Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

High pressure Raman study of layered semiconductor TlGaSe2

Jabarov S. H., Aliyeva V. B., Mammadov T. G., Mammadov A. I., Kichanov S. E., Dubrovinsky L. S., Babayev S. S., Pashayeva E. G., Dang N. T.

Materials Science Poland

2018

Vol. 36, No. 2

203--208

Raman spectroscopy measurements of a monoclinic layered semiconductor TlGaSe2 were performed in a pressure range up to 10.24 GPa. The pressure-induced first-order phase transition accompanied by reconstruction of the layer structure was observed at the pressure P ~ 0.9 GPa. The mode-Grüneisen parameters of intralayer bonds were calculated for TlGaSe2. The contribution of thermal expansion to temperature changes of phonon frequencies was defined. The type of intralayer bonds and their pressure transformation were analyzed in layered TlGaSe2. It was shown that the nature of intramolecular forces in molecular crystals and intralayer forces in layered GaS, GaSe and TlGaSe2 is similar.

Electrical properties of the layered single crystals TlGaSe2 and TlInS2

Fedotov A., Tarasik M. I., Svito I. A., Mammadov T. G., Zhukowski P., Koltunowicz T. N., Seyidov M. Y., Suleymanov R. A., Grivickas V., Bicbaevas V.

Przegląd Elektrotechniczny

2012

R. 88, nr 7a

301-304

In the doped crystals TlGaSe2 and TlInS2, using method of temperature dependencies of DC resistance in the temperature range of 100 – 300 K, the phase transitions at the temperatures of 240 – 245 K and 105 – 120 K were observed. The AC conductance measurements at room temperature indicated the hopping mechanism of carrier transport in the studied samples.

W domieszkowanych kryształach TlGaSe2 i TlInS2 dla temperaturowych zależnościach rezystancji z przedziału 100 – 300 K zmierzonej przy użyciu prądu stałego zaobserwowano przejścia fazowe w przedziałach temperatur 240 – 245 K i 105 – 120 K. Pomiary konduktywności przy użyciu prądu przemiennego w temperaturze pokojowej wskazały skokowy mechanizm przenoszenia ładunków w badanych próbkach.