PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Modeling of InAs/Si electron-hole bilayer tunnel field effect transistor
Wiśniewski Piotr, Majkusiak Bogdan
Przegląd Elektrotechniczny
|
2022
|
R. 98, nr 2
133--135
EN
In this work, we present the results of modeling of InAs/Si Electron-Hole Bilayer Tunnel Field Effect Transistor. For this purpose, we used a developed numerical device simulator based on a self-consistent solution of Poisson and Schrödinger equations. We present the analysis of the impact of the channel layer thickness on the current-voltage characteristics. We show that using heterostructure in the device channel can give additional freedom in constructing the EHB TFET.
PL
W niniejszej pracy przedstawiamy wyniki modelowania polowego tranzystora tunelowego Si/InAs z biwarstwą elektronowo-dziurową. W tym celu wykorzystaliśmy opracowany numeryczny symulator przyrządów bazujący na samouzgodnionym rozwiązaniu równań Poissona i Schrödingera. Prezentujemy analizę wpływu grubości kanału na charakterystyki prądowo-napięciowe. Pokazujemy, iż wykorzystanie heterostruktury w obszarze kanału przyrządu może dać dodatkową swobodę w konstruowaniu tranzystora tunelowego EHB TFET.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.