PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Powiadomienia systemowe
  • Sesja wygasła!
  • Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Dwuetapowe formowanie dwukrzemianu tytanu
Żukowski P., Karwat C., Kozak C., Kolos V. V., Markevich M. I., Stelmakh V. F., Chaplanov A. M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 11
74-75
PL
Niniejszy artykuł poświęcony jest formowaniu dwukrzemianu tytanu w układzie TiN/Ti/Si przy szybkiej obróbce termicznej (SOT) w dwóch etapach. Wyniki badań pokazują, że szybka obróbka termiczna w dwóch etapach (pierwszy etap - przy temperaturze 650° C, drugi - przy 850°C) pozwala uformować warstwę niskoomowego dwukrzemianu tytanu o modyfikacji C54. Ochronna warstwa azotku tytanu podczas SOT prowadzi do bardziej jednorodnego formowania się rozmiarów ziaren w układzie TiN/Ti/Si.
EN
The work is devoted to investiqation of formation phase TiSi₂ in the TiN/Ti/Si system during a two-stage rapid heat treatment (RHT). The investigation results indicate that RHT involving two stages the first of which is carried out at the temperature of 650°C and the second at 850°C enables formation of a low-resistance titanium disilicide layer of C54 modification. Protective nitride layer during the RHT leads toa more uniform formation of grain sizes in the TiN/Ti/Si structure.
2
Content available remote Structure changes in thin metal films during their thermal treatment
Chaplanov A., Markevich M., Stelmakh V.F., Kozak C.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2010
|
R. 86, nr 7
24-25
EN
Under pulsed thermal treatment of the films, grain growth takes place provided that the non-equilibrium vacancy concentration is high, thus stimulating the migration of grain boundaries.
PL
Przy poddaniu cienkich warstw obróbce termicznej impulsowej występuje rozrost ziaren pod warunkiem, że koncentracja wakansów nierównowagowych jest wysoka, stymulująca migrację granic ziaren.
3
Content available remote An effect of rapid thermal annealing on the structure of TiN/Ti/Si
Yemelianenko Y., Kolos V., Markevich M., Stelmakh V.F., Chaplanov A., Karwat C.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2010
|
R. 86, nr 7
26-28
EN
The structure-phase transformations that occur in TiN/Ti/Si system during pulse photon processing carried out with the incoherent light have been investigated using TEM method. The electrical and optical properties of C49 TiSi2 have been also studied.
PL
Przeprowadzono badania transformacji strukturalno-fazowych, jakie występują w układzie TiN/Ti/Si podczas obróbki impulsowofotonowej światłem niespójnym przy użyciu metody elektronowej mikroskopii transmisyjnej (TEM). Badano również właściwości elektryczne i optyczne C49 TiSi2.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.