PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Stress degradation of Ta2O5 films on silicon
Novkovski N., Atanassova E.
Prace Naukowe Instytutu Podstaw Elektrotechniki i Elektrotechnologii Politechniki Wrocławskiej. Konferencje
|
2004
|
Vol. 40, nr 15
16-19
EN
Degradation of interface and film properties during constant voltage and constant current stress of Ta2O5 films grown on silicon was studied. It was shown that the degradation consists of positive and negative charge trapping and thinning of the extremely thin silicon dioxide created between the Ta2O5 and the silicon substrate.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.