PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Powiadomienia systemowe
  • Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 6

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available Damage distributions in GaAs single crystal irradiated with 84Kr (394 MeV), 209Bi (710 MeV) and 238U (1300 MeV) swift ions
Didyk A. Y., Komarov F. F., Vlasukova L. A., Gracheva E. A., Hofman A., Yuvchenko V. N., Wiśniewski R., Wilczyńska T.
Nukleonika
|
2008
|
Vol. 53, No. 2
77-82
EN
We are presenting a study of damage distribution in GaAs irradiated with 84Kr ions of energy EKr = 394 MeV up to the fluence of 5 × 1012 ion/cm-2. The distribution of damage along the projected range of 84Kr ions in GaAs was investigated using selective chemical etching of a single crystal cleaved perpendicularly to the irradiated surface. The damage zone located under the Bragg peak of 84Kr ions was observed. Explanation of the observed effects based on possible processes of channeling of knocked target atoms (Ga and As) is proposed.
2
Content available remote Wurtzite InP phase formation during swift Xe ion irradiation
Gaiduk P.I., Komarov F.F., Herre O., Wendler E., Wesch W.
Nukleonika
|
1999
|
Vol. 44, nr 2
189-194
EN
Ion beam-induced amorphization and crystallization in InP implanted at room temperature with swift (250 and 340 MeV) Xe+ ions to doses of 5x1013 and 1x1014cm-2, respectively, are investigated by the transmission electron microscopy. For the ion fluences above 5x1013cm-2 the formation of amorphous InP of two different atomic structures is registered after swift Xe ion implantation as a consequence of electron and nuclear energy deposition. In the case of the highest ion dose implanted (1x1014cm-2) a partial crystallization of the amorphous surface layer to polycrystalline InP is observed. The crystallization process passes a stage of wurtzite InP phase formation which is found to be metastable.
PL
Za pomocą transmisyjnego mikroskopu elektronowego badano efekty amorfizacji i rekrystalizacji wywołane przez implantację InP (w pokojowej temperaturze) prędkimi jonami Xe (250 i 340 keV) z dozami, odpowiednio do 5x1013 i 1x1014cm-2. Dla dawek jonów powyżej 5x1013cm-2 zaobserwowano formowanie się dwóch różnych atomowych struktur amorficznego InP powstających na skutek deponowania energii w procesie elektronowego i jądrowego spowalniania. W przypadku implantacji z dozą 1014cm-2 obserwowano częściową rekrystalizację powierzchniowej warstwy amorficznej InP do postaci polikrystalicznej. Zauważono, że proces rekrystalizacji InP przechodzi poprzez utworzenie metastabilnej fazy o strukturze wurcytu.
3
Content available remote Simulation of the process of high dose ion implantation in solid targets
Komarov A.F., Komarov F.F., Żukowski P., Karwat C., Shukan A.L.
Nukleonika
|
1999
|
Vol. 44, nr 2
363-368
EN
The theoretical approach and physico-mathematical model for the process of the high dose ion implantation are developed. The model, involved, makes it possible to take into account a set of the following effects: scattering of the being implanted ions on the atoms introduced at the earlier stages; sputtering of the target surface by ion beams; as well as the target swelling with a valid account for influence of mobile boundary. The simulation of ion implantation processes into crystals was performed on the basis of Monte-Carlo method.
PL
Opracowano teoretyczną metodę i matematyczno-fizyczny model dla procesów implantacji dużymi dawkami. Ten model umożliwia uwzględnienie następujących efektów: rozpraszanie implantowanych jonów na wprowadzonych wcześniej atomach, rozpylanie powierzchni tarczy jak również puchnięcie tarczy z uwzględnieniem ruchomej powierzchni. Symulacje procesów implantacji jonowej do kryształów były prowadzone metodą Monte-Carlo.
4
Content available remote Model of non-continuous track formation in InP under swift ion implantation
Belyi V.A., Komarov F.F.
Nukleonika
|
1999
|
Vol. 44, nr 2
375-380
EN
The influence of multiple electron capture and loss processes on track formation is investigated. The developed charge state fluctuation model gives reasonable estimates for defects length in the non-continuous track region, while the modified thermal spike model predicts the track radius.
PL
W pracy przedstawiono badania wpływu wielokrotnej wymiany elektronów i procesów odpowiedzialnych za straty energii w formowaniu ścieżek (track'ów) w InP podczas implantacji wysokoenergetycznych jonów. Zaproponowany przez autorów model bazujący na nowym mechanizmie fluktuacji stanów ładunkowych daje dobre oszacowanie długości defektów w nieciągłym obszarze ścieżek, podczas gdy zmodyfikowany model termicznych pików (thermal spike) pozwala określić promień ścieżki.
5
Content available remote Interaction between pre-existing dislocations in silicon and hydrogen-induced defects introduced by plasma treatment
Milchanin O.V., Gaiduk P.I., Komarov F.F.
Nukleonika
|
1999
|
Vol. 44, nr 2
175-180
EN
Structural changes in semiconductors caused by hydrogen plasma treatment are the subject of great interest due to passivation of defect levels in the band gap. On the other hand, the reactions between extended and hydrogen-induced defects in silicon are of significant interest for the development of new defect engineering concepts. The experimental results of the interaction among hydrogen-related defects and extended imperfections (dislocations) obtained by ion implantation and annealing are presented in this paper.
PL
Zmiany strukturalne w półprzewodnikach spowodowane obróbką w plazmie wodorowej są przedmiotem dużego zainteresowania z powodu efektu pasywacji poziomów defektowych w przerwie energetycznej. Ponadto oddziaływania między defektami już istniejącymi w krzemie i defektami wywołanymi wodorem są ważne dla rozwoju nowych koncepcji inżynierskich uwzględniających defekty. W pracy przedstawiono wyniki badań doświadczalnych oddziaływania między defektami związanymi z wodorem i uszkodzeniami (dyslokacjami) spowodowanymi implantacją jonową i wygrzewaniem próbek.
6
Content available remote Formation of horizontal and vertical insulation in semiconductors by ion implantation
Komarov F.F., Kamyshan A.M., Mironov A.M.
Nukleonika
|
1999
|
Vol. 44, nr 2
201-206
EN
The processes of buried insulating layers formation in silicon with substoichiometric implantation of nitrogen ions and device insulation in III-V semiconductors are described in this paper. The device insulation in III-V semiconductors can be achieved as the result of modification of crystal properties around of the device structures by polyenergetic or high-energy ion implantation.
PL
W pracy opisany jest proces formowania podkładowych warstw izolacyjnych w krzemie na skutek substechiometrycznej implantacji jonów azotu oraz izolacji struktur w półprzewodnikach III-V. Izolację struktur półprzewodnikowych można wytworzyć w rezultacie modyfikacji własności krystalicznych ich otoczenia poprzez wysokoenergetyczną i zmienną w pewnym zakresie energii implantację jonową.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.