Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2009

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Tlenki cyrkonu otrzymywane w procesie reaktywnego rozpylania magnetronowego

Markowski J., Żarnoch P.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2009

Vol. 50, nr 1

115-117

Nanoszono cienkie warstwy tlenku cyrkonu na podłoża szklane metodą impulsowego reaktywnego rozpylania magnetronowego. Grubości osadzanych warstw zawierały się w granicach od 250 nm do 450 nm. Badano wpływ parametrów elektrycznych wyładowania magnetronowego oraz składu gazu roboczego (Ar+O2) na właściwości strukturalne i elektryczne nanoszonych warstw. Stwierdzono, że charakter otrzymywanych warstw (metaliczny, metaliczno-dielektryczny, dielektryczny) silnie zależy od relacji między mocą efektywną i mocą krążącą wyładowania oraz zawartością tlenu w gazie roboczym. Badania XRD wykazały, że w zależności od parametrów procesu technologicznego warstwy tlenków miały charakter amorficzny bądź zawierały kubiczną i jednoskośną fazę krystalograficzną. Zdjęcia mikroskopowe (AFM) powierzchni warstw tlenkowych otrzymywanych w różnych warunkach wskazują na wyraźne różnice w topografii warstw i parametrach ich chropowatości. Mniejszą chropowatość powierzchni wykazują warstwy o charakterze amorficznym.

Zirconium oxide thin films were deposited by pulsed reactive magnetron sputtering on glass substrates. The thickness of the thin films was between 250 nm and 450 nm. The influence of magnetron electrical discharge parameters and sputtering gas pressure on electrical and structural properties of deposited thin films were investigated. Strong correlation between effective power, circulation power, and oxygen content in sputtering gas on character of obtained layers (metallic, metal-dielectric, dielectric) was establish. XRD measurements shown amorphous or monoclinic and cubic crystallographic structure of zirconium oxides depends on technological process parameters. AFM images from the surface of thin oxide films deposited in different conditions shown a clear distinction in topography and roughness parameters. Lower surface roughness in amorphous structures was observed.