Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Properties of AlN thin films deposited by means of magnetron sputtering for ISFET applications

Firek P., Waśkiewicz M., Stonio B., Szmidt J.

Materials Science Poland

|

2015

|

Vol. 33, No. 4

669--676

EN

This work presents the investigations of AlN thin films deposited on Si substrates by means of magnetron sputtering. Nine different sputtering processes were performed. Based on obtained results, the tenth process was prepared and performed (for future ISFET structures manufacturing). Round aluminum (Al) electrodes were evaporated on the top of deposited layers. The MIS capacitor structures enabled a subsequent electrical characterization of the AlN films by means of current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) measurements. Based on these results, the main parameters of investigated layers were obtained. Moreover, the paper describes the technology of fabrication and electrical characterization of ISFET transistors and possibility of their application as ion sensors.

2

Analiza płytkich stanów pułapkowych w strukturach MOS Al/ZrO2/SiO2/4H-SiC metodą TSC

Król K., Sochacki M., Waśkiewicz M., Szmidt J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2015

|

Vol. 56, nr 11

56-58

PL

W artykule przedstawiono wyniki analizy właściwości warstw dielektrycznych ZrO2/SiO2 stosowanych jako dielektryki bramkowe w tranzystorach MOSFET SiC. Do analizy wykorzystano pomiar prądów stymulowanych termicznie (TSC, ang. Thermally-Stimulated Current). Szczególny nacisk położono na badanie płytko położonych w przerwie energetycznej SiC stanów pułapkowych, ponieważ mają one decydujące znaczenie dla parametrów elektrycznych przyrządów typu MOSFET wykonanych na węgliku krzemu.

EN

In this article we present the results of 4H-SiC/SiO2/ZrO2 MOS gate dielectric stack measurements obtained using thermally stimulated current spectroscopy (TSC). This method was chosen because the main problem in modern SIC MOSFET technology are still traps localized close to conduction band edge. Therefore this article focuses on shallow trap states.

3

Struktura i właściwości elektroniczne warstw AIN wytwarzanych w reaktywnym procesie rozpylania magnetronowego

Nowakowska-Langier K., Chodun R., Firek P., Waśkiewicz M., Zdunek K., Szmidt J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 11

43-45

PL

W artykule przedstawione zostaly wyniki badań dotyczące struktury i właściwości elektronicznych warstw AIN otrzymywanych w procesie pulsacyjnego reaktywnego rozpylania magnetronowego. Przeprowadzone badania pokazały, że zastosowanie metody rozpylania magnetronowego w układzie "gemini" jest skutecznym sposobem wytworzenia w temperaturze otoczenia (RT) cienkich, transparentnych warstw AIN odznaczających się wystarczającą adhezją do podloży krzemowych. Otrzymywane przez nas warstwy azotku glinu, wzrastające w kierunku <002> odznaczały się nanokrystaliczną strukturą heksagonalnego AIN o parametrze sieci zgodnym z danymi literaturowymi, wartością energetycznej przerwy wzbronionej ok. 5 ... 6 eV oraz wartością napięcia przebicia ok. 3,5...4,4 MV/cm. Z badań autorów wynika, że szczególnie korzystnym zespołem cech strukturalnych oraz właściwości elektronicznych odznaczały się warstwy wytwarzane przy ciśnieniu mieszaniny gazów Ar+N₂, w zakresie 1 ... 2 Pa. Warstwy takie wydają się szczególnie predestynowane do wykorzystania, jako dielektryk bramkowy w strukturze tranzystorów MISFET.

EN

In the present paper we show the results of our investigation concerning a structure and the electrical properties of the AIN layers produced by the non-reactive magnetron sputtering process. Our results show that application of magnetron sputtering in "Gemini" mode allows for effective and room-temperature (RT) deposition on thin, transparent AIN films with good adhesion to Si substrates. Obtained films, growing in <002> crystallographic orientation have nanocrystalline structure of hexagonal AIN with crystallographic parameters staying in agreement with data published so far, the dielectric constant value (εri) equal from 5 to 6.5 and and critical electric field intensity (ΕBR) from 3.6 to 4.4 MV cm⁻¹. The results show that the promising morphology, phase composition and good electrical properties have the films deposited in Ar/N₂, pressure range from 1 to 2 Pa. It makes those deposited material suitable for application in novel microelectronic devices like MISFET transistor.