The structure of Ga-In-Sn eutectic melt has been studied by means of x-ray diffraction method. The structure factors and pair correlation functions are analyzed. It is shown that inhomogeneous structure exists within some temperature range and can be changed by outside energetic influence.
PL
W pracy przedstawiono wyniki porównawczych badań stukturalnych eutektycznego stopu Ga-In-Sn. Uzyskane wyniki potwierdziły występowanie w tym stopie struktur niehomogenicznych w szerokim zakresie temperatury oraz możliwość zmiany takich struktur przez zewnętrzne oddziaływanie energetyczne.
2
Dostęp do pełnego tekstu na zewnętrznej witrynie WWW
The temperature and concentration dependences of the structure parameters of Ga-In &Ga-Sn melts have been studied. The configurational component of the entropies of melts have been calculated using the results of x-ray research and hard sphere approach. Acoustical emission and heat effects accompanying the processes of crystallization have been explored. The presence of correlation dependence between the structural - thermodynamic condition of the melt and the freezing point is found.
XX
Przeanalizowana zależność temperaturowa i koncentracyjna parametrów struktury stopów Ga-In oraz Ga-Sn w stanie ciekłym. Z wykorzystaniem wyników rentgenografii a także w przybliżeniu modeli twardych sfer obliczona entropia konfiguracyjna cieczy. Zbadano emisję akustyczną oraz właściwości cieplne towarzyszące procesom krystalizacji. Ustalono korelację między strukturalno-termodynamicznym stanem cieczy oraz mechanizmem krystalizacji.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.