praca przedstawia wyniki badań kryształu 6H-SiC zawierającego inkluzję politypu 15R-SiC zaimplantowanego jonami Al⁺. Zastosowano techniki analizy optycznej: elipsometrii spektroskopowej oraz mikro-ramanowskiego rozpraszania światła. Wielokrotną implantację wykonano przy użyciu implantatora UNIMAS ze zmodyfikowanym źródłem jonów przy pięciu różnych energiach i dawkach. Temperatura próbki w czasie implantacji wynosiła 500°C. Badania metodami mikro-Ramana i elipsometrii spektroskopowej wykazały powstawanie obszarów amorficznych po procesie implantacji w warstwie przypowierzchniowej w przypadku obu politypów SiC.
EN
The paper presents results of spectroscopic ellipsometry and micro-Raman scattering studies of Al⁺ ion-implanted 6H-SiC containing 15R-SiC polytype inclusion. Multiple implantation with 5 different Al⁺ energies and fluences was performed using the UNIMAS ion implanter with a modified ion source. The sample temperature was maintained at 500°C during the implantation process. Micro-Raman scattering and spectroscopic ellipsometry investigations indicate the formation of post-implantation amorphous regions in a subsurface region of both SiC polytypes.
16
Stanowisko do badania rozpylania jonowego wiązkami średniej energii
Pyszniak K., Turek M., Droździel A., Sielanko J., Mączka D.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2007
|
Vol. 48, nr 10
51-54
PL
Przedstawiono nowe stanowisko pomiarowe, skonstruowane w Instytucie Fizyki UMCS, służące do badania procesu rozpylania w trakcie bombardowania ciał stałych wiązkami jonów o średnich energiach. Zaprezentowano szczegółową analizę doboru parametrów pracy układu, mającą na celu uzyskiwanie dobrej jakości widm masowych rozpylanych substancji, przy jednocześnie zadowalającej wartości natężenia mierzonych prądów jonowych.
EN
In the paper new experimental apparatus for ion beam sputtering studies is presented. The set-up employs medium energy (20...70 keV) ion beams produced by electromagnetic mass separator. The detailed analyze of work parameters optimization is described. The goal of the optimization is to obtain good-quality mass spectra of sputtered substances keeping satisfactory level of sputtered ions current.
17
Rozbieżności wiązki jonowej emitowanej ze źródła z katodą wnękowa : pomiary i symulacje komputerowe
Pyszniak K., Meldizon J., Droździel A., Prucnal S., Sielanko J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2003
|
Vol. 44, nr 11
16-18
PL
W artykule przedstawione są badania ekstrakcji i rozbieżności wiązki jonowej w zależności od gęstości plazmy wyładowania łukowego. Wiązkę jonów argonu uzyskiwano ze źródła z katodą wnękową. Jednocześnie wykonano symulacje komputerowe dotyczące rozkładu gęstości prądu w wiązce jonów. Porównanie wyników eksperymentalnych i symulacyjnych wykazało poprawność założonego w symulacjach modelu (uwzględniającego ładunek przestrzenny).
EN
We report in the article the investigation of the ion beam divergence in the dependence on the plasma arc density obtained from the cathode current change. The dependence of the ion argon current intensity on the extracted to produce the argon ion beam. The computer simulation of the density of ion current in the ion beam was performed for the ion current intensity at 20 pA using the program TRQR.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.