Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Przegląd Elektrotechniczny

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Wpływ procesów utleniania i wygrzewania w atmosferze zawieraj ˛acej fosfor lub azot na jakos´c mi ˛ ´ edzypowierzchni dielektryk/półprzewodnik w strukturze MOS Ti/SiO2/4H-SiC

Kamiński Maciej, Brzozowski Ernest, Taube Andrzej, Sadowski Oskar, Król Krystian, Guziewicz Marek

Przegląd Elektrotechniczny

2021

R. 97, nr 2

99--104

W artykule przedstawiono wyniki prac nad formowaniem tlenku termicznego na powierzchni w ˛eglika krzemu oraz wpływ wygrzewania w atmosferze zawieraj ˛acej fosfor lub azot na jakos´c mi ˛ ´ edzypowierzchni dielektryk/półprzewodnik/ w układzie SiO2/4H-SiC. Stwierdzono, ze wygrzewanie ˙ dwuetapowe w atmosferze POCl3 w temperaturze 1000°C, oraz kolejno NO w temperaturze 1100°C pozwala zredukowac g˛ ´ estos´c stanów pułapkowych ´ do poziomu ok. 2×1011 cm−2 przy kraw ˛edzi pasma przewodnictwa.

The aim of this studies was investigation of the influence of oxidation and annealing processes in the phosphorus or nitrogen containing atmosphere on the quality of the dielectric/semiconductor interface in the Ti/SiO2/4H-SiC metal-oxide-semicondutor structure. It was found that twostage annealing, in POCl3-containing atmosphere at the temperature of 1000°C, and successively in NO-containing atmosphere at the temperature of 1100°C allows to reduce the density of interface trap to the level of approx. 2×1011cm−2 near the conduction band edge.

Montaż struktur AlGaN/GaN na Si do podłoży DBC w oparciu o technologię SLID oraz zgrzewania dyfuzyjnego mikroproszkiem Ag

Kisiel Ryszard, Sochacki Mariusz, Taube Andrzej, Guziewicz Marek

Przegląd Elektrotechniczny

2019

R. 95, nr 11

5--7

Wykonano i zbadano układy połączeń chipów tranzystora HEMT AlGaN/GaN/(111)Si, metalizowanych warstwami montażowymi Cu, Ag lub Au, z podłożami DBC wykorzystując technologię SLID oraz technologię zgrzewania mikroproszkiem Ag. Siły adhezji połączeń chipów, w których zastosowano pośrednią galwaniczną warstwę (1 m)Sn, dobraną siłę nacisku, temperaturę 280oC i czas 30 min. dla procesu spiekania, są powyżej 22 MPa. Połączenie chipu ze spodnią metalizacją Ag zgrzewane z DBC poprzez mikroproszek Ag cechuje siła adhezji powyżej 22 MPa.

The connection systems of AlGaN/GaN on (111)Si chip metallized with Cu, Ag or Au (mounting layers) were preformed to DBC plates using Solid Liquid phase Interdiffusion (SLID) technology and Ag sintering bonding, and the systems were verified. The chip adhesion forces for DBC samples with intermediate galvanic (1 m)Sn layer, and the load force matched to the chip size, temperature of 280oC and time of 30 min. for the sintering process, are above 22 MPa. Ag sintering bonding of the chip with backside Ag metallization to DBC substrate is exceeding 22 MPa.