Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Stanowisko i spiralno-wewnętrzna technika cięcia monokryształów SiC na płytki podłożowe

Hofman W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

Vol. 49, nr 7-8

31-35

PL

Omówiono stanowisko oraz technikę efektywnego cięcia monokryształów SiC na cienkie płytki przy pomocy zbrojonej diamentem krawędzi kołowego otworu tarczy stalowej. Tarcza tnąca i kryształ wirowały podczas cięcia ze zgodnymi ale różnymi prędkościami kątowymi. W efekcie krótki i malejący odcinek bieżącego kontaktu krawędzi tarczy z kryształem zakreślał spiralę Archimedesa, która zwijała się do środka przekroju kryształu. Dobrano skład, intensywność i kształt strumienia płynu chłodzącego, zapobiegającego zaszlichcaniu się kra-wędzi tnącej. Optymalizację metody wykonano dla kryształów 4H i 6H-SiC o średnicach ≤3". Uzyskano płytki o grubości porównywalnej do grubości krawędzi tnącej tarczy (650±30 μm), gdy cięto je z szybkością równą 0,8 mm/min.

EN

Instruments and efficient cutting of SiC single crystal into thin substrate wafers by means of ID diamond edge of steel blade were carried out. The blade and crystal were rotated holding constant and parallel but different angle velocities of rotations. In consequence a short and decreasing segment contact of crystal - blade circumscribed an Archimedes' spiral that was rolled to the centre of crystal cross-section. For above technique a chemical constitution, intensity and shape of cooling stream were fitted. This stream protected of saw blade from covering of its cutting edge with waste of SiC grains which are not easy removable from blade edge. Cut process was optimised for 4H and 6H-SiC crystals of diameter ≤3". The thickness of SiC wafers was close to the thickness of edge blade (650±30 μm) when cutting was executed with constant feed rate = 0,8 mm/min.

2

Badanie defektów punktowych w objętościowych monokryształach 6H-SiC otrzymanych metodą transportu fizycznego z fazy gazowej

Kozubal M., Kamiński P., Kozłowski R., Pawłowski M., Hofman W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

Vol. 49, nr 1

22-25

PL

Metoda niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej (DLTS) została zastosowana do badania właściwości centrów defektowych w domieszkowanych azotem objętościowych kryształach 6-H SiC, otrzymanych metodą transportu fizycznego z fazy gazowej. Określono wpływ koncentracji donorów spowodowanych obecnością atomów azotu na koncentrację i parametry głębokich centrów defektowych. Badania uzupełniające, przeprowadzone metodą elektronowego rezonansu spinowego (ESR), potwierdziły różną koncentrację atomów azotu w kryształach 6H-SiC otrzymanych przy różnym cząstkowym ciśnieniu azotu w komorze krystalizacji.

EN

In this paper we report new experimental results, obtained by deep-level transient spectroscopy (DLTS) on electronic properties of defect centres in nitrogen-doped 6H-SiC bulk crystals grown by the physical vapour transport (PVT) technique. In particular, the effect of the net donor concentration on the concentrations of deep-level defects is investigated. Complementary studies were performed by electron spin resonance (ESR) measurements.

3

Wpływ domieszkowania na właściwości akustyczne i cieplnemonokryształu niobanu litu.

Bodzenta J., Burak B., Hofman W., Gała M., Kucytowski J., Łukasiewicz T., Pyka M., Wokulska K.

Zeszyty Naukowe. Matematyka - Fizyka / Politechnika Śląska

|

2004

|

z. 91

111-136

PL

W artykule przedstawiono wyniki badań właściwości cieplnych i akustycznych monokryształów niobianu litu. Badania przeprowadzono zarówno dla czystego monokryształu, jak i kryształów domieszkowanych metalami i pierwiastkami ziem rzadkich. Dyfuzyjność cieplna została wyznaczona w oparciu o zmodyfikowaną metodę Angstroma. Prędkości fal akustycznych określono za pomocą metody echa. Dodatkowo wyznaczono parametry sieciowe komórek elementarnych monokryształów niobianu litu.

EN

Results of investigations of thermal and acoustic properties of lithium niobate monocrystals are presented in the paper. Investigations were carried out either for pure monocrystal or for crystals doped with metals and rare earth elements. The thermal diffusivity was determined by modified Angstrom's method. Acoustic wave velocity was measured by pulse echo method. In addition, lattice parameters of lithium niobate unit cell were determined

4

Wzrost i obróbka monokryształów szafiru o średnicach 1'' i 2''

Hofman W., Kisielewski J.

Materiały Elektroniczne

|

2003

|

T. 31, nr 3-4

5-38

PL

W pracy omówiono warunki krystalizacji oraz cykl operacji obr6bczych prowadzących do przetworzenia 1" i 2" krysztat6w szafiru as grown orientacji (0001) na jednostronnie polerowane płytki podłożowe przygotowane do osadzania warstw epitaksjalnych. Z uwagi na wysoką temperaturę topnienia (~2054°C) i dużą twardość (2200 kG/mm2) szafiru należało rozwiązać szereg trudnych zagadnień technicznych, wymagających nowatorskiego podejścia. W zakresie wzrostu kryształu kluczowym problemem okazało się opracowanie odpowiedniego układu termoizolacyjnego generującego niskogradientowe pole temperatur nad cieczą.. Zastosowanie relatywnie dużego, czynnego dogrzewacza irydowego okazało się wysoce efektywne w tym względzie. Natomiast w zakresie obrobki najtrudniejszą operacji okazało się ciecie kryształu na płytki. Problem ten rozwiązano minimalizując odcinek bieżącego kontaktu krawędzi tnącej z kryształem (< 1 mm) oraz maksymalizując kąt natarcia krawędzi na wałek szafirowy. Zaproponowany sposób zawęził grubości ciętych płytek do zakresu 0.6 -r 0.7 mm poprawiając tym samym wydajność całego cyklu. Najbardziej czasochłonnym zabiegiem było pocieniająco - wyrównujące szlifowanie po-wierzchni płytek przed polerowaniem. Uzyskane podłoża spełniały wymagania w zakresie parametrów kształtu oraz jakości powierzchni przeznaczonej do epitaksji.

EN

This paper describes the crystallization conditions and the cycle of machining operation that lead to processing of as grown (0001) sapphire crystals into 1" and 2" epiready substrate wafers. On account of high melting temperature (~2054°C) and high hardness (2200 kG/mm2) of sapphire material, several difficult technical problems had to be solved by applying an innovative approach. All work connected with crystal growth was aimed at reduction of temperature gradients above melt what could be achieved by using relative large active afterheater coupled with Ir crucible. On the other hand, slicing of crystal into thin wafers appeared to be the most difficult opera tion among all connected with machining. This difficulty was overcome by applying an original cutting technique that was based on minimization of current contact length between cutting edge and crystal and maximization of tool rake on sapphire cylinder. Above technique permits to reduce wafer thickness to 0.6 - 0.7 mm and allow to rice a yield of cycle considerably. The coarse and fine lapping operations of wafer faces were the most time consumming. All fabricated substrates showed proper shape and good quality of polishing surfaces.