Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Wykorzystanie metody indukcyjnej w nieniszczących badaniach kompozytów węglowych wzmacnianych włóknami węglowymi

Salski B., Korpas P., Reszewicz Sz., Gwarek W., Kopyt P.

Przegląd Telekomunikacyjny + Wiadomości Telekomunikacyjne

|

2015

|

nr 6

636--639

PL

Zaprezentowano wyniki badań nieniszczących kompozytów polimerowych wzmacnianych włóknami węglowymi, wykonywanych przy pomocy indukcyjnych czujników RF. Zaproponowana metoda jest relatywnie tania, ze względu na zastosowaną technikę produkcji czujników na laminacie powszechnie stosowanym w elektronice, oraz pozwala znacznie ograniczyć czas inspekcji, dzięki możliwości zastosowania matrycy czujników. Przepustowość pomiaru jest kluczowa w przypadku dużych powierzchni takich, jak kadłub.

EN

Experimental results of non-destructive testing of carbon-fibre-reinforced polymer composites, with the aid of RF inductive sensors, are presented in this paper. The proposed method is relatively inexpensive due to the fact that the sensors arę processed on a printed Circuit board widely applicable in electronics. It also allows substantially reducing inspection time if the array of RF sensors printed on a single laminate is utilized. Throughput of the measuremet plays a key role in the case of large surfaces, like fuselage, the inspection of which is still challenging to various non-destructive testing technigues.

2

Szerokopasmowy odbiornik mikrofalowy z analogową przemianą 0-IF

Rosołowski D. W., Gryglewski D., Wojtasiak W., Korpas P., Modelski J., Bogdan B.

Przegląd Telekomunikacyjny + Wiadomości Telekomunikacyjne

|

2015

|

nr 6

633--635

PL

Przedstawiono projekt odbiornika z pojedynczą, bezpośrednią przemianą kwadraturową na zakres częstotliwości od 1 GHz do 6 GHz o paśmie przetwarzania 500 MHz przy dynamice większej niż 60 dB. Opisano krytyczne elementy konstrukcji oraz przedstawiono wyniki wstępnych pomiarów kluczowej części toru radiowego. Decydujący o przydatności architektury 0-IF poziom tłumienia wstęgi bocznej po korekcji jest lepszy niż 50 dB na skraju pasma i 60 dB dla odstrojenia ± 200 MHz od środka kanału, a poziom składowej stałej w widmie nie przekracza -85 dBFS.

EN

In this paper a wideband homodyne receiver with a single quadrature frequency conversion is proposed. The receiver covers frepuencies between 1 GHz ang 6 GHz with immediate bandwidth of 500 MHz and dynamie rangę over 60 db Crucial components arę pointed and described. Initial measurement result of the most important part of the signal path arę presented. The sideband image suppression level, a critical factor for the 0-IF architecture, after the I/Q digital compensation, is better than 50 dB at the band edge and 60 dB at ± 200 MHz frequency shift. The DC-offset level is below -85 dBFS.

3

A Computer-controlled System of High-power Microwave Sources

Korpas P., Gryglewski D., Wojtasiak W., Gwarek W.

International Journal of Electronics and Telecommunications

|

2011

|

Vol. 57, No. 1

121-126

EN

The paper presents the design and hardware implementation of a computer controlled system composed of up to four high-power microwave sources. Each source provides up to 200 W of continuous wave power. Frequency of each source is stabilized within ±0.5 ppm of the nominal frequency adjustable within 2.35÷2.6 GHz range. All four sources can be synchronized to the same frequency with computer-controlled phase shift between the signals generated by each of them. The paper concentrates on the choice of components for such a system and the properties of the realized hardware implementation.

4

Charakteryzacja elektryczna ceramicznej oprawki tranzystora RF

Kopyt P., Gryglewski D., Korpas P., Wojtasiak W., Gwarek W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 9

82-85

PL

W artykule opisano sposób modelowania ceramicznej oprawki mikrofalowego tranzystora mocy. W celu przeprowadzenia pomiaru chip tranzystora został zastąpiony niesymetryczną linią, paskową o wymiarach zbliżonych do chipu i połączonych z wyprowadzeniami obudowy wieloma równoległymi połączeniami drutowymi. Na podstawie pomiarów przygotowano pełnofalowy model oprawki i wykorzystano go do znalezienia parametrów jej obwodu zastępczego.

EN

In this paper an approach to modeling of RF power transistor packages is discussed. The presented approach is based on measurements of a real package in which the transistor chip was replaced with a 2-port of known parameters and connected to the package leads with multiple parallel wirebonds. Based on measurements a full-wave model of the structure is prepared and used as an intermediary step to extract parameters of the equivalent circuit of the transistor package.