PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 5

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available Intermetallic compound layer formation in indium-based micro-bump array fabrication technology for IR detectors
Kozłowski Paweł, Jasik Agata, Łaszcz Adam, Czuba Krzysztof, Chmielewski Krzysztof, Zdunek Krzysztof
Opto-Electronics Review
|
2024
|
Vol. 32, No. 1
art. no. e148833
EN
This work reports on the investigation of homogeneity of the inside of indium micro-bumps/ columns placed on Ti/Pt/Au under bump metallisation. This is very important for connection resistivity, long-time durability, and subsequent hybridisation process (e.g., die-bonding). Gold reacts with indium to form intermetallic alloys with different chemo-physical parameters than pure indium. The geometrical and structural parameters of intermetallic alloys were analysed based on transmission electron microscope images. Distribution of elements in the investigated samples was determined using the transmission electron microscope with energy dispersive spectroscopy method. A thickness of intermetallic alloy was 1.02 μm and 1.67 μm in non-annealed (A) and annealed (B) indium columns, respectively. The layered and column-like interior structure of alloys was observed for both samples, respectively, with twice bigger grains in sample B. The graded chemical composition of Au-In intermetallic alloy was detected for the non-annealed In columns in contrast to the constant composition of 40% of Au and 60% of In for the annealed sample B. The atomic distribution has a minor impact on the In column mechanical stability. A yield above 99% of an In column with a 25 μm diameter and a 11 μm height is possible for a uniform columnar structure of intermetallic alloy with a thickness of 1.67 μm.
2
Content available The growth and characterisation of type I GaSb/AlSb superlattice with a thin GaSb layer
Fokt Maciej, Jasik Agata, Sankowska Iwona, Mączko Herbert S., Paradowska Karolina M., Czuba Krzysztof
Opto-Electronics Review
|
2023
|
Vol. 31, No. 4
art. no. e147912
EN
This paper presents results of the characterisation of type I GaSb/AlSb superlattices (SLs) with a thin GaSb layer and varying thicknesses of an AlSb layer. Nextnano software was utilized to obtain spectral dependence of absorption and energy band structure. A superlattice (SL) with an energy bandgap of ~ 1.0 eV and reduced mismatch value was selected for experimental investigation. SLs with single (sample A) and double (sample B) AlSb barriers and a single AlSb layer (sample C) were fabricated using molecular beam epitaxy (MBE). Optical microscopy, high-resolution X-ray diffractometry, and photoluminescence were utilized for structural and optical characterisation. The presence of satellite and interference peaks in diffraction curves confirms the high crystal quality of superlattices. Photoluminescence signal associated with the superlattice was observed only for sample B and contained three low-intensity peaks: 1.03, 1.18, and 1.25 eV. The first peak was identified as the value of the energy bandgap of the SL. Other two peaks are related to optical transitions between defect states located at the interface between the SL and the top AlSb barrier. The time-dependent changes observed in the spectral characteristics are due to a modification of the SL/AlSb interface caused by the oxidation and hydroxylation of the AlSb layer.
3
Content available remote Technologia MBE struktur fotorezystorów LWIR na bazie SL II rodzaju
Jasik Agata, Sankowska Iwona, Czuba Krzysztof, Smoczyński Dariusz, Kotowski Mateusz
Przegląd Elektrotechniczny
|
2019
|
R. 95, nr 9
115--118
PL
W artykule przedstawiono wybrane aspekty dwuetapowej optymalizacji supersieci II rodzaju InAs/GaSb stosowanych w konstrukcji fotodetektorów długofalowego promieniowania podczerwonego. Pierwszy etap miał na celu opracowanie wzrostu struktur periodycznych potwierdzonych badaniami dyfrakcyjnymi, natomiast drugi redukcję defektów punktowych na ich powierzchni. Zademonstrowano wpływ grubości obszarów międzyfazowych InSb na gęstość defektów oraz wpływ defektów na właściwości fotorezystorów. Uzyskano przyrządy o krawędzi absorbcji ok. 9,3 μm pracujące bez chłodzenia kriogenicznego (do 225 K).
EN
The article presents selected aspects of the two-stage optimization of type II InAs/GaSb superlattice for the use in photodetectors of the long-wavelength-infrared radiation. The first stage was to develop the growth of the periodic structures confirmed by x-ray diffraction studies, and the second one to reduce density of the point defects on the superlattice surface. The effect of the thickness of InSb interfaces on the defect density and the impact of defects on the photoconductor properties was shown. The photoconductors with absorption cut-off wavlength of about 9.3 μm and an current responsivity (Ri) detecteble in a wide temperature range of up to 225 K were obtained.
4
Content available remote Samoorganizujące się warstwy organiczne – badania nad zastosowaniem do pasywacji antymonkowych detektorów podczerwieni
Papis-Polakowska Ewa, Czuba Krzysztof, Runka Tomasz, Martyński Tomasz, Makowiecki Jarosław, Jasik Agata
Przegląd Elektrotechniczny
|
2019
|
R. 95, nr 9
119--122
PL
W artykule, przedstawiono wyniki mikroskopii sił atomowych (AFM), spektroskopii Ramana i analizy kąta zwilżania samoorganizującej się warstwy oktadekanotiolu (ODT) na powierzchni (100) GaSb. Warstwę ODT otrzymaną zanurzeniowo z roztworu 10 mM ODT-C2H5OH, zastosowano jako pierwszy etap dwustopniowej pasywacji, który połączony z drugim etapem polegającym na osadzaniu warstwy SiO2, poprawił znacząco parametry elektryczne detektora podczerwieni wykonanego z supersieci II-rodzaju InAs/GaSb.
EN
The paper presents the results of the AFM, Raman spectroscopy and the contact angle analysis obtained for the self-assembled octadecanethiol (ODT) monolayer on the (100) GaSb surface. The ODT monolayer created from the 10 mM ODT-C2H5OH solution, together with additionally deposited SiO2 layer, were successfully used as the two-step passivation of the II-type superlattice InAs/GaSb infrared photodetector.
5
Content available remote Metodyka określania parametrów elektrycznych warstw GaSb osadzonych na przewodzącym podłożu
Kotowski Mateusz, Czuba Krzysztof, Smoczyński Dariusz, Jasik Agata
Przegląd Elektrotechniczny
|
2019
|
R. 95, nr 9
123--126
PL
W artykule podjęto próbę określenia parametrów warstw epitaksjalnych GaSb o różnej koncentracji atomów berylu osadzonych na przewodzących podłożach GaSb o dziurowym typie przewodnictwa. Wykorzystano do tego zaproponowany w literaturze model wielowarstwowy, który zweryfikowano przez pomiar parametrów elektrycznych warstwy GaSb osadzonej na półizolującym podłożu GaAs. Stwierdzono, że model pozwala poprawnie określać parametry elektryczne warstw wówczas, gdy przewodność całej struktury jest większa niż przewodność podłoża. W przypadku odwrotnym otrzymano zawyżone wartości ruchliwości nośników w temperaturze pokojowej w porównaniu do wartości uzyskanych w temperaturze 77 K dla koncentracji nośników ok. 5 x 1017 cm3.
EN
In the paper, an attempt was made to determine electrical parameters of GaSb:Be layers with various doping concentration grown on conductive p-type substrate. A multi-layer model proposed by Arnaudov et al [10] was used. To verify it, the model was applied to the experimental data obtained for GaSb/GaAs(SI) sample. It was proven that the model correctly calculates electrical parameters, when the conductivity of the entire sample is larger than that of a substrate. In the opposite situation, overestimated values of hole mobility at room temperature were obtained for GaSb layer with p = 5 x 1017 cm3 in comparison with correct values at 77 K.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.