Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

To, co o węgliku krzemu wiedzieć warto

Racka-Szmidt K., Tymicki E.

Postępy Fizyki

2016

T. 67, z. 1-2

31--38

W niniejszej pracy przedstawiono podstawowe informacje dotyczące węglika krzemu (SiC) - materiału półprzewodnikowego perspektywicznego dla szeregu istotnych zastosowań w sensoryce czy spintronice, ale głównie w przyrządach półprzewodnikowych dużej mocy, wielkiej częstotliwości i wysokich temperatur. Na podstawie wybranych wyników badań przedstawiono niektóre problemy związane z wytwarzaniem i charakteryzacją monokryształów tego bardzo „trudnego” technologicznie materiału.

Wpływ domieszkowania na właściwości węglika krzemu (SiC) : przegląd

Racka-Szmidt K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2015

Vol. 56, nr 12

67-83

W pracy przedstawiono przegląd literatury dotyczący domieszkowania węglika krzemu (SiC) – materiału półprzewodnikowego perspektywicznego dla szeregu istotnych zastosowań w sensoryce, spintronice, optoelektronice oraz w przyrządach półprzewodnikowych dużej mocy, wielkiej częstotliwości i wysokich temperatur. Zaprezentowano podstawowe parametry domieszek oraz ich wpływ na właściwości elektryczne, magnetyczne i optyczne SiC. Na tle doniesień literaturowych pokazano własne wyniki badań właściwości optycznych domieszkowanych kryształów SiC otrzymanych metodą transportu fizycznego z fazy gazowej (PVT).

The paper presents a review of the literature which concerns a doping of the silicon carbide (SiC) – a semiconductor material which is a prospective material for many of important applications in sensorics, spintronics, optoelectronics and for high-power, high-frequency and high-temperature semiconductor devices. Basic parameters of dopants and their influence on electrical, magnetic and optical properties of SiC have been presented. Own results of investigations of optical properties of doped SiC crystals, obtained by physical vapor transport method (PVT), have been shown on the background of the literature.