Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Karbo

1 2003

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Diamond/SiC composites sintered under high-pressure-high temerature conditions

Żerda T. W., Qian J., Voronin G.

Karbo

2003

Nr 4

183-187

Novel bulk diamond composites with nano size grain and nanocrystalline SiC bonding were sintered under high-pressure, high-temperature condi- tions. Nanostructured SiC matrix resulted in improved fracture toughness of the composites. Samples were prepared by high-energy ball milling and thorough powder mixing. Particular attention was paid to the diamond graphitization process, phase composition and stress-strain of the compo- sites. This study showed that pressure-temperature conditions in the diamond stable region are essential to avoid diamond graphitization and to sinter diamond/SiC composites with high hardness and strength. The graphitization rate depends on temperature, applied pressure, grain size, and population of surface defects.

Opisano nowoczesne kompozyty na bazie sproszkowanego diamentu i na-nokrystalicznego węglika krzemu jako lepiszcza, które spiekano w warunkach wysokich ciśnień i temperatur. Użycie wypełniaczy z SiC zwiększyło w efekcie odporność takich kompozytów na kruszenie. Poszczególne sub-straty reakcji zmielono w młynku kulowym, dzięki czemu proszki uległy gruntownemu wymieszaniu. Szczególną uwagę poświęcono analizie procesu grafityzacji diamentu oraz składowi fazowemu i naprężeniom występującym w kompozytach. Badania wykazały, iż w celu uniknięcia grafityzacji diamentu oraz otrzymania kompozytów diament/SiC o wysokiej twardości i wytrzymałości, niezbędne jest prowadzenie całego procesu w obszarze stabilności fazowej diamentu. Szybkość grafityzacji zależy od temperatury, przyłożonego ciśnienia, wielkości ziaren oraz koncentracji defektów powierzchniowych.