Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2011

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Fabrication of the 10 kΩ QHR array device

Oe T., Matsuhiro K., Itatani T., Gorwadkar S., Kiryu S., Kaneko N. H.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 6

47-49

Each quantized Hall resistance (QHR) elements which constitute a perfect quantum Hall array resistance standard (QHARS] device should have suitable performance as a DC resistance standard by itself. We have improved the yield ratio of the QHR device to accomplish the QHARS process. Thereby we have achieved approximate 100% device yield of 400 μm-width Hall bars by adopting a new device process with the SiO₂ passivation layer before the AuGe/Ni evaporation. The 10 kΩ-QHARS device with this new process agrees with its nominal value within 8 × 10⁻⁹ based on the von Klitzing constant R (sub)K.

Wszystkie próbki z kwantową rezystancją Halla (QHR), które stanowią pełną matrycę kwantowego wzorca rezystancji Halla (QHARS), muszą mieć takie parametry, jak stałoprądowy wzorzec rezystancji. Poprawiliśmy procentowy współczynnik uzyskiwania dobrych próbek QHR w procesie wytwarzania wzorca QHARS. Dzięki temu z płytki o szerokości 400 μm osiągnęliśmy blisko 100-procentowy uzysk próbek (ścieżek przewodzących) z efektem Halla przez wykorzystanie nowej technologii ich wytwarzania z udziałem warstwy pasywacji SiO₂, przed odparowaniem AuGe/Ni. Rezystancję wzorca QHARS 10 kΩ wykonanego nową technologią porównywano z jej wartością nominalną określoną za pomocą stałej von Klitzinga R (sub)K i uzyskano zgodność w granicach błędu względnego 8 × 10⁻⁹.