Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2014

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Fotoluminescencyjne badania wpływu temperatury na własności emisyjne periodycznych nanostruktur fotonicznych

Urbańczyk D. M., Wójcik-Jedlińska A., Kosiel K., Bugajski M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2014

Vol. 55, nr 11

57-59

Praca prezentuje zastosowanie wyzoskorozdzielczej spektroskopii fotoluminescencyjnej do analizy wpływu temperatury na własności emisyjne periodycznych nanostruktur półprzewodnikowych. Przedmiotem badań były supersieci Al0.45GaAs0.55/GaAs zaprojektowane jako obszar czynny laserów kaskadowych. Struktury zostały osadzone metodą epitaksji z wiązek molekularnych na podłożu GaAs. Wykonano pomiary widm fotoluminescencji obszaru supersieci w różnych warunkach termicznych, w zakresie temperatury od 5 do 65°C. Na podstawie zmian spektralnego położenia pików fotoluminescencji wyznaczono parametr przesunięcia temperaturowego wynoszący ok. 0,3 nm/K.

The paper presents photoluminescence study of the temperature effect on the optical properties of semiconductor periodic nanostructures. The research was performed on Al0.45GaAs0.55/GaAs superlattices grown by molecular beam epitaxy on GaAs substrate. The structures have been designed as an active region of quantum cascade lasers. The temperature dependences were determined based on the results of high resolution photoluminescence measurements carried out at different temperature of values ranging from 5 to 65°C. The obtained temperature offset of the emission spectra was ~0.3 nm/K.