PL
 |
EN
Ograniczanie wyników
Czasopisma help
  1. 49 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
  2. 14 Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni
  3. 13 Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji
  4. 12 Przegląd Elektrotechniczny
  5. 9 Elektronizacja : podzespoły i zastosowania elektroniki
Więcej...
Autorzy help
  1. 135 Zarębski J.
  2. 94 Górecki K.
  3. 24 Bisewski D.
  4. 14 Dąbrowski J.
  5. 10 Krupa J.
Więcej...
Lata help
  1. 2 2018
  2. 4 2017
  3. 6 2016
  4. 3 2015
  5. 5 2014
Więcej...
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 136

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 7 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 7 next fast forward last
1
Content available remote Modelowanie charakterystyk monokrystalicznych ogniw fotowoltaicznych przy różnych warunkach oświetlenia
Krac E., Dąbrowski J., Górecki K., Zarębski J.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2018
|
R. 94, nr 9
52--55
PL
W pracy przedstawiono model fotoogniwa dedykowany dla programu SPICE. Model ten uwzględnia zjawiska optyczne, elektryczne i cieplne. W szczególności uwzględniono wpływ na charakterystyki fotoogniwa kąta padania promieni światła na powierzchnię tego fotoogniwa. Zaprezentowano zarówno postać modelu, jak i zastosowane stanowisko pomiarowe. Praktyczną przydatność opracowanego modelu zbadano dla fotoogniwa monokrystalicznego.
EN
In the paper the model of the solar cell dedicated for the SPICE software is presented. This model takes into account optical, electrical and thermal phenomena. The influence of the angle of incidence of shafts on its surface on characteristic of solar cells are considered. Both the form of the model and the worked out measuring set-up are presented. The practical usefulness of the worked out model is examined for the monocrystalline solar cell (Modelling characteristics of mono-crystalline solar cells operating under different luminous conditions).
2
Content available Pomiary i obliczenia pojemności tranzystorów mocy BJT i SJT wykonanych z węglika krzemu
Szelągowska J., Zarębski J.
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
|
2018
|
No. 95
9--18
PL
W pracy zaprezentowano wyniki pomiarów charakterystyk pojemności C(u) sterowanych prądowo tranzystorów BJT i SJT, które zrealizowano z wykorzystaniem programowalnego systemu mierzącego firmy Keithley. Wyniki pomiarów porównano z wynikami obliczeń przy zastosowaniu popularnego i często stosowanego modelu Gummela-Poona tranzystora bipolarnego. Dla porównania, przedstawiono również wyniki pomiarów zaprezentowane w literaturze oraz w kartach katalogowych badanych przyrządów. Ponadto, oceniono wpływ temperatury otoczenia na kształt rozważanych charakterystyk pojemności.
EN
In the paper the results of measurements of capacitances C(u) of the current controlled BJT and SJT transistors was presented, for which a programmable measuring system manufactured by Keithley was used. The results of measurements was compared with results of the calculations obtained by using the popular and commonly used Gummel-Poon model. For comparison, the results of the measurements found in the literature and in the datasheets of the considered devices was presented as well. In addition, the influence of ambient temperature on the shape of the considered characteristics was also investigated.
3
Content available remote Układy zasilające stosowane w lampach LED
Ptak P., Górecki K., Zarębski J.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2017
|
R. 93, nr 3
167--170
PL
Praca dotyczy wpływu rezystancji obciążenia oraz napięcia sieci elektroenergetycznej na parametry elektryczne zasilaczy stosowanych w lampach LED. Do badań wybrano dwa zasilacze zawarte w lampach typu CLA25 i CLA60 firmy OSRAM Semiconductor. Badania przeprowadzono dla rezystancji obciążenia z zakresu od 10 Ω do 10 kΩ oraz dla napięcia przemiennego o częstotliwości sieci elektroenergetycznej i wartości skutecznej z zakresu od około 10 V do 230 V. Podczas badań eksperymentalnych przeanalizowano także wpływ zasilaczy lamp LED na zniekształcenia prądu pobieranego z sieci elektroenergetycznej.
EN
This paper refers to the influence of load resistance and the line voltage on electric parameters of power supply circuits used in LED lamps. Investigations were performed for two power supplies typically used in lamps of the type CLA25 and CLA60 offered by OSRAM Semiconductor. Measurements were performed for load resistance covering the range from 10 Ω to 10 kΩ and for the alternating input voltage of line frequency and the RMS value covering the range from about 10 V to 230 V. The influence of power supplies of LED lamps on disfigurements of the current received from the line was also analysed.
4
Content available remote Badanie właściwości wybranych modeli tranzystorów bipolarnych z izolowaną bramką
Górecki P., Górecki K., Zarębski J.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2017
|
R. 93, nr 7
81--85
PL
W pracy przeanalizowano właściwości wybranych literaturowych modeli tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką. Przedstawiono postać modelu tego elementu wbudowanego w programie SPICE oraz modelu zaproponowanego na stronie internetowej firmy International Rectifier. Za pomocą rozważanych modeli wyznaczono charakterystyki wybranego typu tranzystora IGBT pracującego przy różnych wartościach temperatury, a uzyskane wyniki obliczeń porównano z wynikami pomiarów badanych tranzystorów wykonanymi przez Autorów. W oparciu o uzyskane wyniki badań, przedyskutowano zakres przydatności obu rozważanych modeli.
EN
On the paper proprieties of selected literature models of the insulated gate bipolar transistor (IGBT) are analysed. The forms of the model of this element built-in in the SPICE software and the model proposed on web-side of International Rectifier are presented. By means of the considered models some characteristics of the selected type of the IGBT operating at different values of the temperature are calculated. Obtained results of calculations are compared with results of measurements of the investigated devices performed by the Authors. Basing on obtained results of investigations, the range of the usefulness of both the considered models are discussed.
5
Content available remote Investigations of the selected properties of LED lamps
Ptak P., Górecki K., Zarębski J.
Prace Naukowe Politechniki Śląskiej. Elektryka
|
2017
|
z. 1-2
27--33
EN
Results of experimental investigations of LED lamp power supply operation under overload conditions and impact of thermal phenomena on thermal and optical properties of LED modules installed in these lamps are presented in the paper. These results confirm that well designed cooling system makes possible considerable extension of the life-time of LED lamps and increase in the emitted luminous flux.
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań eksperymentalnych ilustrujących właściwości zasilaczy lamp LED przy ich pracy w warunkach przeciążenia, a także wpływ zjawisk cieplnych na właściwości cieplne i optyczne modułów LED zawartych w tych lampach. Przedstawione wyniki potwierdzają, że dobrze zaprojektowany system chłodzenia lampy umożliwia znaczne wydłużenie czasu życia lampy oraz wzrost natężenia emitowanego światła.
6
Modelowanie właściwości elektrolizera w programie SPICE
Górecki P., Górecki K., Zarębski J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2017
|
Vol. 58, nr 10
15--18
PL
W pracy zaproponowano model obwodowy elektrolizera w formie dedykowanej dla programu SPICE. Model ten uwzględnia zarówno właściwości statyczne, jak i dynamiczne rozważanego urządzenia i jest przeznaczony do optymalizacji parametrów sygnału zasilającego ten elektrolizer. Przedstawiono postać opracowanego modelu opisującego właściwości elektryczne elektrolizera oraz pokazano wyniki weryfikacji eksperymentalnej poprawności tego modelu. Wykorzystując przedstawiony model przeprowadzono symulacje komputerowe ilustrujące wpływ częstotliwości sygnału zasilającego elektrolizer oraz stężenia roztworu na wydajność i sprawność energetyczną procesu elektrolizy. Wybrane wyniki obliczeń zweryfikowano doświadczalnie.
EN
In the paper the network model of the electrolyser in the form dedicated for SPICE software is proposed. This model takes into account both static and dynamic proprieties of the considered device and it is devoted to the optimization of parameters of the signal feeding this electrolyser. The form of the worked out model describing electrical properties of the electrolyser is presented and some results of the experimental verification of the correctness of this model are shown. Using the presented model some computer simulations illustrating the influence of the frequency of the signal feeding the electrolyser and of the concentetion of the solution on the productivity and the efficiency of the electrolysis process are performed. Selected results of the calculations are compared with results of measurements.
7
Content available remote Wyniki pomiarów parametrów termicznych tranzystora SiC JFET
Bargieł K., Bisewski D., Zarębski J., Szarmach E.
Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni
|
2016
|
nr 95
157--167
PL
W pracy zaprezentowano wyniki pomiarów rezystancji termicznej oraz przejściowej impedancji termicznej tranzystora JFET mocy, wykonanego z węglika krzemu o symbolu SJEP120R063. Pomiary przeprowadzono z wykorzystaniem opracowanego w Katedrze Elektroniki Morskiej komputerowego systemu pomiarowego. Zbadano wpływ temperatury otoczenia oraz mocy cieplnej wydzielanej w rozważanym przyrządzie półprzewodnikowym na wartości rezystancji termicznej złącze-otoczenie, jak i wybranych parametrów występujących w modelu przejściowej impedancji termicznej.
EN
In the paper results of measurements of the thermal parameters of silicon carbide JFET, are presented. Measurements were performed by computer-aided measurement system, based on literature pulsedelectrical method. The influences of the ambient temperature and the dissipated power on the thermal parameters of the transistor were examined.
8
Content available remote Wpływ rdzenia dławika na charakterystyki przetwornicy buck
Górecki K., Detka K., Zarębski J., Wierszyło A.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2016
|
R. 92, nr 4
137--139
PL
W pracy przeanalizowano wpływ właściwości rdzenia dławika zawartego w przetwornicy buck na jej charakterystyki. Przedstawiono i przedyskutowano zależności napięcia wyjściowego i sprawności energetycznej rozważanej przetwornicy oraz temperatury rdzenia od rezystancji obciążenia i częstotliwości sygnału sterującego. W oparciu o uzyskane wyniki pomiarów wskazano zakresy wartości rezystancji obciążenia zapewniające maksymalną sprawność energetyczną rozważanej przetwornicy zawierającej dławiki z rdzeniami wykonanymi z różnych materiałów ferromagnetycznych.
EN
In the paper the influence of properties of an inductor core used in a buck converter on its characteristics is analyzed. The dependences of the converter output voltage, watt-hour efficiency and the core temperature on load resistance and frequency of the control signal are presented and discussed. On the basis of the obtained results of measurements the ranges of load resistance values, for which the highest values of watt-hour efficiency for the considered converter with inductors including cores made of different ferromagnetic materials are obtained, are shown.
9
Content available remote Power supply circuits used in LED lamps
Ptak P., Górecki K., Zarębski J.
Prace Naukowe Politechniki Śląskiej. Elektryka
|
2016
|
z. 1
31--38
EN
Load resistance and line voltage impact on electric parameters of power supply circuits used in LED lamps are discussed in this paper. Investigations were performed for two power supplies typically used in CLA25 and CLA60 lamps offered by OSRAM Semiconductor. Measurements were performed for load resistance ranging from 10 Ω to 10 kΩ and for the alternating input voltage of line frequency and RMS value ranging from about 10 V to 230 V. The impact of power supplies of LED lamps on deformation of the current drawn from the network was also analysed.
PL
Praca dotyczy wpływu rezystancji obciążenia oraz napięcia sieci elektroenergetycznej na parametry elektryczne zasilaczy stosowanych w lampach LED. Do badań wybrano dwa zasilacze zawarte w lampach typu CLA25 i CLA60 firmy OSRAM Semiconductor. Badania przeprowadzono dla rezystancji obciążenia z zakresu od 10 Ω do 10 kΩ oraz dla napięcia przemiennego o częstotliwości sieci elektroenergetycznej i wartości skutecznej z zakresu od około 10 V do 230 V. Podczas badań eksperymentalnych przeanalizowano także wpływ zasilaczy lamp LED na zniekształcenia prądu pobieranego z sieci elektroenergetycznej.
10
Content available Badania właściwości cieplnych tranzystora MOS mocy chłodzonego cieczą
Bisewski D., Zarębski J.
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
|
2016
|
No. 87
235--244
PL
W pracy zaprezentowano wyniki pomiarów parametrów termicznych tranzystora MOS mocy, dla którego zastosowano cieczowy system chłodzący firmy Aquacomputer. Zbadano wpływ wybranych parametrów systemu chłodzącego w tym m.in.: rodzaj wymiennika ciepła oraz prędkość przepływu cieczy chłodzącej na właściwości cieplne tranzystora. Dla porównania, przedstawiono wyniki pomiarów parametrów termicznych rozważanego tranzystora umieszczonego na radiatorze. Porównano skuteczność odprowadzania ciepła z wnętrza tranzystora do otoczenia przy zastosowaniu wymienionych wyżej układów chłodzenia.
EN
The paper presents the results of measurements of thermal parameters of power MOSFET implemented in liquid cooling system offered by Aquacomputer. The influence of selected cooling system parameters, such as: the type of heat exchanger and the flow rate of the coolant on the thermal properties of transistor, has been examined. In comparison, the results of measurements of thermal parameters of the considered transistor located on the heat sink, have been presented. Efficiency of heat radiation to the surroundings of the transistor using the above–mentioned cooling systems, has been investigated.
11
Content available Examinations of Selected Thermal Properties of Packages of SiC Schottky Diodes
Bisewski D., Myśliwiec M., Górecki K., Kisiel R., Zarębski J.
Metrology and Measurement Systems
|
2016
|
Vol. 23, nr 3
451--459
EN
This paper describes the study of thermal properties of packages of silicon carbide Schottky diodes. In the paper the packaging process of Schottky diodes, the measuring method of thermal parameters, as well as the results of measurements are presented. The measured waveforms of transient thermal impedance of the examined diodes are compared with the waveforms of this parameter measured for commercially available Schottky diodes.
12
Bipolarne tranzystory mocy wykonane z węglika krzemu
Zarębski J., Patrzyk J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2016
|
Vol. 57, nr 1
43--46
PL
Artykuł dotyczy bipolarnych tranzystorów mocy wykonanych z węglika krzemu. Scharakteryzowano wybrane właściwości węglika krzemu. Przedstawiono historię rozwoju tych przyrządów jak również ich status komercyjny oraz stan literatury dotyczący tych tranzystorów. Zwrócono uwagę na mankamenty w zakresie modelowania rozważanej klasy przyrządów półprzewodnikowych z wykorzystaniem programu SPICE.
EN
The paper deals with the bipolar power transistors made of silicon carbide (SiC-BJTs). The selected features of silicon carbide, the history of SiC-BJTs development and their commercial status are described. Additionally, the short overview of literature concerning the considered class of SiC devices is presented. The special attension is paid to shortcoming in the range of SiC-BJTs modeling with the use of SPICE.
13
Content available remote Zależność parametrów modelu przejściowej impedancji termicznej tranzystora MOS mocy od konstrukcji układu chłodzenia
Bisewski D., Górecki K., Zarębski J.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2015
|
R. 91, nr 4
139--143
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań eksperymentalnych, ilustrujących wpływ takich czynników jak wielkość pól lutowniczych, powierzchnia miedzi na płytce drukowanej oraz zastosowanie wodnego systemu chłodzenia na parametry modelu przejściowej impedancji termicznej Zth(t) tranzystora MOS mocy. Pomiary Zth(t) wykonano pośrednią metodą elektryczną, a wartości parametrów jej modelu wyznaczono przy wykorzystaniu autorskiego algorytmu. W oparciu o uzyskane wyniki badań wskazano zależność między konstrukcją układu chłodzenia a parametrami modelu cieplnego tego elementu.
EN
The paper presents the results of experimental studies that illustrate the influence of the selected factors, i.e. the size of soldering pads, the PCB copper area as well as the use of aqueous cooling system on the transient thermal impedance model parameters of MOSFET. Measurements of thermal parameters were performed using the indirect electrical method. Parameters of the transient thermal impedance model were calculated using the estimation procedure elaborated by the authors. The obtained results show an influence of the system cooling parameters on the thermal model parameters of the semiconductor device.
14
Content available Ocena dokładności firmowych modeli diod Schottky'ego z węglika krzemu
Bisewski D., Zarębski J.
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
|
2015
|
No. 84
137--144
PL
W pracy przedstawiono wyniki weryfikacji eksperymentalnej wybranych modeli diod Schottky’ego z węglika krzemu, oferowanych przez producentów rozważanych przyrządów półprzewodnikowych. W tym celu modele diod zaimplementowano w programie SPICE i przeprowadzono symulacje wybranych charakterystyk statycznych oraz charakterystyk C(u) tych przyrządów. Przeprowadzono ocenę dokładności modeli poprzez porównanie charakterystyk obliczonych tymi modelami z charakterystykami zmierzonymi diod, dostępnymi w ich kartach katalogowych. Do badań wybrano wykonane z węglika krzemu diody Schottky’ego trzech producentów: ST Microelectronics, GeneSiC oraz Rohm.
EN
The paper presents the results of experimental verification of selected models of the silicon carbide Schottky diodes offered by various manufacturers. Schottky diodes fabricated by ST Microelectronics, GeneSiC and Rohm, were chosen for investigations. Models were implemented in SPICE. Calculations of DC characteristics as well as C-V characteristics of the investigated Schottky diodes, were performed. Evaluation of the models accuracy by means of comparison of the calculated and measured characteristics, were performed.
15
Modelowanie charakterystyk przetwornicy buck z uwzględnieniem zjawisk cieplnych w dławiku
Detka K., Górecki K., Zarębski J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2015
|
Vol. 56, nr 9
40-42
PL
W pracy rozważany jest problem modelowania charakterystyk przetwornicy buck przy uwzględnieniu zjawisk cieplnych. Przedstawiono sposób modelowania elementów składowych rozważanej przetwornicy, w szczególności zastosowany model dławika. Porównano obliczone i zmierzone charakterystyki rozważanej przetwornicy dla dławików zawierających rdzenie wykonane z różnych materiałów ferromagnetycznych. W oparciu o uzyskane wyniki, przedyskutowano wpływ zjawisk cieplnych w dławiku na charakterystyki rozważanej przetwornicy.
EN
In this paper the problem of modelling characteristics of a buck converters with thermal phenomena taken into account is considered. The manner of components modelling of the considered converter is presented, particularly the used model of a choking-coil. The calculated and measured characteristics of the considered converters are compared for the choking-coils with the cores made of different ferromagnetic materials. On the basis of the obtained results of measuremenrts and calculations, the influence of thermal phenomena in a choking-coil on characteristics of the considered converter is discussed.
16
Content available remote Wpływ mocowania elementu półprzewodnikowego na jego przejściową impedancję termiczną
Górecki K., Zarębski J.
Prace Naukowe Politechniki Śląskiej. Elektryka
|
2014
|
z. 1
57--64
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań wpływu sposobu mocowania elementu półprzewodnikowego na jego przejściową impedancję termiczną. Opisano zastosowaną przez autorów metodę pomiaru tego parametru oraz wyniki pomiarów cza-sowych przebiegów przejściowej impedancji termicznej wybranych typów tranzystorów pracujących przy różnych warunkach mocowania. Przy wykorzystaniu autorskiego programu ESTYM wyznaczono wartości parametrów modelu przejściowej impedancji termicznej i przeanalizowano wpływ sposobu mocowania na wartości tych parametrów. Badania przeprowadzono zarówno dla elementów pracujących pojedynczo, jak i dla analogowego układu scalonego oraz tranzystorów pracujących na wspólnym radiatorze.
EN
In the paper some results of investigations of the influence of the manner of mounting semiconductor devices on its transient thermal impedance are presented. The applied by the authors the method of measurements of this parameter is described and some results of measurements of waveforms of the transient thermal impedance of selected types of transistors operating at different mounting conditions are shown. With the use of the authors’ program ESTYM the values of parameters of the model of the transient thermal impedance were estimated. The influence of the manner of mounting manner on the value of these parameters is analysed. Investigations were passed both for devices operating one by one, as and for the analog integrated circuit and transistors situating on the common heat-sink.
17
Content available Analiza wpływu nieliniowości modelu termicznego tranzystora MOS mocy na charakterystyki przetwornicy boost
Zarębski J, Górecka K., Górecki K.
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
|
2014
|
No. 80
9--17
PL
W pracy przeanalizowano zasadność stosowania nieliniowego modelu termicznego tranzystora MOS mocy przy analizach charakterystyk przetwornicy boost. Przedstawiono postać rozważanego modelu termicznego oraz wyniki elektrotermicznej analizy stanów przejściowych badanego układu, uzyskane przy uwzględnieniu nieliniowości modelu termicznego oraz przy pominięciu tej nieliniowości. Badania przeprowadzono dla przetwornic zawierających dwa różne zestawy półprzewodnikowych elementów kluczujących.
EN
In the paper the necessity of using the non-linear thermal model of the power MOS transistor at computer analyses of the boost converter is considered. The form of considered thermal model are presented and results of the electrothermal transient analysis of considered converter, obtained at the nonlinearity of the thermal model taking into account and at the omission of this nonlinearity are shown. Investigations were performed for converters containing two different sets of switching semiconductor devices.
18
Content available System do automatycznego pomiaru parametrów termicznych półprzewodnikowych przyrządów mocy
Bisewski D., Zarębski J.
Pomiary Automatyka Kontrola
|
2014
|
R. 60, nr 12
1150--1153
PL
W pracy omówiono budowę i zasadę działania autorskiego systemu do automatycznego pomiaru parametrów termicznych, w tym czasowych przebiegów przejściowej impedancji termicznej oraz rezystancji termicznej półprzewodnikowych przyrządów mocy. W rozważanym systemie zaimplementowano popularną impulsową metodę pomiaru parametrów termicznych opartą na wykorzystaniu krzywej chłodzenia elementu półprzewodnikowego. Działanie systemu pomiarowego zilustrowano wynikami pomiarów parametrów termicznych wybranych półprzewodnikowych przyrządów mocy.
EN
Generally, manufacturers of semiconductor devices do not provide in datasheets detailed information about thermal parameters of semiconductor devices, i.e. time waveform of junction-to-ambient transient thermal impedance or dependence of junction-to-ambient thermal resistance versus dissipated power. Therefore, the designers of electronic circuits do not have reliable information about thermal properties of semiconductor devices in the designed circuit [1 - 3]. The paper discusses the construction and operation of automatic measurement system of thermal parameters, including transient thermal impedance and thermal resistance of semiconductor power devices. Block diagram of the measurement system is shown in Fig. 1. In the measurement system, the popular Rubin and Oettinger [6] pulse method for measuring thermal parameters based on the cooling curve of semiconductor device, has been implemented. For reading and archiving the results of measurements, A/D and D/A converter USB-1608GX-2AO fabricated by Measurement Computing [5], has been used. Usefulness of the measuring system is illustrated by results of measurements of thermal parameters of silicon MOSFET (IRFR420A - International Rectifier), silicon carbide MESFET (CRF24010 - Cree) and silicon carbide Schottky diode (IDT06S60C - International Rectifier). As seen in Fig. 3, the thermal resistance junction-to-ambient strongly depends on semiconductor device dissipated power. For example, the thermal resistance of MOSFET decreases about 20% with increase of the dissipated power from 0.1 W to 1 W, at constant ambient temperature. It has been shown, that realization of such measurements allows to obtain more precise information about the thermal parameters of semiconductor devices in comparison to the device catalogue data.
19
Przyrządy półprzewodnikowe z węglika krzemu : pomiary, modelowanie i aplikacje
Zarębski J., Bisewski D., Dąbrowski J., Górecki K., Bargieł K., Patrzyk J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2014
|
Vol. 55, nr 8
22-25
PL
W artykule zaprezentowano wybrane wyniki prac naukowo-badawczych prowadzonych w Katedrze Elektroniki Morskiej (KEM) Akademii Morskiej w Gdyni w zakresie pomiarów oraz modelowania przyrządów półprzewodnikowych wykonanych z węglika krzemu, a także przykładowych układów elektronicznych z tymi przyrządami.
EN
In this papers, selected results of scientific research performed in the Department of Marine Electronics of Gdynia Maritime University in the field of measurements and modelling of semiconductor devices made of silicon carbide are presented. Some results of analyses and calculations of electronic circuits containing such devises are shown, as well.
20
Porównanie charakterystyk statycznych bipolarnych tranzystorów mocy wykonanych z krzemu i węglika krzemu
Zarębski J., Bisewski D., Patrzyk J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2014
|
Vol. 55, nr 10
114-117
PL
W pracy porównano podstawowe charakterystyki statyczne bipolarnych tranzystorów mocy wykonanych z krzemu i węglika krzemu. Oceniono wpływ temperatury otoczenia oraz zjawiska samonagrzewania na charakterystyki i parametry rozważanych przyrządów półprzewodnikowych.
EN
In the paper a comparison of static characteristics of bipolar power transistors made of silicon and silicon carbide, is presented. The influence of selfheating phenomenon on the characteristics and parameters of considered transistors is examined.
first rewind previous Strona / 7 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.