PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Powiadomienia systemowe
  • Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 10

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Zastosowanie dielektryków high-k w przyrządach mocy wytwarzanych w technologii węglika krzemu
Król K., Sochacki M., Kwietniewski N., Gierałtowska S., Wachnicki Ł.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2017
|
R. 93, nr 8
106--109
PL
W artykule omówiono zalety zastosowania warstw dielektrycznych o wysokim współczynniku przenikalności elektrycznej osadzanych techniką ALD (ang. Atomic Layer Deposition) i praktyczne aspekty ich wykorzystania w przyrządach mocy typu MOSFET wytwarzanych w technologii węglika krzemu (SiC).
EN
This article describes the benefits of high-k dielectrics’ application in silicon carbide (SiC) technology aimed for production of power MOSFETs. The importance of the finding a new dielectric material for SiC MIS structures is explained and the main application problems are disscussed. The stacked dielectric layers of Al2O3/SiO2 and ZrO2/SiO2 manufactured by atomic layer deposition technique (ALD) on 4H-SiC substrates are then investigated by means of electrical methods useful in power device technology.
2
Content available Si/ZnO nanorods with Ag nanoparticles/AZO heterostructures in PV applications
Gwóźdź K., Płaczek-Popko E., Gumienny Z., Zielony E., Pietruszka R., Witkowski B. S., Wachnicki Ł., Gierałtowska S., Godlewski M., Chang L. B.
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
|
2016
|
Vol. 64, nr 3
529--533
EN
Our studies focus on test structures for photovoltaic applications based on zinc oxide nanorods grown using a low-temperature hydrothermal method on a p-type silicon substrate. The nanorods were covered with silver nanoparticles of two diameters – 20–30 nm and 50–60 nm – using a sputtering method. Scanning electron microscopy (SEM) micrographs showed that the deposited nanoparticles had the same diameters. The densities of the nanorods were obtained by means of atomic force microscope (AFM) images. SEM images and Raman spectroscopy confirmed the hexagonal wurtzite structure of the nanorods. Photoluminescence measurements proved the good quality of the samples. Afterwards an atomic layer deposition (ALD) method was used to grow ZnO:Al (AZO) layer on top of the nanorods as a transparent electrode and ohmic Au contacts were deposited onto the silicon substrate. For the solar cells prepared in that manner the current-voltage (I-V) characteristics before and after the illumination were measured and their basic performance parameters were determined. It was found that the spectral characteristics of a quantum efficiency exhibit an increase for short wavelengths and this behavior has been linked with the plasmonic effect.
3
Content available remote Opracowanie efektywnych metod domieszkowania warstw ZnO glinem w procesie ALD i optymalizacja tych warstw
Pietruszka R., Luka G, Witkowski B. S., Wachnicki Ł., Gieraltowska S, Stapiński T., Marszałek K., Godlewski M.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2014
|
R. 90, nr 10
203-205
PL
Warstwy tlenku cynku domieszkowanego atomami glinu ZnO:Al były wzrastane metodą osadzania warstw atomowych (ALD, z ang. A-atomic, L-layer, D-deposition). Na szklanych podłożach osadzono warstwy ZnO:Al (tzw. warstwa AZO) o grubości 200 nm. Temperatura osadzania warstwy AZO była równa 160 oC. Najlepsze parametry elektryczne oraz krystalograficzne otrzymano używając dwóch wysoko reaktywnych prekursorów cynku i glinu. Użyto diethylzinc jako prekursor cynkowy oraz trimethylaluminum jako prekursor glinowy. Otrzymane struktury wykazały wysoką transmisję oraz niskie rezystywności rzędu 10-3 Ωcm. Po optymalizacji procesu wzrostu warstw ZnO:Al testowano je jako przezroczyste elektrody do zastosowań fotowoltaicznych.
EN
We achieved high conductivity of zinc oxide layers doped with aluminum atoms using atomic layer deposition (ALD) method. Their growth mode, electrical and optical properties have been investigated. We discuss how the growth temperature and doping affect resistivity and optical properties of the films. The obtained resistivities of ZnO:Al thin films ( 1.2x10-3 Ωcm) and high transparency make them suitable for the TCO applications in photovoltaics.
4
Content available ZnO dla fotowoltaiki
Godlewski M., Łuka G., Pietruszka R., Wachnicki Ł., Witkowski B.
Prace Instytutu Elektrotechniki
|
2014
|
Z. 264
5-13
PL
Mimo znaczącej redukcji kosztów paneli fotowoltaicznych (PV), cena energii wytwarzanej przez baterie słoneczne ciągle jest za wysoka. Możliwe są dwie strategie rozwiązania tej sytuacji – (a) podniesienie wydajności konwersji światła w komórkach fotowoltaicznych lub/i (b) obniżenie kosztów paneli PV poprzez zastosowanie tańszych materiałów lub technologii. W referacie omówione są prace mające na celu: (a) zastąpienie zbyt drogiego ITO warstwami ZnO o przewodnictwie metalicznym, (b) uproszczenie konstrukcji komórek PV oraz (c) znalezienie alternatywnych materiałów.
EN
Despite of a large reductions of costs energy produced by solar panels is still too expensive. There are two approaches to change this situation: by (a) increase of device output and/or (b) reduction of device costs by use of cheaper alternative materials. In this article we discuss the latter approach – (a) replacement of ITO by ZnO with metallic conductivity, (b) change of device architecture, and (c) use of alternative materials.
5
Nanosłupki ZnO o wysokiej jakości : technologia i zastosowania
Witkowski B. S., Wachnicki Ł., Gierałtowska S., Kaszewski J., Godlewski M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2014
|
Vol. 55, nr 9
36-38
PL
Praca przedstawia nową metodę wzrostu nanosłupków ZnO z roztworu wodnego. Metoda pozwala na wzrost nanosłupków ZnO wysokiej jakości w bardzo krótkim czasie (1-3 minuty), przy czym jest tania (zarówno prekursory jak i aparatura) i nie wykorzystuje toksycznych materiałów. Wzrost odbywa się w zaledwie 50şC przy ciśnieniu atmosferycznym w roztworze wodnym ocatnu cynku. Podłoże użyte w procesie musi być pokryte nanostrukturami złota, które zarodkują wzrost (możliwe są jednak inne metody zarodkowania wzrostu, nie wymagające użycia złota). Metoda wykorzystuje wodę i octan cynku jako prekursory. Metoda charakteryzuje się dużą powtarzalnością, dzięki czemu może zostać potencjalnie wykorzystana w przemyśle do masowej produkcji matryc nanosłupków ZnO na różnych podłożach, m.in. do zastosowań w ogniwach fotowoltaicznych, fotorezystorach czy czujnikach substancji chemicznych.
EN
We present a new technology of the growth of ZnO nanorods from the water solution.The method allows for the growth of ZnO nanorods of a very high quality in a very short time (1-3 minutes). The method is inexpensive (both technology and precursors) and non-toxic. The growth is performer at 50şC under atmospheric pressure in a water solution. The substrate used in the growth process needs to be coated with gold nanodroplets, which nucleate the growth. Water and zinc acetate are used as a oxygen and zinc precursors. The method is reproducibleand can be succesfully used in the industry for mass production of ZnO nanorods matrices on different substrates, for example in photovoltaic cells, photoresistors or sensors.
6
Content available Properties of thin films of high-k oxides grown by atomic layer deposition at low temperature for electronic applications
Gieraltowska S., Wachnicki Ł., Witkowski B. S., Godlewski M., Guziewicz E.
Optica Applicata
|
2013
|
Vol. 43, nr 1
17--25
EN
Thin films of high-k oxides are presently used in semiconductor industry as gate dielectrics. In this work, we present the comparison of structural, morphological and electrical properties of binary and composite layers of high-k oxides that include hafnium dioxide (HfO2), aluminum oxide (Al2O3) and zirconium dioxide (ZrO2). We deposit thin films of high-k oxides using atomic layer deposition (ALD) and low growth temperature (60–240 °C). Optimal technological growth parameters were selected for the maximum smoothness, amorphous microstructure, low leakage current, high dielectric strength of dielectric thin films, required for gate applications. High quality of the layers is confirmed by their introduction to test electronic structures, such as thin film capacitors, transparent thin film capacitors and transparent thin film transistors. In the latter structure we use semiconductor layers of zinc oxide (ZnO) and insulating layers of high-k oxide grown by the ALD technique at low temperature (no more than 100 °C).
7
Tlenki dielektryczne wytwarzane metodą osadzania warstw atomowych w niskich temperaturach dla zastosowań w elektronice jako izolatory
Gierałtowska S., Wachnicki Ł., Witkowski B. S., Godlewski M., Guziewicz E.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2012
|
Vol. 53, nr 9
68-70
PL
Tlenki o wysokiej stałej dielektrycznej (ang. high-k oxides) pełniące funkcję izolatora są powszechnie wykorzystywane w przyrządach półprzewodnikowych (procesorach, pamięciach masowych). Nasze badania zostały skoncentrowane na optymalizacji parametrów technologicznych wzrostu cienkich warstw dielektrycznych: dwutlenku hafnu (HfO₂), tlenku glinu (Al₂O₃) oraz dwutlenku cyrkonu (ZrO₂), a także ich warstw kompozytowych. Wysokiej jakości tlenki zostały otrzymane z wykorzystaniem metody osadzania warstw atomowych (ang. Atomie Layer Deposition, ALD) w niskiej temperaturze (60...240 C).
EN
Oxides with high dielectric constant (called "high-k oxides") as insulators are commonly used in semiconductor manufacturing processes. Our research was focused on the optimization of technological growth parameters for thin dielectric films: hafnium dioxide (HfO₂), aluminum oxide (Al₂O₃) and zirconium oxide (ZrO₂), and their composite layers. High quality oxides were prepared using the Atomic Layer Deposition method Atomic Layer Deposition (ALD) at low temperature (60-240 C).
8
Technologia Osadzania Warstw Atomowych : zastosowania w elektronice
Godlewski M., Guziewicz E., Łuka G., Gierałtowska S., Krajewski T. A., Wachnicki Ł.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 8
82-84
PL
W pracy omówiony jest postęp w miniaturyzacji tranzystorów polowych w układach scalonych, który zawdzięczamy wprowadzeniu do linii produkcyjnych nowej technologii osadzania warstw dielektryków podbramkowych - technologii Osadzania Warstw Atomowych (ALD). Zalety tej metody są krótko omówione. Omówione są także możliwe zastosowania tlenku cynku w przyrządach elektronicznych.
EN
We describe shortly further progress in miniaturization of field effect transistors in integrated circuits, which was possible due to introduction of a new deposition method (Atomic Layer Deposition, ALD) in produetion lines for deposition of gate oxides. Advantages of the ALD method are shortly summarized. We also discuss possible use of zinc oxide in electronic devices.
9
Nanodruty ZnO otrzymywane metodą Osadzania Warstw Atomowych do zastosowań sensorowych
Wachnicki Ł., Witkowski B. S., Gierałtowska S., Kopalko K., Guziewicz E., Godlewski M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 8
85-86
PL
W pracy przedstawiamy wzrost nanodrutów ZnO metodą osadzania warstw atomowych ALD (ang. Atomic Layer Deposition). Do otrzymania nanodrutów ZnO użyto podtoże GaAs pokryte mieszaniną złota i galu uformowanego na powierzchni w postaci rozseparowanych "nanokul". W procesie ALD jako prekursor tlenowy została użyta woda dejonizowana, natomiast jako prekursor cynkowy został użyty chlorek cynku. Odpowiednio przygotowana mieszanina Au-Ga odgrywała rolę katalizatora wzrostu nanosłupków ZnO. Otrzymano nanosłupki ZnO w postaci krystalitów o długości do 1 mikrometra i około 100 nanometrów średnicy. Warto zaznaczyć, że jest to pierwsze zastosowanie metody ALD do wzrostu nanosłupków ZnO. Otrzymane nanosłupki użyto do wytworzenia czułych sensorów rozpuszczalników.
EN
In this work we present growth of ZnO nanowires (NWs) using ALD. As a substrate we used gallium arsenide with Au-Ga eutectic mixture prepared on the surface at high temperature. The soprepared substrate was used for growth of ZnO NWs using the ALD system. We used deionized water and zinc chloride as an oxygen and zinc precursors, respectively. The eutectic mixture plays a role of a catalyst for the ZnO NWs growth. The ZnO nanorods were obtained in a form of crystallites of up to 1 µm length and 100 nm diameter. It is the first demonstration of ZnO NWs growth by ALD using VLS (vapour-liquid-solid) approach. We demonstrate their application as solvents sensor.
10
Content available remote Optical and electrical characterization of defects in zinc oxide thin films grown by atomic layer deposition
Krajewski T. A., Łuka G., Wachnicki Ł., Jakieła R., Witkowski B., Guziewicz E., Godlewski M., Huby N., Tallarida G.
Optica Applicata
|
2009
|
Vol. 39, nr 4
865-874
EN
In the present paper, we discuss the influence of point defects on electrical and optical characteristics of ZnO thin films grown by the atomic layer deposition (ALD) method. The films were grown on glass substrates at low temperature (100-200 °C). We used diethylzinc (DEZn) and deionized water as precursors. Room temperature photoluminescence (RT PL) spectra, secondary ion mass spectroscopy (SIMS), electron dispersive X-ray (EDX) analysis and Hall effect measurements were made for as-grown ZnO layers and for the annealed ones (in air at 300 and 400 °C as well as in N2 atmosphere at 400 °C). The air-annealed ZnO films reveal a substantial reduction of a carrier concentration (up to 4 orders of magnitude - from 1019 to 1015 cm-3) combined with changes in intensity of the defect-related luminescence bands. PL related to deep defects is shifted towards the lower energy range (red light emission) after annealing (in air and nitrogen-rich conditions).
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.