PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 8

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Wpływ rozmieszczenia pustek lutowniczych na parametry cieplne tranzystorów MOSFET
Pietruszka Adrian, Górecki Paweł, Tarasiuk Jacek, Skwarek Agata
Przegląd Elektrotechniczny
|
2022
|
R. 98, nr 9
94--98
PL
W artykule opisano wpływ występowania oraz lokalizacji dużych pustek w połączeniu lutowanym pada termicznego na parametry cieplne tranzystora MOSFET. Na potrzeby realizacji prac badawczych zaprojektowano i wykonano serię próbek testowych, których parametry termiczne zmierzono za pomocą pośredniej metody elektrycznej. Przeprowadzono analizę statystyczną otrzymanych wyników oraz wykonano zdjęcia RTG pada termicznego wybranych próbek testowych. W niniejszym artykule analizowano wpływ występowania pustek lutowniczych w padzie termicznym, na parametry termiczne tranzystora MOSFET. Określono wpływ lokalizacji pustek wewnątrz połączenia lutowanego.
EN
The article describes the influence of the occurrence and location of large voids in the solder joint at the thermal pad of the MOSFET transistor influencing its thermal parameters. For the purposes of the research work, a series of test samples were designed and fabricated, the thermal parameters were measured using an indirect electrical method. Statistical analysis of the obtained results was performed and X-ray images of the thermal pad of selected test samples were taken. This paper analyzes the effect of the presence of solder voids in the thermal pad, on the thermal parameters of the MOSFET transistor. The effect of the location of the voids inside the solder joint was determined.
2
Content available remote Wpływ postaci modelu termicznego na dokładność obliczania charakterystyk statycznych modułu IGBT
Górecki Krzysztof, Górecki Paweł
Przegląd Elektrotechniczny
|
2022
|
R. 98, nr 9
158--161
PL
W pracy przeanalizowano wpływ postaci modelu termicznego modułu IGBT na dokładność obliczeń jego charakterystyk statycznych. Moduł taki zawiera we wspólnej obudowie kilka struktur półprzewodnikowych. W rozważanym module zachodzi zjawisko samonagrzewanie w każdej strukturze półprzewodnikowej oraz wzajemne sprzężenia cieplne między każdą parą tych struktur. Rozważania przeprowadzono dla modułu zawierającego 2 tranzystory IGBT i dwie diody połączone w jedną gałąź falownika oraz termistor. Badania przeprowadzono przy wykorzystaniu programu SPICE uwzględniając 4 rodzaje modeli termicznych modułu. Pierwszy z nich nie uwzględnia ani samonagrzewania, ani wzajemnych sprzężeń cieplnych. Drugi uwzględnia jedynie samonagrzewanie w poszczególnych strukturach półprzewodnikowych. Trzeci model uwzględnia oba zjawiska cieplne charakteryzowane przez rezystancje termiczne o ustalonej wartości. Czwarty model uwzględnia oba zjawiska cieplne oraz zależność rezystancji termicznej od mocy traconej w poszczególnych strukturach półprzewodnikowych. Wyniki obliczeń porównano z wynikami pomiarów uzyskanych dla trzech różnych warunków chłodzenia. Przedyskutowano zakres zastosowań poszczególnych modeli.
EN
This paper analyzes the influence of the form of the thermal model of the IGBT module on the accuracy of computations of their DC characteristics. Such a module contains several semiconductor dies in a common case. In such a module, the phenomenon of self-heating occurs in each semiconductor die and mutual thermal couplings between each pair of these dies. Considerations are made for the module containing 2 IGBTs and two diodes connected into one branch of the inverter and a thermistor. The investigations are carried out with the use of SPICE software, taking into account 4 types of thermal models of this module. The first one does not take into account either self-heating or mutual thermal couplings. The second takes into account only self-heating in individual semiconductor dies. The third model takes into account both thermal phenomena characterized by thermal resistances of a fixed value. The fourth model takes into account both thermal phenomena and the dependence of the thermal resistance on the power lost in individual semiconductor dies. The calculation results are compared with the measurement results obtained for three different cooling conditions. The range of application of individual models is discussed.
3
Content available remote Wpływ modeli komponentów RLC na charakterystyki filtrów sieciowych
Górecki Krzysztof, Górecki Paweł
Przegląd Elektrotechniczny
|
2021
|
R. 97, nr 12
183--186
PL
W pracy przeanalizowano właściwości wybranych filtrów sieciowych przy wykorzystaniu symulacji komputerowych. W szczególności zwrócono uwagę na wpływ parametrów pasożytniczych komponentów RLC na charakterystyki częstotliwościowe takich filtrów. Wykazano, że w zakresie wysokich i bardzo wysokich częstotliwości kluczowe znaczenie dla skutecznego filtrowania zakłóceń mają niedoskonałości zastosowanych komponentów.
EN
In this paper the properties of selected network filters are analysed with the use of computer simulations. In particular, attention is paid to the influence of parasitic parameters of RLC components on the frequency characteristics of such filters. It has been shown that in the high and very high frequency range, non-idealities of the components used are of key importance for effective interference filtering.
4
Content available remote Ocena technologii montażu tranzystorów IGBT w obudowie TO-220 przez testy trwałości
Brzozowski Ernest, Sadowski Oskar, Górecki Paweł, Górecki Krzysztof, Kisiel Ryszard, Guziewicz Marek
Przegląd Elektrotechniczny
|
2021
|
R. 97, nr 11
117--121
PL
Przedstawiono wyniki testów starzeniowych tranzystorów bipolarnych z izolowaną bramką (IGBT) typu STGP10NC60KD, dostępnych komercyjnie oraz tranzystorów SIGC11T60NC zmontowanych do przepustów TO-220 następującymi metodami: 1) spiekania mikroproszku srebra, 2) klejenia żywicą, 3) lutowania, 4) lutowania z podkładką Ag. Przeprowadzono dwa kolejne testy: 1) obciążenie prądem stałym 10 A przez 100 h, 2) włączanie i wyłączanie na 5 i 10 minut, 850 przełączeń. Najlepszą trwałość wykazały przyrządy zmontowane metodą lutowania.
XX
The paper presents aging test results of commercial insulated gate bipolar (IGBT) transistors STGP10NC60KD and SIGC11T60NC transistors mounted onto Ni-plated TO-220 packages by four different methods: 1) sintering of silver micropowder, 2) by resin bonding, 3) soldering and 4) soldering with distancer. Two aging tests were performed: 1) dc load 10 A for 100 h, 2) 850 ON / OFF cycles for 5 and 10 minutes respectively. The best aging durability was observed in devices mounted by soldering.
5
Content available Application of the Averaged Model of the Diode-transistor Switch for Modelling Characteristics of a Boost Converter with an IGBT
Górecki Paweł
International Journal of Electronics and Telecommunications
|
2020
|
Vol. 66, No. 3
555--560
EN
DC-DC converters are popular switch-mode electronic circuits used in power supply systems of many electronic devices. Designing such converters requires reliable computation methods and models of components contained in these converters, allowing for accurate and fast computations of their characteristics. In the paper, a new averaged model of a diode-transistor switch containing an IGBT is proposed. The form of the developed model is presented. Its accuracy is verified by comparing the computed characteristics of the boost converter with the characteristics computed in SPICE using a transient analysis and literature models of a diode and an IGBT. The obtained results of computations proved the usefulness of the proposed model.
6
Content available remote Ocena przydatności modeli firmy Infineon do modelowania tranzystorów IGBT
Górecki Paweł
Przegląd Elektrotechniczny
|
2019
|
R. 95, nr 10
134--137
PL
W pracy przedstawiono ocenę przydatności wybranych modeli tranzystora IGBT, które są dostępne na stronie firmy Infineon. Przedstawiono strukturę rozważanych modeli, przy wykorzystaniu których przeprowadzono obliczenia wybranych charakterystyk tranzystora IGBT. Uzyskane przy wykorzystaniu rozważanych modeli wyniki obliczeń porównano z wynikami pomiarów uzyskanymi dla różnych warunków pracy tego elementu.
EN
In this paper, evaluation of accuracy of the selected models of IGBT, which are available at Infineon web-site is presented. Structures of the considered models and results of computations made using these models are presented. Obtained results of computations are compared with results of measurements made for different operating conditions of the IGBT.
7
Content available remote Modelowanie wpływu zewnętrznego pola elektromagnetycznego na charakterystyki wybranych elementów elektronicznych
Górecki Krzysztof, Zarębski Janusz, Stepowicz Witold J., Górecki Paweł, Bisewski Damian, Detka Kalina, Ptak Przemysław, Dąbrowski Jacek, Godlewska Małgorzata, Bargieł Kamil, Szelągowska Joanna
Przegląd Elektrotechniczny
|
2019
|
R. 95, nr 10
130--133
PL
W pracy zaproponowano sposób modelowania właściwości elementów półprzewodnikowych przy uwzględnieniu wpływu zewnętrznego pola elektromagnetycznego. Przedstawiono koncepcję modelowania rozważanych elementów za pomocą programu SPICE oraz pokazano postać hybrydowego modelu elementu półprzewodnikowego uwzględniającego oddziaływanie rozważanego pola na przebiegi napięcia i prądu elementu półprzewodnikowego. Rozważania szczegółowe przeprowadzono na przykładzie diody p-n. Przedstawiono i przedyskutowano wyniki obliczeń charakterystyk statycznych i dynamicznych tej diody. Wskazano, przy jakich wartościach parametrów pola elektromagnetycznego widoczny jest jego wpływ na rozważane charakterystyki.
EN
This paper proposes the manner of the modelling properties of semiconductor devices with an influence of the external electromagnetic field taken into account. The idea of modelling considered devices by means of the SPICE software is presented and the form of the hybrid model of the semiconductor device taking into account the influence of considered field on courses of the voltage and the current of this device is shown. Detailed considerations were passed on the example of the p-n diode. Results of calculations of dc and dynamic characteristics of this diode are presented and discussed. It is shown, at which values of parameters characterising electromagnetic field its influence on considered characteristics is visible.
8
Content available Compact Thermal Models of Semiconductor Devices : a Review
Górecki Krzysztof, Zarębski Janusz, Górecki Paweł, Ptak Przemysław
International Journal of Electronics and Telecommunications
|
2019
|
Vol. 65, No. 2
151--158
EN
In the paper the problem of modelling thermal properties of semiconductor devices with the use of compact models is presented. This class of models is defined and their development over the past dozens of years is described. Possibilities of modelling thermal phenomena both in discrete semiconductor devices, monolithic integrated circuits, power modules and selected electronic circuits are presented. The problem of the usefulness range of compact thermal models in the analysis of electronic elements and circuits is discussed on the basis of investigations performed in Gdynia Maritime University.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.