PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 5

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Comparison of Field Effect Transistor with C-nPd gate and resistive C-nPd film sensing properties toward hydrogen
Krawczyk Sławomir, Czerwosz Elżbieta, Wronka Halina, Firek Piotr, Sochacki Mariusz, Szmidt Jan
Przegląd Elektrotechniczny
|
2022
|
R. 98, nr 9
311--313
EN
As a result of the implementation of the POIG project (UDI-POiG.01.03.01-14-071/08-00), the research network Łukasiewicz, the Teleand Radio Institute and the Warsaw University of Technology, developed resistance hydrogen sensors using changes in nanocomposite resistance. Carbon-Palladium films (C-nPd) were obtained by PVD method, followed by transistor sensors (FET) with a gate covered with a previously developed nanocomposite C-nPd film. In this article, we show differences in a sensing properties and reaction of discussed resistance for the transistor sensors with a C-nPd film and resistive sensors built of C-nPd film deposited on ceramic substrate. For both types of sensors we performed sensing characterization in a research set-up prepared especially for this purpose during the implementation of the project. We found that transistor sensor is much more sensitive toward hydrogen than resistive sensor.
PL
W wyniku realizacji projektu POIG (UDA-POIG.01.03.01-14-071/08-00) realizowanego w latach 2009-2015 . Sieć Badawcza Łukasiewicz Instytut Tele- i Radiotechniczny oraz Politechnika Warszawską opracowały oporowe sensory wodoru wykorzystujący zmiany rezystancji nanokompozytowych warstw węglowo-palladowych (C-nPd) otrzymywanych metodą PVD, a następnie sensory tranzystorowe (FET) z bramką wykonaną z opracowanej wcześniej nanokompozytowej warstwy C-nPd. W tym artykule zostały pokazane różnice we właściwościach sensorycznych i ich reakcjach na wodór dla obu typów sensorów tranzystorowego i oporowego w postaci warstwy C-nPd osadzonej na podłożu ceramicznym. Dla obu typów sensorów badania sensorowe były prowadzone na specjalnie do tego celu zbudowanym stanowisku badawczym.
2
Content available Hydrogen sensor based on field effect transistor with C–Pd layer
Firek Piotr, Krawczyk Sławomir, Wronka Halina, Czerwosz Elżbieta, Szmidt Jan
Metrology and Measurement Systems
|
2020
|
Vol. 27, nr 2
313--321
EN
ISFET (Ion Sensitive Field Effect Transistors) microsensors are widely used for pH measurements as well as analytical and biomedical applications. At the same time, ISFET is a good candidate for testing various materials for their applications in sensitive membranes. For example, hydrogen sensitive carbonaceous films containing Pd nanocrystallites (C-Pd) make this material very interesting for sensor applications. A cost effective silicon technology was selected to fabricate n-channel transistors. The structures were coupled to specially designed double-sided PCB (Printed Circuit Board) holder. The holder enables assembly of the structure as part of an automatic stand. The last step of production of MIS structures was deposition of the C-Pd layer. The C-Pd films were fabricated by the Physical Vapor Deposition (PVD) method in which C60 and palladium acetate were evaporated. Electrical resistance of structures with C-Pd films was measured during their interaction with hydrogen. Finally, a new type of highly sensitive FET hydrogen sensor with C-Pd layer was demonstrated and characterized.
3
Nanostruktury tlenku miedzi w zastosowaniach fototermicznych
Stępińska Izabela, Czerwosz Elżbieta
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2019
|
Vol. 60, nr 12
45--49
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań strukturalnych wykonanych za pomocą skaningowej i transmisyjnej mikroskopii elektronowej, dyfrakcji rentgenowskiej oraz spektroskopii w podczerwieni tlenku miedzi w postaci nanodrutów otrzymanych w procesie termicznego utleniania. Ponadto przeprowadzono eksperymenty oddziaływania promieniowania elektromagnetycznego z nanodrutami CuO.
EN
In this work the results of structural studies, performed by scanning electron microscopy and transmission electron microscopy, X-ray diffraction and infrared spectroscopy of copper oxide in nanorods form obtained in thermal oxidation, were presented. Moreover, interaction between CuO nanorods and electromagnetic radiation was investigated.
4
Nanokompozytowe materiały węglowe z nanocząstkami złota : synteza, charakteryzacja, zastosowania
Rymarczyk Joanna, Czerwosz Elżbieta
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2019
|
Vol. 60, nr 12
14--18
PL
W artykule przedstawiono sposób syntezy nanokompozytu węglowego z nanocząstkami złota (warstw C-Au), charakteryzację oraz potencjalne możliwości aplikacyjne warstw w oparciu o ich właściwości fotoelektryczne i/lub fototermiczne. Omówione zostały wyniki badań topografii warstw otrzymane metodą skaningowej mikroskopii elektronowej, morfologii - metodą spektrometrii rentgenowskiej z dyspersją energii, budowy krystalicznej - metodą dyfrakcji promieniowania rentgenowskiego i struktury elektronowej - metodą spektroskopii w zakresie światła widzialnego oraz bliskiego ultrafioletu.
EN
In this article the method of synthesis of carbon nanocomposite materials with gold nanoparticles was presented. The characterization and potential application of this films based on their photoelectric and / or photothermal properties were shown. The results of topography studies obtained by scanning electron microscopy, morphology - X-ray spectrometry with energy dispersion, crystal structure - X-ray diffraction and electron structure - visible and near ultraviolet spectroscopy are discussed.
5
Heterozłącza p-CuO/n-Si dla zastosowań fotowoltaicznych
Czerwosz Elżbieta, Biernacki Krzysztof, Wronka Halina, Kozłowski Mirosław, Diduszko Ryszard, Firek Piotr, Fetliński Bartosz
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2019
|
Vol. 60, nr 12
36--39
PL
W artykule został przedstawiony stan wiedzy na temat heterozłączy p-CuO/n-Si oraz ich zastosowań w fotowoltaice. Na tym tle zostały zaprezentowane wyniki naszych badań w dziedzinie technologii otrzymywania takich struktur, badań ich właściwości fizycznych metodami rentgenowskimi i elektronomikroskopowymi oraz badań ich właściwości fotowoltaicznych. Heterozłącza p-CuO/n-Si zostały otrzymane dzięki zastosowaniu nowej metody, opracowanej w naszym Instytucie (Łukasiewicz - ITR), polegającej na połączeniu metody PVD i metody utleniania termicznego. Szczegóły metody opisane są w artykule. Wyniki pomiarów fotoprądów pokazały, że opracowane struktury są odpowiednie do zastosowań fotowoltaicznych.
EN
The state-of-art in a field of p-CuO/n-Si heterojunctions and their application in photovoltaics is presented in this paper. On this background the results of our studies concerning technology of such structures preparation, their properties investigated with x-ray diffraction and electron-microscopy methods as well as their photovoltaic properties are shown. The p-CuO/n-Si heterojunctions were prepared by innovative method elaborated in our Institute (Łukasiewicz - ITR). This method connects PVD and thermal oxidation methods. Details of this method are described in the paper. The results of photovoltaic measurements exhibited that prepared p-CuO/n-Si heterojunctions are suitable for photovoltaic applications.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.