Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
EN
The oxidation results of dilute Ni-Al (<5 wt. %) alloys at 700÷1200°C hale been analyzed taking into account the transport properties of pure and Al doped-Ni1-xO single crystals, at equilibrium and in transient conditions. A formal treatment of transport processes under non-equilibrium conditions, coupled to the set of experimental results concerning the influence of Al on the transport properties of Ni1-xO, has allowed to analyze the influence of Al on nickel oxidation. We have shown both, that the solute cation enrichment near the metal/oxide interface is due to kinetic demixing processes taking place in the growing oxide layer, with DAl < DNi, and that the increase of the alloy oxidation velocity at T > 900°C is caused by oxygen molecules which penetrate the oxide scale along cracks or fissures. These short-circuit paths are likely generated by non uniform stresses due to blocking effects on the diffusion of Ni2+ ions through the scale, leading to the growth of oxide particles within the oxide itself.
PL
Badano proces utleniania stopu Al-Ni (<5% mas.) w zakresie temperatury 700÷1200°C z uwzględnieniem procesów dyfuzyjnych zachodzących w czystych i domieszkowanych Al monokryształach Ni1-xO, w warunkach równo - i nierównowagi. Obliczenia teoretyczne dla warunków nieustalonych oraz wyniki badań eksperymentalnych pozwoliły przeanalizować wpływ Al na dyfuzję w Ni1-xO, a tym samym wyjaśnić wpływ Al na utlenianie niklu. Wykazano, że wzrost koncentracji kationów na granicy metal/tlenek wynika z kinetyki rozdziału składników, jaki ma miejsce w czasie wzrostu warstwy tlenku (DAl < DNi), jak również, że wzrost szybkości utleniania stopu w T > 900°C jest spowodowany łatwą dyfuzją tlenu w warstwie tlenku poprzez pęknięcia i szczeliny. Te drogi łatwej dyfuzji powstają w wyniku generowania naprężeń wskutek hamowania dyfuzji Ni2+ w warstwie tlenków i zjawiska wewnętrznego utleniania w warstwie tlenku.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.