Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Specific method of deposition of aluminium-doped zinc oxide thin films on flexible glass substrates

Kiełczawa Szymon, Wiatrowski Artur

Przegląd Elektrotechniczny

|

2022

|

R. 98, nr 9

247--250

EN

In this paper, we report specific method of controlling magnetron sputtering process by parameter named by the power supply manufacturer as “circulating power”. That parameter may be used to determine sputtering mode (metallic, transient, dielectric). Basing on the circulating power characteristics the AZO thin films were deposited onto conventional (non-bendable) and bendable glass substrates. The films were characterized by high optical transmittance (over 80% in visible light spectrum) and low resistivity, which was in range of 10-3 Ω∙cm.

PL

W artykule przedstawiono specyficzną metodę sterowania procesem rozpylania magnetronowego za pomocą parametru nazwanego przez producenta zasilacza “mocą krążącą”, który użyto do określenia modu rozpylania (metaliczny, przejściowy, dielektryczny). Na podstawie charakterystyk mocy krążącej cienkie warstwy AZO zostały naniesione na konwencjonalne oraz giętkie podłoża szklane. Warstwy te posiadały dużą transmisją światła (powyżej 80% w zakresie widzialnym światła) oraz niską rezystywnością (na poziomie 10-3 Ω∙cm).

2

Wpływ wygrzewania na właściwości cienkich warstw tlenku wanadu

Kiełczawa Szymon, Lubańska Aneta, Mazur Michał, Wiatrowski Artur

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2021

|

Vol. 62, nr 4

18--20

PL

W pracy przedstawiono wyniki badań wpływu wygrzewania na właściwości cienkich warstw tlenków wanadu (VxOy) wytworzonych metodą rozpylania magnetronowego. Cienkie warstwy bezpośrednio po naniesieniu oraz po wygrzewaniu w 200°C zostały poddane badaniom strukturalnym, optycznym oraz elektrycznym. Współczynnik transmisji cienkich warstw po wygrzewaniu zmniejszył się z około 70% na 50%. Z kolei rezystywność cienkiej warstwy tlenku wanadu po naniesieniu wynosiła 3.4·10⁴ Wcm, natomiast powłoki po wygrzaniu 1.6·10² Wcm. Badania współczynnika Seebecka wykazały, że wraz ze wzrostem różnicy temperatury między kontaktami elektrycznymi następuje zmiana typu przewodnictwa z dziurowego na elektronowy, a wygrzanie warstwy spowodowało uwydatnienie elektronowego typu przewodnictwa.

EN

This paper provides the research results of the influence of the post-process annealing of vanadium oxide (VxOy) thin films deposited by magnetron sputtering on their properties. As-deposited and annealed at 200°C thin films were analysed by means of their structural, optical and electrical properties. The transmission of thin films after annealing decreased from ca. 70% to 50%. In turn, the resistivity of the vanadium oxide thin films was equal to 3,4·10⁴ Wcm, while after post-process annealing it decreased to 1.6·10² Wcm. The studies of the Seebeck coefficient showed that with the increase of the temperature difference between the electrical contacts, the type of conductivity changes from hole to electron type, while the annealing of the layer enhances the electronic type of conductivity.

3

Otrzymywanie cienkowarstwowych układów elektrochromowych na bazie tlenku wolframu metodą magnetronowego rozpylania. Cz. 1

Wierdak Bartłomiej, Posadowski Witold, Wiatrowski Artur

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2021

|

Vol. 62, nr 3

28--32

PL

W pracy przedstawiono wyniki badań procesu nanoszenia cienkich warstw tlenków wolframu metodą reaktywnego, impulsowego rozpylania magnetronowego. Warstwy te zostały zastosowane jako komponent cienkowarstwowego układu elektrochromowego. Proces osadzania warstw tlenku wolframu WOx był kontrolowany parametrami zasilacza magnetronu. W kolejnych cyklach próżniowych zmieniano skład procentowy mieszaniny gazów O₂+Ar oraz moc wydzielaną w targecie. Parametry technologiczne procesów rozpylania optymalizowano pod kątem uzyskania efektywnego zjawiska elektrochromowego, tzn., maksymalnego wpływu napięcia polaryzującego na zmianę własności optycznych (barwy) otrzymanych warstw. Celem badań było ustalenie punktu pracy układu magnetronowego, przy którym możliwe było otrzymywanie przezroczystych warstw tlenku wolframu, a następnie zastosowanie tych warstw jako elementu układu elektrochromowego. Badania prowadzono pod katem ustalania etapów procedury know-how przy ewentualnym wykorzystaniu opisanej technologii w procesach otrzymywania układów elektrochromowych na skalę półprzemysłową.

EN

The paper presents the research results on the deposition process of tungsten oxides thin films using reactive, pulsed magnetron sputtering method. These thin films were used as a component of a thin-film electrochromic structure. The deposition process of tungsten oxide WOx thin films was controlled by the parameters of the magnetron power supply. In subsequent vacuum cycles, the percentage composition of the O₂+Ar gas mixture and the power released in the target were changed. The technological parameters of the sputtering processes were optimized in order to obtain an effective electrochromic effect, i.e. the maximum influence of the polarizing voltage on the change of optical properties (colour) of the obtained coatings. The aim of the research was to determine the operating point of the magnetron system at which it was possible to obtain transparent tungsten oxide thin films, and then use these films as an element of the electrochromic structrure. The research was carried out with a view to determining the stages of the know-how procedure with the possible use of the described technology in the processes of obtaining electrochromic structures on a semi-industrial scale.

4

IQRF : standard sieci bezprzewodowej dla Internetu Rzeczy

Chodasewicz Paweł, Domaradzki Jarosław, Wiatrowski Artur

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2020

|

Vol. 61, nr 10

17--21

PL

W niniejszej pracy omówiono zagadnienia związane z rozwojem nowych standardów komunikacyjnych sieci bezprzewodowych, przeznaczonych dla potrzeb Internetu Rzeczy. W szczególności, w pracy zaprezentowany został standard IQRF jako przykład standardu, który umożliwia budowę prototypowych sieci bezprzewodowych w stosunkowo prosty sposób. Artykuł zawiera krótki przegląd możliwości technologii IQRF oraz proste przykłady implementacji tego standardu.

EN

In the present work, the issues related to the development of new wireless communication standards intended for the Internet of Things are discussed. In particular, the IQRF standard has been presented as an example of standard which allows on construction of prototype wireless networks in a relatively simple manner. The paper contains a short review of IQRF technology and some simple examples of the implementation of this standard.

5

Badanie właściwości cienkich warstw tlenków cynku otrzymywanych metodą reaktywnego impulsowego rozpylania magnetronowego

Wiatrowski Artur, Posadowski Witold, Wojcieszak Damian, Mazur Michał, Obstarczyk Agata, Zięba Aneta

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2019

|

Vol. 60, nr 7

10--13

PL

W pracy przedstawiono wyniki badań technologii otrzymywania warstw ZnOx metodą impulsowego reaktywnego rozpylania magnetronowego. Badano charakterystyki elektryczne procesów reaktywnych podczas rozpylania targetu Zn w obecności mieszaniny argon + tlen, identyfikując mod rozpylania magnetronowego. Określono warunki technologiczne, przy których osadzone warstwy miały właściwości zbliżone do właściwości stechiometrycznego tlenku cynku. Morfologia przekroju powierzchni wytworzonych warstw wskazała na budowę matrycy/osnowy dielektrycznej z wtrąceniami metalicznymi przy małym poziomie mocy krążącej, gdy strukturę włóknistą/kolumnową miały warstwy otrzymane przy dużych wartościach mocy krążącej. Współczynnik załamania światła wytworzonych warstw był w zakresie 1,97 ÷ 1,98. Badania przedstawione w pracy pokazały, że parametry procesu osadzania miału duży wpływ na wartość współczynnika ekstynkcji światła.

EN

This paper provides the results of research investigation of pulsed reactive magnetron sputtering method for preparation of ZnOx thin films. For identification the magnetron sputtering mode, the electrical characteristics of the reactive processes during sputtering of Zn target in the mixed argon + oxygen atmosphere were investigated. Technological conditions at which deposited films had properties similar to stoichiometric zinc oxide were determined. The morphology of films crosssection indicate that the structure of dielectric matrix/wrap with metallic inclusions was obtained at a low level of circulating power, while coatings obtained at high circulating power values had fibrous/column structure. The refractive index of the prepared films was in the range of 1.97 to 1.98. Research presented in this work showed that the parameters of sputtering had an effect on the value of the extinction coefficient.

6

Analiza właściwości antystatycznych cienkich warstw na bazie tlenków Hf i Ti w powiązaniu z ich mikrostrukturą

Pastuszek Roman, Mazur Michał, Kaczmarek Danuta, Domaradzki Jarosław, Wiatrowski Artur

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2019

|

Vol. 60, nr 7

18--20

PL

W pracy przedstawiona została analiza właściwości antystatycznych cienkowarstwowych powłok na bazie tlenków Hf oraz Ti w powiązaniu z ich właściwościami strukturalnymi. Cienkie warstwy badane w ramach pracy wytworzone zostały za pomocą metody rozpylania magnetronowego na podłożach SiO₂ oraz SiO₂ pokrytych warstwą tlenku indowo-cynowego o grubości 150 nm. Właściwości antystatyczne zostały określone na podstawie pomiaru czasu rozpraszania ładunku statycznego, natomiast właściwości strukturalne na podstawie badania metodą dyfrakcji rentgenowskiej XRD. Badania metodą XRD wykazały, warstwy HfO₂, (Hf0,85Ti0,15)Ox oraz TiO₂ były nanokrystaliczne, a ich średni rozmiar krystalitów wynosił poniżej 10 nm. Z kolei powłoka (Hf0,15Ti0,85)Ox była amorficzna. Dla wszystkich warstw naniesionych na SiO₂ czasy rozpraszania ładunku przekraczały 2 sekundy wynikające z przyjętego kryterium antystatyczności. Najdłuższym czasem rozpraszania charakteryzowała się warstwa amorficzna. Naniesienie warstw na podłoże SiO₂ pokryte 150 nm warstwą ITO spowodowało, że wszystkie warstwy niezależnie od ich mikrostruktury były antystatyczne, a czasy rozpraszania ładunku elektrycznego były rzędu setek milisekund.

EN

This work presents the analysis of antistatic properties of thinfilm coatings based on Hf and Ti oxides in relation to their structural properties. Investigated thin films were sputtered by the magnetron sputtering method on SiO₂ substrates and deposited SiO₂ covered with a 150 nm thick indium-tin oxide film. Antistatic properties were determined based on the measurements of static charge dissipation time, while structural properties based on X-ray diffraction. The XRD results showed, that HfO₂, Hf0.85Ti0.15x and TiO₂ thin films were nanocrystalline with an average crystallite size below 10 nm. Hf0.15Ti0.85Ox film was amorphous. For films deposited on SiO₂ the dissipation times exceeded 2 seconds, which indicated that none of them were antistatic taking into consideration with accepted cryterion. The longest dissipation time was obtained for amorphous coating. Deposition of thin films on SiO₂ substrates coated with a 150 nm thick ITO layer results in a significate decrease of static charge dissipation time to hundreds of milliseconds, independently of their structural properties.