PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Powiadomienia systemowe
  • Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 18

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available Large-signal averaged models of the non-ideal flyback converter derived by the separation of variables
Janke W., Bączek M., Kraśniewski J.
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
|
2020
|
Vol. 68, nr 1
81--88
EN
The main topic of the paper is the large signal averaged model of a switch-mode flyback power converter. The use of the large-signal averaged models of switching converters allows for fast simulation of power systems. The known averaged models of a flyback are based on the state-space averaging or switch-averaging approach. The model presented in the paper is derived with the use of the separation of variables approach and include parasitic resistances of all converter components. The limitations of the model accuracy are discussed. The calculations based on the averaged model are compared with detailed full-wave simulations and measurements results.
2
Content available remote Współczesne tranzystory mocy w impulsowych przekształtnikach napięcia Flyback
Janke W., Bączek M., Kraśniewski J.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2018
|
R. 94, nr 9
10--13
PL
W pracy omówiono współczesne tranzystory mocy używane najczęściej w impulsowych przekształtnikach mocy i porównano ich przydatność. Najwięcej uwagi poświęcono tranzystorom HEMT z azotku galu. Zaprezentowano i porównano parametry techniczne różnych odmian tranzystorów dostępnych komercyjnie. Jako przykład zastosowań omawianych tranzystorów pokazano impulsowe przekształtniki Flyback i przedstawiono wybrane charakterystyki tych przekształtników.
EN
Modern power transistors used currently in switch mode power converters are described and compared. The special attention is devoted to HEMT transistors made of gallium nitride (GaN). The representative parameters of commercially available transistors are presented and discussed. The exemplary application of the discussed transistors in switch-mode Flyback converters is presented.
3
Content available remote Wpływ efektów pasożytniczych na wybrane właściwości przetwornicy Flyback
Janke W., Bączek M., Kraśniewski J.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2018
|
R. 94, nr 8
44--46
PL
W pracy omówiono główne cechy transformatorowego przekształtnika napięcia stałego Flyback oraz znaczenie efektów pasożytniczych w jego elementach. Wyprowadzono wzory opisujące czasowe przebiegi prądów w przekształtniku w pojedynczym okresie przełączania i na ich podstawie zależności między składowymi stałymi prądów i napięć w nieidealnym przekształtniku. Pokazano przebiegi otrzymane pomiarowo i symulacyjnie ilustrujące wpływ elementów pasożytniczych na oscylacje pojawiające się przy zmianach stanu przełączników.
EN
The Flyback converter is is the most popular example of the transformer-mode DC-DC power converter. In the standard description of Flyback the parasitic effects in its components are usually included to the very limited extent. In the paper, the influence of parasitic effects in each component of the converter is considered. The formulas describing the waveforms of currents during the single switching period of non-ideal converter are derived and used for finding the expressions for DC characteristics of the converter. The resulting expressions are verified experimentally. The influence of parasitic parameters of semiconductor switches on the vaveform of oscilations observed at transients are investigated by simulations and measurements.
4
Content available remote Wpływ temperatury na charakterystyki widmowe luminoforów Y3Al5O12 domieszkowanych Ce
Kraśniewski J., Oleksy M., Rudziński M., Szysiak A.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2017
|
R. 93, nr 8
114--116
PL
Diody LED emitują promieniowanie w wąskim zakresie widma. Natomiast światło, które ludzkie oko odbiera jako białe, zawiera fale świetlne z całego widma widzialnego od 425 nm do 675 nm. W produkcji tzw. białych diod LED najczęściej wykorzystuje się diodę niebieską, na której strukturę zostaje nałożona warstwa luminoforu. Na skutek tzw. przesunięcia Stokesa luminofor wzbudzany przez niebieską diodę emituje światło o rozkładzie widmowym zbliżonym do światła białego. W niniejszym artykule przedstawiono wyniki pomiarów charakterystyk widmowych luminoforów z proszku Y3Al5O12 domieszkowanych Ce w szerokim zakresie temperatur otoczenia.
EN
LED diode emit radiation in a narrow part of visible spectrum. On the other hand, light which is perceived by human eye as white contains light waves from whole visible spectrum roughly ranging from 425nm to 675nm. During manufacturing of so called white LEDs, usually a blue diode is used, with its semiconductor structure coated with yellow or orange phosphor. Because of so called Stokes shift, phosphor Excitated by blue LED emits light which spectral characteristic is closer to white light. In following paper, measurement results of spectral characteristics of Y3Al5O12 phosphore doped with Ce in wide temperature range are presented.
5
Content available remote Uśredniony model impulsowej przetwornicy Buck sterowanej prądowo
Janke W., Kraśniewski J.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2017
|
R. 93, nr 8
120--123
PL
W niniejszej pracy opisano nowy sposób tworzenia uśrednionego modelu przetwornicy Buck sterowanej prądowo, w wersji wielkosygnałowej. Przedstawiono rozważania teoretyczne oraz eksperymentalne dotyczące impulsowej przetwornicy napięcia stałego Buck pracującej z modulacją szerokości impulsów (PWM), ze stałą częstotliwością przełączania. Przedstawione badania odnoszą się jedynie do przekształtnika pracującego w trybie CCM. Wyprowadzony model uśredniony jest modelem pierwszego rzędu. Rozważania teoretyczne zilustrowano eksperymentalnie, a otrzymana zgodność wyników pomiarów i obliczeń może być uznana za zadowalającą.
EN
New method of the derivation of the large-signal averaged model of current-programmed Buck DC-DC converter is presented in the paper. Theoretical considerations and experiments are performed for constant switching frequency PWM controlled converter working in CCM. The presented derivation concerns the simplified description of converter in which parasitic resistances of the components are neglected. The essential feature of the presented model is that it is the first order model. The experimentally obtained results confirm the validity of the model.
6
Content available The temperature dependence of subthreshold characteristics of Si and SiC power MOSFETs
Kraśniewski J., Janke W.
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
|
2016
|
Nr 9
51--58
EN
In the paper, subthreshold characteristics of Si and SiC MOSFET power transistors in a wide range of current and temperature are considered. Representative examples of measured iD-vGS dependencies for temperatures from 20°C up to over 140°C are presented and discussed. Substantial differences of the shapes obtained for Si and SiC devices are observed. The subthreshold slope and subthreshold swing coefficient are extracted from measured curves for two types of devices and compared.
PL
W niniejszym artykule porównano charakterystyki w obszarze podprogowym tranzystorów mocy MOSFET z krzemu i węglika krzemu w szerokim zakresie prądu i temperatury. Dla reprezentatywnej partii tranzystorów przedstawiono i omówiono pomiary zależności iD-vGS w szerokim zakresie temperatur od 20°C do ponad 140°C. Dodatkowo zaprezentowano różnice w wartości nachylenia oraz wahania współczynnika w obszarze podprogowym od temperatury otoczenia dla badanych tranzystorów z Si i SiC.
7
Content available Calibration of temperature-sensitive parameter for Silicon Carbide SBD’S
Kraśniewski J., Janke W.
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
|
2016
|
Nr 9
77--83
EN
Thermal properties of semiconductor device may be characterized by thermal parameters or characteristics such as thermal resistance and thermal impedance. In order to calculate the thermal resistance or thermal impedance one must have a calibration curve of temperature-sensitive parameter of the device (e.g. the voltage drop across a junction). For the obtaining the calibration curve by measurement, the temperature chamber has to be used. Another possibility is to predict this curve theoretically from analytical equations or by simulations (e.g. PSPICE). In the paper, the simulation and theoretical predictions of temperature-sensitive parameter calibration curves are compared with the results of measurement for SiC devices with metal-semiconductor junction.
PL
Właściwości termiczne elementów półprzewodnikowych można charakteryzować poprzez parametry lub charakterystyki termiczne, takie jak rezystancja i impedancja termiczna. W celu wyznaczenia rezystancji lub impedancji termicznej elementu półprzewodnikowego musimy posiadać krzywą kalibracji parametru termoczułego (np. spadek napięcia na złączu). Dla uzyskania pomiarowej krzywej kalibracyjnej należy wykorzystać komorę temperaturową. Inną możliwością jest teoretyczne przewidywanie ww. krzywej z równań analitycznych lub symulacji (np. PSPICE). W niniejszej pracy porównano krzywe kalibracyjne parametru termoczułego otrzymane na drodze symulacji i teoretycznych obliczeń z wynikami pomiarów dla urządzeń SiC o złącze m-s.
8
Content available remote Problemy określania pasożytniczych parametrów impulsowych przetwornic napięcia
Janke W., Bączek M., Hapka A., Oleksy M., Kraśniewski J.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2016
|
R. 92, nr 9
125--128
PL
W pracy omówiono wpływ efektów pasożytniczych na wybrane właściwości impulsowych przetwornic napięcia typu BUCK. Omówiono sposoby wyznaczania rezystancji pasożytniczych poszczególnych elementów składowych przetwornic. Pokazano, że bezpośredni pomiar za pomocą mostka RLC daje wyniki niejednoznaczne. Zaproponowano postępowanie oparte na pomiarach modułu impedancji elementów i użyciu procedury optymalizacyjnej.
EN
In the paper, influence of parasitics effects on chosen properties of pulse voltage BUCK converters is described. Also, methods used for obtaining values of parasitic resistances of individual elements used in the converter are discussed. It is shown, that direct measurements obtained with RLC meter give ambiguous results. Proposed method is based on impedance modulus measurements, and use of optimalisation procedure.
9
Content available remote Wpływ temperatury na charakterystyki optyczne i elektryczne diod LED mocy
Oleksy M., Kraśniewski J., Janke W.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2014
|
R. 90, nr 9
83-85
PL
Diody LED dużej mocy, których sprawność w ostatnim czasie znacząco wzrasta, znajdują zastosowanie w coraz to nowych aplikacjach. Ze względu na duże gęstości wydzielanej mocy, znaczącym problemem jest właściwe odprowadzanie ciepła generowanego w strukturze. Znajomość wpływu temperatury na zmiany charakterystyk optyczno-elektrycznych (luminancji, wydajności energetycznej, oraz temperatury barwowej światła), staje się w tym momencie ważnym zagadnieniem. W niniejszym artykule przedstawiono wyniki pomiarów charakterystyk optycznych i elektrycznych białych diod LED dużej mocy w szerokim zakresie temperatur otoczenia.
EN
Efficacy of high power LED diodes has risen substantially in last decade, this technological advancement has led to a rise of popularity of LED in many different applications. Due to high power density Excitated in said LEDs, proper heat management is a concern. Dependency of optical and electrical characteristics (luminance, luminous efficacy, and color temperature) on changes of temperature becomes an important factor. In the following article, measurement results of high power white LEDs optical and electrical characteristics in wide range of temperatures are presented.
10
Efektywność odprowadzania ciepła z elementów półprzewodnikowych za pomocą pompy EHD
Janke W., Hapka A., Kraśniewski J., Oleksy M., Mizeraczyk J., Kocik M., Barbucha R., Tański M., Janke M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2013
|
Vol. 54, nr 10
58-60
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań nad efektywnością odprowadzania ciepła z diod półprzewodnikowych, chłodzonych przepływem cieczy wymuszanym pompą EHD. Wykonano pomiary przejściowej impedancji termicznej wybranych elementów oraz określono wpływ natężenia przepływu na ich rezystancję termiczną.
EN
The paper presents results of research on the efficiency of cooling of semiconductor diodes, with the use of liquid flow from EHD pump. Measurements of transient thermal impedance of the selected devices has been performed and the influence flow rate on their thermal resistance has been investigated.
11
Charakterystyki DC tranzystorów MOSFET SiC oraz Si pracujących w obszarze silnego przewodzenia, w szerokim zakresie temperatur
Hapka A., Janke W., Kraśniewski J., Oleksy M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2012
|
Vol. 53, nr 9
98-101
PL
W artykule przedstawiono wyniki pomiarów charakterystyk izotermicznych i nieizotermicznych tranzystorów MOSFET z węglika krzemu oraz krzemowych, o podobnych parametrach dopuszczalnych. Określono wpływ temperatury na rezystancję R DS(on) oraz przeanalizowano jej wpływ na charakterystyki nieizotermiczne tranzystorów.
EN
In the paper, the measurements of isothetmal and nonisothermal characteristics of silicon and silicon carbide power MOSFETs are presented. The influence of the temperature on the ON-state resistance and, as a consequence - on the nonisothermal characteristics has been specified.
12
Content available remote Badanie wpływu temperatury na parametry termiczne i elektryczne diod LED mocy
Kraśniewski J., Oleksy M.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2011
|
R. 87, nr 10
180-182
PL
W niniejszym artykule przedstawiono wyniki pomiarów charakterystyk statycznych prądowo-napięciowych (zarówno izo- jak i nieizotermicznych) białych diod LED wysokiej mocy w różnych temperaturach otoczenia. Zaprezentowano również wyniki pomiarów przejściowej impedancji termicznej tych diod.
EN
In the following article the measurement results of static current-voltage characteristics (both iso and non-isothermal) of white powerLED are presented. Also, measurement results of thermal transient impedance of the powerLED are presented.
13
Termiczne stany przejściowe w mikrofalowych tranzystorach MESFET z węglika krzemu
Janke W., Kraśniewski J., Oleksy M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2010
|
Vol. 51, nr 10
26-27
PL
W pracy przedstawiono sposób pomiaru i wyniki badań przejściowej impedancji termicznej współczesnych typów tranzystorów mikrofalowych dla różnych temperatur otoczenia. Obiektem badań są, tranzystory MESFET z SiC, których znaczenie rośnie, ze względu na coraz częstsze zastosowanie w układach mikrofalowych z zasilaniem impulsowym. Poza przykładowymi wynikami pomiarów, przedstawiono sposób doboru współczynników w analitycznym opisie impedancji termicznej. Na podstawie tych pomiarów wyznaczono droga, symulacji, czasowe przebiegi zmian temperatury wnętrza tranzystorów MESFET z SiC za pomocą algorytmów SARA przy pobudzaniu impulsem mocy o kształcie stosowanym w rzeczywistych układach mikrofalowych.
EN
Influence of the ambient temperature on the thermal characteristics of SiC MESFET microwave transistors is presented in this paper. Multifunctional measurement system for investigating fast thermal transients of semiconductor devices has been used. This system gives the possibility of measuring thermal transients in field-effect MESFET transistors for different excitation patterns. Based on the measurements and additional software it's possible to identify analytical parameters of measured transient thermal curves. Exemplary internal temperature changes for given excitation paterns calculated with use of SARA algorithms are presented. Typical measurement results are presented along with parameters identified for them, for chosen microwave transistors measured in different ambient temperatures.
14
Content available remote Investigation of transient thermal characteristics of microwave transistors
Janke W., Kraśniewski J.
Metrology and Measurement Systems
|
2009
|
Vol. 16, nr 3
433-442
EN
The transient thermal characteristics of modern microwave transistors may strongly influence the performance of many microwave circuits. In the paper, the method and the exemplary results of measurements of transient thermal impedance of microwave transistors are presented. Special attention is devoted to measurements in very short time periods after step change of power. The presented results are not available in typical datasheets of microwave transistors. Apart from measurements, an analytical approximation of thermal impedance is presented and the exemplary sets of its parameters obtained by curve fitting.
15
Content available remote Synteza i elektrochemiczne badania układu: kauczuk + NaClO4 + węgiel aktywny
Borowski T., Kaczmarek J., Kraśniewski J., Oleksy M., Hryniewicz T.
Przemysł Chemiczny
|
2005
|
T. 84, nr 8
607-610
PL
Poli-1,4-trans-butadien (BR) i kopolimer 1,4trans-butadienu ze styrenem (SBR) domieszkowane chloranem(VII) sodu w metanolu i węglem aktywnym (10%), posiadają zdolność przewodzenia prądu elektrycznego. Przewodnictwo właściwe układu BR + NaClO4 + węgiel aktywny wynosi 5,2×10-4 S.cm-1 w temp. 293 K i przy częstotliwości 1 kHz, natomiast układu SBR + NaClO4 + węgiel aktywny 2×10-7 S.cm-1 w tych samych warunkach. Ten elektrolit polimerowy może być stosowany jako warstwa antykorozyjna i antystatyczna do pokrywania zbiorników z materiałami palnymi lub też do budowy superkondensatorów.
EN
Elec. cond. was studied in (a) 1,4-polybutadiene and (b) poly(1,4-trans-butadiene–styrene), each polymer doped with a methanolic 40% NaClO4 used in excess and with a 900-m2/g activated C (10 % by resin wt.) at (a) 243, 293, 303 and 313 K and (b) 272, 293, 313 and 323 K by using 0.88-cm2 plates 2 mm thick at 1 and 100 kHz. The data were: (a) 6.1, 5.2, 4.9 and 6.4·10-4 S·cm-1 at 1 kHz; 6.1, 5.4, 5, and 6.1·10-4 S·cm-1 at 100 kHz; and (b) 3.9·10-6, 2·107, 2.7·10-9, and 6.4·10-9 S·cm-1 at 1 kHz; 2.2·10-5, 2·10-5, 1.9·10-5 and 2.5·10-5 S·cm-1 at 100 kHz. The systems were examd. as anticorrosive coatings for metals and antistatics that removed elec. charges from fuel containers. At >293 K, the b-system was unsatisfactory and a bituminous coat was required to prolong the useful life of the polymer coat.
16
Content available remote Przewodnictwo stałych elektrolitów polimerowych w układzie: kauczuk butadienowy - NaClO4 - węgiel aktywny
Borowski T., Kaczmarek J., Kraśniewski J., Oleksy M.
Chemik
|
2004
|
Vol. 57, nr 11
447-450
PL
Kauczuk butadienowy 1-4 trans (BR) jako rozpuszczalnik i magazyn ładunków elektrycznych uzyskuje te właściwości, gdy do BR zostanie wprowadzony w postaci metanolowego roztworu NaClO4. Do tego polimeru można dodać stabilizator w postaci węgla aktywnego w celu polepszenia przewodnictwa w ilości 10% masy czystego polimeru. W temperaturze 293 K i przy częstotliwości 1 kHz konduktywność układu BR z NaClO4 wynosi 2,2ź10-8 Sźcm-1, zaś układ BR - NaClO4 - węgiel aktywny 5,2ź10-4 Sźcm-1. Testowane elektrolity zostały poddane badaniom dla zakresu częstotliwości od 1 kHz do 15 MHz. Takie układy elektrolitów polimerowych mogą być stosowane w elektronice jako materiał do kondensatorów niepolarnych o pojemności nawet kilku mF/0,1 g elektrolitu polimerowego.
EN
Butadiene rubber 1-4 (BR) reveals features of solvent and an electric-charge storage unit if it is treated with NaClO4 methanol solution. To improve the proportion of 10% to the mass og the pure polymer. Conductivities of BR - NaClO4 and BR - NaClO4 - active carbon systems amount to 2,2ź10-2 and 5,2ź10-4 Sźcm-1 respeitively, at 293K and 1 kHz frequency. The electrolytes prepared were tested at frequencies between 1 kHz and 15 MHz. Such polymeric electrolyte systems could be applied in electronics as materials for non-polar capacitors with capacities up to several milifarads per 0.1 g of polymeric electrolyte.
17
Content available remote Badania kompatybilności elektromagnetycznej bezprzerwowych zasilaczy awaryjnych (UPS)
Kraśniewski J.
Zeszyty Naukowe. Elektryka / Politechnika Łódzka
|
2001
|
z. 96
185--194
PL
Praca omawia tematykę badań kompatybilności elektromagnetycznej (KEM) bezprzerwowych zasilaczy awaryjnych (UPS). Określono stan normalizacji, uwarunkowania badań KEM wynikające ze środowiska elektromagnetycznego i trybu pracy. Podano zakres badań KEM dla UPS typu off-line o mocy do lWA.
EN
The paper deals with problems of measurement of electromagnetic compatibility (EMC) of uninterruptible power supply (UPS) units. To this end EMC normative and legislative documents are reviewed, including the adequate standards for EMC of UPS (EEC 62040-2:1999). The range of study and characterization of all conditions are given. A number of EMC tests for some popular off-line UPS providing up to lkVA is proposed. Appropriate measurement procedures for a range of electromagnetic environment and UPS types are described. The standard conditions of UPS EMC measurements were provided i.e. the most disadvantageous in terms of emission and immunity. Specific measurements conditions (test configuration, load, time of test) for particular UPS operation modes (normal mode, stored energy mode) are enumerated. The care is taken to limit USP assessment to a reasonable number of measurements. Performance criteria the proper UPS functioning are interpreted. Typical measurement points best suited to check emission and immunity requirements are described. The test plan for typical UPS is also given.
18
Content available remote Kryteria doboru elementów w typowych dwustopniowych układach ochrony urządzeń przed przepięciami występującymi w sieci energetycznej
Kraśniewski J.
Zeszyty Naukowe. Elektryka / Politechnika Łódzka
|
1999
|
z. 93
235--244
PL
Praca omawia kryteria doboru elementów w rezystorowo-warystorowych i rezystorowo-diodowych układach ochrony przepięciowe. Badania symulacyjne pokazują znaczenie elementów szeregowych dla zwiększenia parametrów zabezpieczeń, oraz ograniczenia.
EN
One of the basic requirements for EMC is resistance on transient of high-energy appeared in supplying lines. The aim of this paper is specification of correct selection of mains (220V 50Hz) protection equipment. The protector provided as the second stage of a comprehensive surge voltage protection is under consideration. The limiting overvoltages acceptable in the third and second stage of a comprehensive protection (4kV, 6kV) to the level acceptable in the first stage (1.5kV) was assumed as the main criterion of construction of the circuit. The paper concerns the two-stage protector consisting of parallel elements - limiting shunt (varistors, protecting diode) and serial elements (resistors). As a typical interference impulse the surge impulse 1.2/50μs (8/20(μs) was assumed (EN 61000-4-5:1995). The mains supply voltage and its tolerance specify the breakdown voltage of applied parallel elements. The class of element depends of energy of transients. The proper selection of serial protection elements is important for receiving of high resistance on interference. A criterion of choice of parameters of protector's elements is energy dissipated in elements after the surge. The research was carried with use of the computer simulation, applying PSPICE program. The results of simulations confirm the expectations concerning the crucial role of serial elements in overvoltages protection.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.