Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Opracowanie technologii płytek podłożowych do homoepitaksji wiązką molekularną szerokoprzerwowych półprzewodników AII--BVI oraz budowa uproszczonego stanowiska do tego procesu

Mycielski A., Szadkowski A., Kaliszek W., Witkowska B., Kowalczyk L., Łusakowska E., Domagała J., Bąk-Misiuk J., Jędrzejczak A., Zieliński M., Adamczewska J., Adamiec K., Rutkowski J., Dobrowolski W., Gładki A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2000

Vol. 41, nr 2

3-8

Opisano wytwarzanie gotowych do epitaksji podłoży z szerokoprzerwowych związków pólprzewodnikowych AII--BVI, to znaczy - uzyskiwanie super czystych pierwiastków, syntezę materiału źródłowego do krystalizacji, krystalizacja metodą transportu w fazie gazowej, wycinanie zorientowanych rentgenowsko płytek podłożowych i ich obróbka mechaniczna oraz metody przygotowania powierzchni "epi-ready", jak również budowa uproszczonej wersji stanowiska MBE do pokrywania płytek podłożowych warstwą homoepitaksjalnń. Przedstawiono wyniki charakteryzacji kryształów i płytek podłożowych.

The technology of the "epi-ready" substrate plates (for MBE) of the wide-gap AII-BVI semiconductor compounds, i.e. - preparation of the ultra pure elements, synthesis of the source material, crystallization by the physical vapour transport technique, cutting of the oriented plates, mechano-chemical polishing and preparation of the "epi-ready" surface - is described, as well as the construction of a simplified version of the MBE setup for covering the substrate plates with the homoepitaxial layer. The results of the characterization of the substrate crystals and plates are presented.

Gate-controlled narrow band gap photodiodes passivated with RF sputtered dielectrics

Rutkowski J., Wenus J., Gawron W., Adamiec K.

Opto-Electronics Review

1999

Vol. 7, No. 2

97-101

Gate-controlled diodes were made by using evaporated indium electrodes overlapping the edge of mesa diodes, isolated from the surface by a layer of ZnS or by native anodic oxide of InSb or HgCdTe. The resulting three-terminal device characteristics with gate voltage as a parameter have been investigated. Relative spectral responses and I-V characteristics were measured at 77 K. The R₀A product is used as an indicator of the dark current of photodiodes passivated with ZnS layer. A plot of R₀A values versus gate potential shows that the optimum R₀A values are obtained at small positive gate bias voltage. This dependence is consistent with surface recombination influencing the R₀A product. The results of a two-dimensional model for calculating gate-induce surface leakage currents due to band-to-band tunnelling are presented. The exact quantitative comparison cannot be made between our results and theory, since the active tunnelling area is not known.