Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Nukleonika

2 1999

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

The EBIC study of boundary effects in the Si PIN photodiodes for X-ray detector applications

Riesz F., Toth A.L., Ryć L., Słysz W., Węgrzecki M.

Nukleonika

1999

Vol. 44, nr 4

635-646

The electron-beam-induced current (EBIC) method is employed to study the boundary effects of the commercial BPYP and BPYP 42 photodiodes, aiming at a better understanding of their response to α-particle and light-pulse excitation. Our results show that the EBIC method is suitable for the assessment of photodetectors for X-ray detector applications. The sensitivities of different detector areas are quantitatively assessed. A good agreement is found with pulse-height spectra measurements. The complementary nature of electron-beam and light-pulsed/a-particle excitation is pointed out.

Metoda pomiaru prądów indukowanych wiązką elektronową (EBIC) została zastosowana do badania wpływu efektów brzegowych na działanie fotodiod BPYP 44 i BPYP 42 użytych do detekcji impulsów promieniowania X emitowanego z plazmy laserowej. Dodatkowym celem pracy było wyjaśnienie nietypowych efektów obserwowanych podczas detekcji impulsów światła i cząstek α. Stwierdzono, że wnioski dotyczące funkcjonowania fotodiod, otrzymywane za pomocą różnych metod stymulacji, wzajemnie się potwierdzają i uzupełniają. Na ich podstawie można ocenić wkład poszczególnych obszarów powierzchniowych struktur do odpowiedzi detektorów na impuls promieniowania X.

Potential application of the AlGaAs/GaAs heterostructure photodiodes for laser-plasma diagnostics

Ryć L., Riesz F.

Nukleonika

1999

Vol. 44, nr 4

647-655

The AlGaAs/GaAs heterostructure PIN photodiodes, grown by molecular beam epitaxy, are evaluated for the measurement of laser pulses and X-ray diagnostics of laser-induced plasmas. Excitation by the 820 nm laser pulses yields rise time of the detector less than 200 ps. The device is sensitive to 1.06 µm pulses from the Nd:YAG laser. Also α-particle spectra are measured and interpreted. The detector is able to operate at zero bias. Theoretical response to X-rays is calculated.

W pracy oceniono możliwość zastosowania fotodiodowej, epitaksialnej struktury p-i-n AIGaAs/GaAs do pomiaru impulsów laserowych i impulsów promieniowania X z plazmy laserowej. Przeprowadzone zostały testy struktur próbnych za pomocą impulsów światła z diody laserowej (820 nm), z lasera Nd:YAG (1,06 µm) oraz z użyciem źródła cząstek α (241Am). Stwierdzono, że detektory mogą pracować z zerowym napięciem polaryzacji. Czas narastania impulsów wyjściowych wynosił mniej niż 200 ps. Dla pełnej oceny możliwości detekcyjnych wykonano obliczenia wydajności detektorów na promieniowanie X dla różnych wariantów struktury powierzchniowej.