Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Detektory naładowanych cząstek opracowane w ITE dla nowego systemu detekcyjnego ALBEGA, opracowywanego w GSI Darmstadt do badań nad transaktynowcami

Węgrzecki M., Yakushev A., Bar J., Budzyński T., Di-Nitto A., Dobrowolski R., Grabiec P., Kłos H., Kulawik J., Marchewka M., Panas A., Prokaryn P., Synkiewicz B., Szmigiel D., Węgrzecki M., Zaborowski M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2016

|

Vol. 57, nr 8

35--40

PL

Omówiono konstrukcję, technologię i parametry dwóch nowych typów detektorów do systemu detekcyjnego ALBEGA (ALfa – BEta – GAmma) budowanego w GSI Helmholtzzentrum für Schwerionenforschung GmbH, Darmstadt (GSI), przeznaczonego do badań nad transaktynowcami. Detektor alfa stanowi 64-elementowa przepływowa matryca monolityczna zbudowana z dwóch płytek krzemowych o typie przewodnictwa ν, w których wytrawiony jest kanał, przez który przepływają (w gazie nośnym) badane substancje. Od strony kanału na całej powierzchni płytek wytworzony jest techniką dyfuzji fosforu obszar n+ (wspólna katoda). Na stronie przeciwległej do kanału wytworzone są techniką selektywnej dyfuzji boru 32 złącza p+-ν. Po połączeniu płytek powstaje szczelny kanał (przewód gazowy). Do jednego z końców tego przewodu doprowadzany jest gaz nośny (hel) zawierający atomy badanych pierwiastków promieniotwórczych. Gaz ten przepływa przez kanał. Promieniowanie jonizujące, emitowane przez atomy transportowane w gazie nośnym wnika do krzemu. Nośniki ładunku generowane w krzemie przez absorbowane promieniowanie (głównie cząstki alfa) są rozdzielane przez najbliższe złącze p+-ν, powodując powstanie sygnału elektrycznego. Promieniowanie beta i gamma przechodzi przez krzem i może być detekowane przez detektory odpowiednio umieszczone na zewnątrz przepływowego detektora cząstek alfa. Detektor beta stanowi monolityczna, 32-elementowa matryca o średnicy obszaru czynnego 90 mm, o grubości 0,9 mm. Materiałem wyjściowym jest wysokorezystywna płytka krzemowa typu ν. Na górnej stronie tej płytki wykonane są poprzez dyfuzję boru 32 planarne złącza p+-ν. Na dolnej stronie wykonany jest na całej powierzchni, poprzez dyfuzje fosforu, obszar n+, stanowiący wspólną katodę.

EN

The paper presents the design, technology and parameters of two new types of silicon detectors for the new detection system ALBEGA (ALfa – BEta – GAmma). The ALBEGA system will be used for research on transactinide elements at the GSI Helmholtzzentrum für Schwerionenforschung GmbH, Darmstadt (GSI) The alpha detector is a 64-element silicon monolithic flow array. The array consisting of two ν-type silicon wafers with a channel etched into them, through which the studied substances flow (in carrier gas), is used in the detector. An n+ region (common cathode) is formed by the phosphorous diffusion over the entire surface of the wafers from the side of the channel. 32 p+ regions (anode regions) are formed by selective boron diffusion on the side opposite to the channel. After the wafers are bonded, an gas-tight channel (gas pipe) is formed. Carrier gas (noble gas or a mixture of noble gas and reactive gas) containing atoms of radioactive elements under study is introduced into one end of this pipe. The gas flows through the channel and exits at the other end of the pipe. The transported active atoms/molecules are adsorbed inside the pipe and undergo the radioactive decay. The ionising radiation emitted by the atoms transported by the carrier gas penetrates into silicon. The charge carriers generated in silicon by absorbed radiation (mainly alpha particles) are separated by the nearest p+-ν junction, creating an electric signal. Beta and gamma radiation passes through silicon and can be detected by the detectors appropriately placed outside the flow alpha detector. The beta detector consists of a monolithic 32-element array with an active area diameter of 90 mm and a thickness of 0.9 mm. The starting material is a high-resistivity n silicon wafer. 32 planar p+-ν junctions are formed by boron diffusion on the top side of the wafer. On the bottom side, an n+ region, which forms a common cathode, is formed on the entire surface by phosphorus diffusion.

2

Diody elektroluminescencyjne na bazie GaN z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi

Gołaszewska K., Kruszka R., Myśliwiec M., Ekielski M., Jung W., Piotrowski T., Juchniewicz M., Bar J., Wzorek M., Kamińska E., Piotrowska A., Sarzała R. P., Dems M., Wojtas J., Mędrzycki R., Prystawko P.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2013

|

Vol. 54, nr 9

46-49

PL

W artykule omówiono proces technologiczny wytwarzania diody elektroluminescencyjnej Al(In)GaN/GaN o emisji promieniowania w zakresie 380…400 nm z maksimum dla 384 nm oraz dostosowanych do niej kryształów fotonicznych. Zastosowanie kryształu fotonicznego w formie współśrodkowych pierścieni o stałej sieci 3 μm i wypełnieniu 60% wytrawionych w strukturze DEL pozwoliło na ponad dwukrotny wzrost mocy promieniowania, ograniczenie stożka emisji ze 150 do 90° oraz uzyskanie pojedynczego maksimum emisji w kierunku normalnym do powierzchni diody.

EN

This communication describes the fabrication of an Al(In)GaN/GaN light emitting diode (LED) emitting in the range 380...400 um with a maximum at 384 um along with the fabrication of appropriate photonic crystals. The etching of photonic crystals with a concentric ring structure with a 3 μm lattice constant and 60% filling factor in the LED structure yielded a more than doubled radiation power, more focused radiation cone of 90 instead of the initial 150° and a single energy maximum normal to the LED surface.

3

Opracowane w ITE krzemowe detektory cząstek do międzynarodowych badań nad transaktynowacami

Węgrzecki M., Bar J., Budzyński T., Dressler R., Grabiec P., Kłos H., Kulawik J., Lipiński D.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 6

24-26

PL

W pracy omówiono konstrukcję oraz parametry detektorów cząstek α opracowanych w ITE, we współpracy z partnerami zagranicznymi, stosowanych w międzynarodowych badaniach transaktynowców. Opisano 64-elementowe matryce chromatograficzne dla systemu COMPACT, 2-elementowe detektory przepływowe dla systemu COLD oraz detektory paskowe dla bloku detektora płaszczyzny ogniskowej do separatora TASCA. Przedstawiono rezultaty uzyskane przy wykorzystaniu omawianych detektorów ITE, w tym odkrycia 4 nowych nuklidów: ²⁷⁰Hs, ²⁷¹Hs, ²⁸³Cn, ²⁷⁷Hs.

EN

We present the construction and parameters of the α particle detectors developed at the ITE in collaboration with foreign partners, applied in the international studies on transactinides. We describe 64-element chromatographic array for the COMPACT detection system, 2-element detectors for the COLD system and strip detectors for the Focal Plane Detector Box, part of the TASCA separator. We present the results obtained using ITE detectors, including discoveries of 4 new nuclides: ²⁷⁰Hs, ²⁷¹Hs, ²⁸³Cn, ²⁷⁷Hs.

4

Krzemowe, 16-elementowe matryce fotodiodowe specjalizowane do monitorowania optycznego czujników mikrodźwigniowych

Węgrzecki M., Bar J., Budzyński T., Gosztalk T., Grabiec P., Lipiński D., Nieradka K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 6

37-38

PL

W pracy omówiono konstrukcję i właściwości krzemowych 16-elementowych matryc fotodiodowych, opracowanych w ITE we współpracy z Wydziałem Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej, do opracowywanego tam systemu optycznego monitorowania parametrów mechanicznych matrycowych czujników mikrodźwigniowych.

EN

In this paper, we present the construction and properties of the 16-element silicon photodiode arrays developed at the ITE in collaboration with the Faculty of Microsystem Electronics and Photonics at the Wrocław University of Technology. The photodiode arrays will be applied in the system, being developed at the Wrocław University of Technology, monitoring optically the mechanical parameters of multiple microcantilever based sensors.

5

Detekcja neutronów i detekcja radonu przy wykorzystaniu krzemowych detektorów naładowanych cząstek : nowa koncepcja osobistej dozymetrii

Węgrzecki M., Bar J., Budzyński T., Cież M., Grabiec P., Kłos H., Kulawik J., Lipiński D., Panas A., Ruhm W., Sarnecki J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 6

22-24

PL

W pracy omówiono specjalizowane detektory cząstek alfa do osobistych dozymetrów promieniowania neutronowego oraz ekspozymetrów radonu, opracowane i wykonane w ITE we współpracy z Institut fur Strahlenschutz, Helmholtz Zentrum Munchen.

EN

In this paper, we present the specialized alpha particle detectors for personal dosimeters of neutron radiation and for radon exposimeters. The presented detectors have been developed and manufactured at the ITE in collaboration with the Institut fur Strahlenschutz, Helmholtz Zentrum Munchen.

6

Production of seamless pipes grade X65 according to API 5L

Bar J., Melecki J.

Hutnik, Wiadomości Hutnicze

|

2008

|

Vol. 75, nr 8

460-462

EN

This paper presents the project, which solved development and verification of production of line pipes grade X65 PSL2 according to API 5L. The authors describe basic period of solution: design chemical composition of steel, steel making, continuous casting and line pipes production. The pipes were quenched and tempered according to requirement of specification. Final properties of line pipes (yield strength, tensile strength, ductility, notch toughness) were attested. All mechanical values matched the requirements for grade X65 PSL2. The line pipes may be used for sour service.

PL

W artykule zaprezentowano projekt, którego celem było opracowanie i weryfikacja technologii produkcji rurze stali X65 PSL2 zgodnie z normą API 5L. Autorzy opisują zasadnicze etapy rozwiązania problemu: zaprojektowanie składu chemicznego stali, wytworzenie stali, proces ciągłego odlewania stali oraz produkcję rur Rury były chłodzone oraz hartowane zgodnie z wymaganymi warunkami. Końcowe właściwości rur przewodowych (umowna granica plastyczności, wytrzymałość na rozciąganie, plastyczność, udarność) zostały potwierdzone w badaniach. Właściwości mechaniczne były zgodne z wymaganiami dla stali X65 PSL2. Rury przewodowe mogą być zastosowane w przemyśle chemicznym, naftowym (do transportu cieczy agresywnych).

7

Ceramic multilayer packages for detectors of alpha particles fabricated by thick film technology

Kulawik J., Gröger B., Szwagierczak D., Węgrzecki M., Bar J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2007

|

Vol. 48, nr 12

17-18

EN

This paper describes design and manufacturing of multilayer ceramic packages for new silicon detectors used in detection &#alpha particles. Multistage procedure of developing suitable package involving precise cutting and polishing of alumina substrates, printing, stacking and firing at various temperature conditions was applied to meet the requested specifications. A few patterns and types of thick film pastes based on Au, Ag Pt and low melting sealing glass were used. They were destined for deposition of electrical contact areas, contacts between top and bottom layer metallizations, as well as for pads for wire bonding, dielectric layers and sealing stacked alumina ceramic substrates. Many problems had to be overcome, among other things: leaktightness, mechanical strength, reliability during operation under temperature gradient (from room temperature to liquid nitrogen), lack of bare (not covered) regions of noble metals outside the detector structure. New silicon p+ - v - n+ detector structures as well as a new type of ceramic packages and technology for detectors' assembly were developed in the Institute of Electron Technology. In the Paul-Scherrer Institute in Villingen in Switzerland, 32 sandwiched pairs of such new structures were assembled in the Cryo-On-Line-Detector (COLD) unit.

PL

Opisano projektowanie i wytwarzanie wielowarstwowych ceramicznych obudów nowych krzemowych detektorów cząstek alpha. W celu spełnienia stawianych wymagań zastosowano wieloetapową procedurę obejmującą precyzyjne cięcie i szlifowanie podłoży z tlenku glinu, drukowanie, układanie elementów obudowy i wypalanie w różnych warunkach temperaturowych. Dobrano odpowiednie wzory sit i rodzaje past na bazie Au, AgPt i niskotopliwego szkliwa, przeznaczonych do nanoszenia powierzchni pól kontaktów elektrycznych, kontaktów pomiędzy górnymi i dolnymi warstwami metalizacji, pól do połączeń utrakompresyjnych, warstw dielektrycznych i sklejania ułożonych elementów ceramicznej obudowy. Do problemów, których pokonanie było konieczne, należało: zapewnienie szczelności, wytrzymałości mechanicznej i odporności na pracę w gradiencie temperatur (od temperatury pokojowej do ciekłego azotu), a także uniknięcie pozostawienia odsłoniętych obszarów metali szlachetnych poza strukturą detektorową. Struktury p+ - v - n+ detektorów krzemowych, wielowarstwowa obudowa ceramiczna i sposób montażu zostały opracowane w Instytucie Technologii Elektronowej. W Pau--Scherrer Institut w Villingen w Szwajcarii 32 pary nowych struktur detektorowych wmontowano w matrycę detektora Cryo-On-Line-Detector (COLD).

8

Nowe krzemowe detektory promieniowania : opracowania Instytutu Technologii Elektronowej

Węgrzecki M., Bar J., Węgrzecka I., Słysz W., Grodecki R., Grabiec P., Krzemiński S., Budzyński T., Zaborowski M., Panas A., Cież M., Kulawik J., Gröger B.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2006

|

Vol. 47, nr 12

40-43

PL

Omówiono nowe opracowania ITE w dziedzinie krzemowych detektorów promieniowania. W szczególności opisano unikalne detektory cząstek a, w tym 64-elementowe matryce chromatograficzne do rejestracji pojedynczych atomów pierwiastków z grupy transuranowców, opracowane we współpracy z Institut fur Radiochemie - Technische Universitat Munchen oraz dwuelementowy otwarty detektor cząstek a, opracowany we współpracy z Paul Scherrer Institut (PSI) - Villingen, Szwajcaria, do budowanego w PSI detektora COLD (Cryo-On-Une-Detector).

EN

New devices developed at the ITE in the field of silicon detectors of radiation are presented in the article. In particular, unique detectors of a particles - including 64-element, chromatographic arrays used for recording the single atoms of transuranic elements - developed in cooperation with Institut fur Radiochemie - Technische Universitat Munchen, are described, as well as a 2-element, open detector of a particles, developed in cooperation with Paul Scherrer Institut (PSI) - Villingen, Switzerland, used in the COLD detector (Cryo-On-Line-Detector) developed at PSI.

9

Nadprzewodnikowy detektor pojedynczych fotonów z NbN sprzęgnięty ze światłowodem

Słysz W., Węgrzecki M., Bar J., Grabiec P., Gol'tsman G. N., Verevkin A., Sobolewski R.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2005

|

Vol. 46, nr 6

51-52

PL

Opisano nowe nadprzewodnikowe detektory pojedynczych fotonów wytworzonych na bazie ultracienkich (3... 10 žm) warstw NbN. Są one projektowane pod kątem zastosowań w układach światłowodowej komunikacji kwantowej (lambda = 1,3 žm 11,55 žm). Detektory przeznaczone do współpracy ze światłowodami mają specjalną mikromechaniczną konstrukcję zintegrowaną ze strukturą NbN, która zapewnia sprawne i mechanicznie stabilne sprzężenie włókna światłowodowego do struktury detektora. Charakteryzują się dużą szybkością zliczania impulsów przy wysokiej sprawności kwantowej i bardzo niskim poziomie zliczeń ciemnych.

EN

We present novel superconducting single-photon detectors (SSPDs), based on ultrathin NbN films, designed for fiber-based quantum communications (lambda = 1.3 žm and 1.55 žm). For fiber-based operation, our SSPDs contain a special micromechanical construction integrated with the NbN structure, which enables efficient and mechanically very stabile fiber coupling. The detectors combine GHz counting rate, high quantum efficiency and very low level of dark counts. At 1.3 - 1.55 žm wavelength range our detector exhibits a quantum efficiency up to 10%.

10

Design and properties of silicon avalanche photodiodes

Węgrzecka I., Węgrzecki M., Grynglas M., Bar J., Uszyński A., Grodecki R., Grabiec P., Krzemiński S., Budzyński T.

Opto-Electronics Review

|

2004

|

Vol. 12, No. 1

95-104

EN

A family of silicon avalanche photodiodes with an n⁺-p -π-p⁺ epiplanar structure was developed at the Institute of Electron Technology (ITE). The diameters of photosensitive area range from 0.3 mm to 5 mm. These photodiodes are optimised for detection of 800–850 nm radiation and in that range achieve excellent parameters – high gain, low noise, high detectivity. The detailed research on their spectral dependencies of the gain and noise parameters has revealed that their range of operating is considerable wider and stretches from 550 to 1000 nm. The principles of operation and design considerations concerning avalanche photodiodes are outlined in this paper. Next, the design, technology and properties of silicon avalanche photodiodes developed at the ITE are discussed. Avalanche photodiodes are widely used in detection of very weak and very fast optical signals. Presently in the world, the studies are carried out on applying the avalanche photodiodes in detection of X radiation and in the scintillation detection of nuclear radiation.