Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Przegląd Elektrotechniczny

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Calculation of the ultimate efficiency of p-n-junction solar cells taking into account the semiconductor absorption coefficient

Tivanov M., Moskalev A., Kaputskaya I., Żukowski P.

Przegląd Elektrotechniczny

2016

R. 92, nr 8

85--87

A model based on the famous model of Shockley–Queisser for calculation the ultimate efficiency of solar cells has been proposed, taking into account the dependence of the semiconductor absorption coefficient on the band-gap and on the energy of the incident photons. The dependence of the ultimate efficiency of solar cells on thickness of the absorption layer was found out for homogeneous solar cells.

Opierając się na znanym modelu Shockley`a–Queisser`a do obliczeń maksymalnej sprawności ogniw słonecznych, zaproponowano model biorąc pod uwagę zależność współczynnika absorpcji półprzewodników od pasma wzbronionego oraz energii padających fotonów. Określono zależność maksymalnej sprawności ogniw słonecznych od grubości warstwy absorpcyjnej dla jednorodnych ogniw słonecznych.

Determination of Cu(In,Ga)(S,Se)2–solar cell parameters from quantum efficiency spectra

Tivanov M., Moskalev A., Patryn A.

Przegląd Elektrotechniczny

2015

R. 91, nr 9

188-190

A method for calculation of the Cu(In,Ga)(S,Se)2-layer parameters (space-charge region width, diffusion length, built-in potential and concentration of non-compensated acceptors) in solar cell is proposed. The method is based on analysis of the quantum efficiency spectra within the framework of a solar-cell unidimensional model.

Zaproponowano metodę wyznaczania parametrów Cu(In,Ga)(S,Se)2 ogniw słonecznych (szerokość obszaru ładunku przestrzennego, długość drogi dyfuzji nośników, wbudowane pole elektryczne, koncentracja nieskompensowanych domieszek akceptorowych). Metoda bazuje się na analizie widma wydajności kwantowej ogniwa w ramkach modelu jednowymiarowego.