Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Investigation of HgCdTe avalanche photodiodes for HOT condition

Manyk Tetiana, Sobieski Jan, Matuszelański Kacper, Rutkowski Jarosław, Martyniuk Piotr

Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences

2024

Vol. 72, nr 3

art. no. e149173

The performance of long-wave infrared (LWIR) x = 0.22 HgCdTe avalanche photodiodes (APDs) was presented. The dark currentvoltage characteristics at temperatures 200 K, 230 K, and 300 K were measured and numerically simulated. Theoretical modeling was performed by the numerical Apsys platform (Crosslight). The effects of the tunneling currents and impact ionization in HgCdTe APDs were calculated. Dark currents exhibit peculiar features which were observed experimentally. The proper agreement between the theoretical and experimental characteristics allowed the determination that the material parameters of the absorber were reached. The effect of the multiplication layer profile on the detector characteristics was observed but was found to be insignificant.

Badania jednorodności cienkich warstw InAs otrzymywanych metodą epitaksji z wiązek molekularnych

Wróbel Jarosław, Odrzywolski Sebastian, Złotnik Sebastian, Boguski Jacek, Liszewska Malwina, Budner Bogusław, Jankiewicz Bartłomiej, Matuszelański Kacper

Przegląd Elektrotechniczny

2022

R. 98, nr 1

135--138

Niniejsza praca porusza zagadnienie charakteryzacji warstw epitaksjalnych arsenku indu (InAs) pod kątem jednorodności przestrzennej. Badania przeprowadzone w pracy zostały oparte na trzech metodach charakteryzacji: wysokorozdzielczej mikroskopii optycznej, mikroskopii sił atomowych i spektroskopii Ramana. Obiektem badań były warstwy epitaksjalne InAs na podłożach arsenku galu (GaAs), które zostały wytworzone metodą epitaksji z wiązek molekularnych (MBE).

This thesis deals with the characterization of epitaxial layers of indium arsenide (InAs) in terms of spatial homogeneity. The research conducted in the paper was based on three characterization methods: high-resolution optical microscopy, atomic force microscopy and Raman spectroscopy. The subject of the research were epitaxial layers of InAs on gallium arsenide (GaAs) substrates, which were produced by the method of molecular beam epitaxy (MBE).