PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available The electrical-generating structure based on NiPc in ammonia medium
Hotra Z., Volynyuk D., Bakhmatyuk B., Kostiv N., Voznyak L.
Prace Instytutu Elektrotechniki
|
2010
|
Z. 247
5-11
EN
In this work we presented a result of structural and electrophisical investigation of electrical-generating barrier structure based on organic semiconductor NiPc. It was studied the current-voltage and impedance characteristics of structure ITO/NiPc/Al under the influence of ammonia vapors and was revealed the current and conductivity increase of structure in ammonia medium. Also we modeled impedance characteristics using the Constant Phase Element CPE what shows that the change in resistance occurs as a result of a chemical interaction.
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań dotyczących strukturalnych elektrofizycznych własności bariery generującej napięcie elektryczne opartej na półprzewodniku organicznym NiPc. Przebadane zostały charakterystyki prądowo-napięciowa i impedancyjna struktur ITO/NiPc/Al umieszczonych w amoniaku. Wykazano, że dzięki zastosowaniu amoniaku, wzrasta natężenie prądu i konduktywność całej struktury. W dalszej części zamodelowano charakterystykę impedancyjną używając elementów o stałej fazie (ang. CPE), co udowodniło, że zmiany rezystancji pojawiają się w wyniku reakcji chemicznej.
2
Content available Iprovements OLED operation due to using additional layers
Hotra Z., Volynyuk D., Voznyak L., Kostiv N.
Prace Instytutu Elektrotechniki
|
2010
|
Z. 247
19-24
EN
In this work we proposed OLED structure with NiPc as hole transport layer. Current-voltage and luminance characteristic of ITO/NiPc/Alg3/PEGTE/Al and ITO/Alg3/PEGTE/Al structures were also investigated. It was shown that using NiPc as hole transport layer reduced operating voltage and improved OLED performance.
PL
W pracy została zaproponowana struktura OLED z warstwą NiPc jako warstwą transportową. Zbadano jej charakterystyki prądowo-napięciową oraz luminancyjną na podłożu ITO/NiPc/Alg3/PEGTE/Al i ITO/Alg3/PEGTE/Al. Wykazano, że używając związku NiPc jako warstwy transportowej zmniejsza się napięcie pracy OLED jednocześnie poprawiając jego wydajność.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.