Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Archives of Metallurgy and Materials

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!
Sesja wygasła!
Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Photothermal transformation in heterogeneous semiconductors structures under its pulse laser irradiation: role of electron-hole diffusion

Isaiev M., Kuryliuk V., Kuzmich A., Burbelo R.

Archives of Metallurgy and Materials

2013

Vol. 58, iss. 4

1351--1354

In this paper photothermal transformation in semiconductor structures with modified properties of subsurface layer under its irradiation by pulse laser (~10 ns) radiation was analyzed. It was show that the presence of this surface modified layer leads to increasing of surface temperature in comparison with homogeneous case. Moreover, this increasing could even compensate the temperature decreasing induced by thermal source redistribution caused by charge carrier diffusion.

W pracy zaprezentowano wyniki badań konwersji fototermicznej w półprzewodnikowych strukturach ze zmodyfikowanymi własnościami warstwy wierzchniej, pod wpływem impulsów laserowych o długości 10 ns. Obecność takiej zmodyfikowanej warstwy prowadzi do zwiększenia powierzchniowej temperatury w porównaniu do temperatury jednorodnej struktury. W pracy pokazano, że wzrost temperatury może kompensować spadek temperatury indukowanej przez przepływ związany dyfuzją nośników ładunku.

Laser photoacoustic diagnostics of advanced materials with different structure and dimensions

Burbelo R., Andrusenko D., Isaiev M., Kuzmich A.

Archives of Metallurgy and Materials

2011

Vol. 56, iss. 4

1157-1162

In the article the results of practical implementation of the PA methods in the study of materials of different structure and dimensions are presented. The features of PA conversion in inhomogeneous semiconductor structures such as porous silicon and doped semiconductor materials are analyzed. To investigate the thermal and elastic properties of porous silicon's based composites gas-microphone and piezoelectric methods registration of PA signal were used. The results of theoretical and experimental investigation of PA conversion in inhomogeneous silicon-based semiconductor structures under their irradiation by short (~ 10 ns) laser pulse are presented. The influence of thermal parameters distribution of the material structure on the PA signal parameters is shown. Principal possibility of using pulsed radiation for investigation of the modified submicron surface layer is demonstrated.

W pracy zaprezentowano wyniki praktycznej realizacji metod fotoakustycznych do badania materiałów o różnej strukturze i geometrii. Analizowane były aspekty konwersji fotoakustycznej w niejednorodnych strukturach półprzewodnikowych jak porowaty krzem i domieszkowane materiały półprzewodnikowe. Do badania termicznych i elastycznych właściwości kompozytów opartych na porowatym krzemie używano mikrofonowej, piezoelektrycznej metody fotoakustycznej. Przedstawione zostały wyniki teoretycznych i doświadczalnych badań konwersji fotoakustycznej przy użyciu krótkich impulsów laserowych (około 10 ns). Pokazano wpływ profilu przestrzennego materiałowych parametrów termicznych na sygnał fotoakustyczny. Przedstawiono także możliwości zastosowania metod impulsowych do badania submikronowych warstw powierzchniowych.