Ograniczanie wyników
Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 27

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
PL
Celem pracy jest przedstawienie możliwości zastosowania metod optycznych do wyznaczenia parametrów topograficznych powierzchni stopu Ti przed i po procesie pasywacji, jak również określenie wpływu wstępnych obróbek modyfikujących powierzchnie stopu na grubość tworzonych warstw pasywnych. Zastosowana w niniejszej pracy metodyka pomiarowa, wykorzystująca klasyczne i niestandardowe techniki badań optycznych, pozwoliła na wyznaczenie grubości warstw, chropowatość, długość autokorelacyjną i inne parametry statystyczne opisujące topografię powierzchni. Zaletą przedstawionych niestandardowych technik jest ich nie-inwazyjność i bezkontaktowość.
EN
The aim of this work is presentation of optical techniques applied for the measurements of topographic parameters of Ti alloy before and after its passivation, as well as determination of the influence of pre-treatment methods on the thickness of passive films. The applied methodology is non destructive and it includes standard and non-standard optical techniques to determine the thickness, roughness, autocorrelation length and other statistic parameters of film. Advantage of presented non-standard techniques is their non-destructive and non-invasive character.
2
Content available remote Właściwości optyczne pokryć antyrefleksyjnych dla zastosowań fotowoltaicznych
PL
W pracy przeanalizowano wpływ pokryć antyrefleksyjnych zarówno na powierzchni szkła modułu fotowoltaicznego jak i stosowanych warstw ARC na powierzchni ogniw słonecznych na bazie krzemu na właściwości optyczne systemu. Wyznaczono rekomendowane wartości współczynników załamania oraz grubości pokryć. Wyliczone wartości pozostają w zgodności z wynikami pomiarów optycznych.
EN
In this paper authors analyzed the influence of antireflective coatings on glass surface of PV module and influence of ARC deposited on silicon surface of solar cells on optical properties of the system. The recommended values of thicknesses and refractive indices were estimated. These values are in a good agreement with results of optical measurements.
3
Content available remote Optical properties of the Al2O3/SiO2 and Al2O3/HfO2/SiO2 antireflective coatings
EN
Investigations of bilayer and trilayer Al2O3/SiO2 and Al2O3/HfO2/SiO2 antireflective coatings are presented in this paper. The oxide films were deposited on a heated quartz glass by e-gun evaporation in a vacuum of 5 × 10 -3 [Pa] in the presence of oxygen. Depositions were performed at three different temperatures of the substrates: 100 °C, 200 °C and 300 °C. The coatings were deposited onto optical quartz glass (Corning HPFS). The thickness and deposition rate were controlled with Inficon XTC/2 thickness measuring system. Deposition rate was equal to 0.6 nm/s for Al2O3, 0.6 nm – 0.8 nm/s for HfO2 and 0.6 nm/s for SiO2. Simulations leading to optimization of the thin film thickness and the experimental results of optical measurements, which were carried out during and after the deposition process, have been presented. The optical thickness values, obtained from the measurements performed during the deposition process were as follows: 78 nm/78 nm for Al2O3/SiO2 and 78 nm/156 nm/78 nm for Al2O3 /HfO2/SiO2. The results were then checked by ellipsometric technique. Reflectance of the films depended on the substrate temperature during the deposition process. Starting from 240 nm to the beginning of visible region, the average reflectance of the trilayer system was below 1 % and for the bilayer, minima of the reflectance were equal to 1.6 %, 1.15 % and 0.8 % for deposition temperatures of 100 °C, 200 °C and 300 °C, respectively.
PL
W pracy przedstawiono wyniki pomiarów elipsometrycznych dla amorficznych warstw a-C:N:H, osadzonych na monokrystalicznych waflach krzemowych Si(001) z zastosowaniem metody PACVD (13,56 MHz). Pomiary wykonano w szerokim zakresie widmowym, 300÷1700 nm, podczas grzania próbki od temperatury pokojowej do 300°C oraz w powtórnym wygrzewaniu po wcześniejszym schłodzeniu próbki do temperatury pokojowej. Do otrzymanych dyspersyjnych zależności kątów elipsometrycznych, Ψ(λ) i Δ(λ), dopasowano model warstwy i wyznaczono dyspersję współczynników załamania i ekstynkcji, szerokość przerwy optycznej oraz grubość warstwy w różnej temperaturze. Wyniki pokazują, że wszystkie wyznaczone parametry są zasadniczo różne dla warstwy w temperaturze pokojowej nie poddanej wygrzewaniu, oraz dla warstwy w 300°C i warstwy wygrzanej po schłodzeniu do temperatury pokojowej. Ponowne wygrzanie warstwy prawie nie zmienia parametrów warstwy. Ponadto stwierdzono, że wszystkie zmiany mają miejsce w pierwszym wygrzewaniu w zakresie temperatury 250÷270°C. W tej temperaturze następuje zmiana grubości warstwy do około 50% wartości początkowej. Jednocześnie współczynniki termooptyczne, dn/dT i dk/dT, wykazują skokowe zmiany od wartości ujemnych do dodatnich. Na podstawie uzyskanych wyników sformułowano wniosek, że w temperaturze 270÷300°C ma miejsce stopniowa grafityzacja struktury, o charakterze nieodwracalnym. Dowodzą tego zmiany szerokości przerwy optycznej od wartości 2,45 eV (przed wygrzewaniem), charakterystycznej dla warstw z małym udziałem fazy C-sp2 (około 20%) do 0,7 eV (dla próbki w 300°C i po schłodzeniu), charakterystycznej dla warstw o dominującym udziale fazy C-sp2 (50÷70%). Wniosek ten został poparty zmianami w widmie Ramana, w którym zaobserwowano wzrost intensywności pasma G przy około 1620 cm–1 względem intensywności pasma D przy 1360 cm–1, od ID/IG W pracy przedstawiono wyniki pomiarów elipsometrycznych dla amorficznych warstw a-C:N:H, osadzonych na monokrystalicznych waflach krzemowych Si(001) z zastosowaniem metody PACVD (13,56 MHz). Pomiary wykonano w szerokim zakresie widmowym, 300÷1700 nm, podczas grzania próbki od temperatury pokojowej do 300°C oraz w powtórnym wygrzewaniu po wcześniejszym schłodzeniu próbki do temperatury pokojowej. Do otrzymanych dyspersyjnych zależności kątów elipsometrycznych, Ψ(λ) i Δ(λ), dopasowano model warstwy i wyznaczono dyspersję współczynników załamania i ekstynkcji, szerokość przerwy optycznej oraz grubość warstwy w różnej temperaturze. Wyniki pokazują, że wszystkie wyznaczone parametry są zasadniczo różne dla warstwy w temperaturze pokojowej nie poddanej wygrzewaniu, oraz dla warstwy w 300°C i warstwy wygrzanej po schłodzeniu do temperatury pokojowej. Ponowne wygrzanie warstwy prawie nie zmienia parametrów warstwy. Ponadto stwierdzono, że wszystkie zmiany mają miejsce w pierwszym wygrzewaniu w zakresie temperatury 250÷270°C. W tej temperaturze następuje zmiana grubości warstwy do około 50% wartości początkowej. Jednocześnie współczynniki termooptyczne, dn/dT i dk/dT, wykazują skokowe zmiany od wartości ujemnych do dodatnich. Na podstawie uzyskanych wyników sformułowano wniosek, że w temperaturze 270÷300°C ma miejsce stopniowa grafityzacja struktury, o charakterze nieodwracalnym. Dowodzą tego zmiany szerokości przerwy optycznej od wartości 2,45 eV (przed wygrzewaniem), charakterystycznej dla warstw z małym udziałem fazy C-sp2 (około 20%) do 0,7 eV (dla próbki w 300°C i po schłodzeniu), charakterystycznej dla warstw o dominującym udziale fazy C-sp2 (50÷70%). Wniosek ten został poparty zmianami w widmie Ramana, w którym zaobserwowano wzrost intensywności pasma G przy około 1620 cm–1 względem intensywności pasma D przy 1360 cm–1, od ID/IG W pracy przedstawiono wyniki pomiarów elipsometrycznych dla amorficznych warstw a-C:N:H, osadzonych na monokrystalicznych waflach krzemowych Si(001) z zastosowaniem metody PACVD (13,56 MHz). Pomiary wykonano w szerokim zakresie widmowym, 300÷1700 nm, podczas grzania próbki od temperatury pokojowej do 300°C oraz w powtórnym wygrzewaniu po wcześniejszym schłodzeniu próbki do temperatury pokojowej. Do otrzymanych dyspersyjnych zależności kątów elipsometrycznych, Ψ(λ) i Δ(λ), dopasowano model warstwy i wyznaczono dyspersję współczynników załamania i ekstynkcji, szerokość przerwy optycznej oraz grubość warstwy w różnej temperaturze. Wyniki pokazują, że wszystkie wyznaczone parametry są zasadniczo różne dla warstwy w temperaturze pokojowej nie poddanej wygrzewaniu, oraz dla warstwy w 300°C i warstwy wygrzanej po schłodzeniu do temperatury pokojowej. Ponowne wygrzanie warstwy prawie nie zmienia parametrów warstwy. Ponadto stwierdzono, że wszystkie zmiany mają miejsce w pierwszym wygrzewaniu w zakresie temperatury 250÷270°C. W tej temperaturze następuje zmiana grubości warstwy do około 50% wartości początkowej. Jednocześnie współczynniki termooptyczne, dn/dT i dk/dT, wykazują skokowe zmiany od wartości ujemnych do dodatnich. Na podstawie uzyskanych wyników sformułowano wniosek, że w temperaturze 270÷300°C ma miejsce stopniowa grafityzacja struktury, o charakterze nieodwracalnym. Dowodzą tego zmiany szerokości przerwy optycznej od wartości 2,45 eV (przed wygrzewaniem), charakterystycznej dla warstw z małym udziałem fazy C-sp2 (około 20%) do 0,7 eV (dla próbki w 300°C i po schłodzeniu), charakterystycznej dla warstw o dominującym udziale fazy C-sp2 (50÷70%). Wniosek ten został poparty zmianami w widmie Ramana, w którym zaobserwowano wzrost intensywności pasma G przy około 1620 cm–1 względem intensywności pasma D przy 1360 cm–1, od ID/IG = 0,8 do prawie ID/IG = 0,45. 0,8 do prawie ID/IG = 0,45. 0,8 do prawie ID/IG = 0,45.
EN
Amorphous a-C:N:H layers, deposited on monocrystalline silicon Si(001) by PACVD (13.56 MHz), were subjected to ellipsometric studies. The measurements were performed in a broad spectrum, 300÷1700 nm, at heating from the room temperature to 300°C and at the reheating after earlier cooling the sample. The layer model was fitted to the recorded dispersion dependencies of ellipsometric angles, Ψ(λ) and Δ(λ). Hence, the dispersion of refractive and extinction indices, optical gap and thicknesses of the layer at various temperatures were determined. The results show that all these parameters are essentially different for the unheated layer and the layer heated to 300°C, as well as for the same layer cooled down the room temperature. The re-heating hardly changes the layer parameters. All observed changes occur during first heating, at the temperatures 250÷270°C. Starting from the temperature 250°C the layer thickness decreases to 50% of the initial value. Simultaneously, the thermo-optical parameters, dn/dT i dk/dT, show abrupt changes from negative to positive values. On the basis of the obtained results a conclusion has been formulated that at the temperature 250÷300°C a partial graphitization of the structure of a-C:N:H layer takes place. The structure transformation is irreversible. It is demonstrated mainly by the changes of the optical gap, from 2.45 eV (for the unheated sample), characteristic for the layers with small fraction of C-sp2 phase (about 20%) to 0.7 eV (for the sample at 300°C and after cooling down), typical for the layers with prevailing C-sp2 phase (50÷70%). Such conclusion has been additionally confirmed by the changes in Raman spectrum, in which an increase of the intensity of G band, at about 1620 cm–1 with respect to the intensity of D band at 1360 cm–1, from ID/IG = 0.8 to ID/IG = 0.45 has been found.
PL
gazowej (CVD) zależy od wielu parametrów, takich jak temperatura podłoża, stężenie, szybkość przepływu reagentów chemicznych, ciśnienie, moc generatora plazmy (w przypadku metod PACVD) oraz czas osadzania. Mimo wielu prac związanych z otrzymywaniem warstw w procesie CVD w literaturze brak jest danych dotyczących badań wpływu ostatniego z wymienionych parametrów, czasu osadzania, na szybkość i mechanizm ich wzrostu. Praca zawiera wyniki badań szybkości wzrostu warstw azotku krzemu i warstw węglowych dotowanych azotem na podłożu (001) Si w funkcji czasu osadzania w procesie chemicznego osadzania z fazy gazowej wspomaganego plazmą generowaną przez fale o częstotliwości radiowej RFCVD (13,56 MHz, 400 W). Na podstawie pomiarów grubości warstw stwierdzono, że krzywe kinetyczne nie mają charakteru liniowego, lecz składają się z etapów, które systematycznie powtarzają się i charakteryzują się na początku szybszym tempem wzrostu, a następnie spowolnieniem pod koniec każdego z etapów. Dane te wskazują, że proces wzrostu w tym układzie jest limitowany liczbą aktywnych miejsc na powierzchni podłoża, a w dalszych etapach na powierzchni tworzących się warstw. Przeprowadzono dyskusję nad prawdopodobnym mechanizmem na podstawie teorii stanu przejściowego.
EN
Layer growth rate in chemical processes of chemical deposition from gaseous phase (CVD) depends on several parameters, such as substrat temperature, concentration and flow velocity of reacting substances, pressure, plasma generator power (in case of PACVD method) and deposition time. Independently on numerous studies on the problem in question, there are no literature data concerning the influence of the deposition time and layer growth mechanism. The results of examination on growth rate of silicon nitride layers and nitrogen-doped carbon layers substrate (001) Si in function of deposition time in the process of plasma-assisted chemical vapour deposition RFCVD (13.56 MHz, 400 W), have been described in the present study. On the basis of the layer thickness measurements it was proved that kinetic curves have nonlinear character but they comprise several stages, which are systematically repeated. It was also proved that the mentioned curves are characterized with bigger growing rate at the beginning and then the rate is moderated at the end of each stage. The data indicate that the growth process within this system is limited by number of active centers on the substrat surface, and in next stages on the surface of growing layers. Discussion on probable mechanism with respect to theory of transitional state has also been presented.
PL
W pracy prezentowane są techniki pomiarów profili optycznych cienkich warstw wyznaczone z profilometrii optycznej i elipsometrii skaningowej. Pierwsza z wymienionych metod umożliwia uzyskanie mapy lokalnych współczynników odbicia z małych obszarów powierzchni (10-2 mm2), druga metoda umożliwia wyznaczanie zmiany stanu polaryzacji wąskiej wiązki promieniowania odbitego od cienkich warstw. Badania te pozwalają opisać topografię powierzchni z dużych obszarów (rzędu od kilku do kilkunastu cm2) uzupełniając tym samym pomiary wykonane przy pomocy mikroskopii sił atomowych (AFM). Analiza obrazów uzyskana przy użyciu tych metod, umożliwia wyznaczenie parametrów topograficznych powierzchni i warstw.
EN
The work presents thin film profiles measured by the optical profilometry PO and spectroscopic ellipsometry SSE techniques. First technique allows to get the surface map of intensities collected from small (10-2 mm2) spots while the second allows to obtain surface map of the phase differences of reflected radiation from studied sample. These studies enable to find many interesting features concerning surfaces in a much larger area than AFM technique. The analysis of obtained images allowed to determine most important statistic parameters of film surfaces, as variation of film thickness, surface roughness, and distribution of height irregularities.
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań dotyczących topografii i grubości warstw węglowych, które były wytworzone na powierzchni stali martenzytycznej przeznaczonej na narzędzia chirurgiczne. Modyfikacja powierzchni stali obejmowała zabiegi: bębnowania, pasywacji chemicznej oraz naniesienie diamentopodobnej warstwy węglowej metodami rozpylania magnetronowego i rozkładu węglowodorów w plazmie wzbudzonej w polu wysokiej częstotliwości. Grubość warstw węglowych określono z wykorzystaniem spektroskopii elipsometrycznej.
EN
The paper presents results of studies on topography and thickness of carbon layers which were produced on martensitic steel used for surgical tools. Modification of the steel surface was consisted of several procedures: barreling, chemical passivation and carbon layer application by magnetron sputtering method and decomposition of hydrocarbons in the plasma induced in the high-frequency field. Thickness of carbon layers was determined by ellipsometric spectroscopy.
EN
An optical study of satinated Pittsburgh glass wafers was conducted and special attention was paid to their applications in greenhouse industry. They included: specular reflectance spectra in the range 300–1100 nm, using a reflection probe, resolve angle scattering, diffuse reflectance by means of an integrating sphere, X–Y optical profile measurements and ellipsometric investigation by means of a spectroscopic ellipsometer. Additionally, a surface topography study of investigated samples was carried out by means of atomic force microscopy (AFM) measurements. The obtained results allowed us to describe surface topography of chemically and mechanically modified surfaces.
EN
The work presents the results of the applied surface pretreatment on topography and thickness of a passive layer of the anodically oxidized Ti6Al7Nb alloy. In our study were used: integrating sphere spectral measurements, bidirectional reflection distribution function (BRDF) method and optical profilometry. On the basis of the study, the passive layer thickness, roughness, waviness and the autocorrelation length were determined. The influence of voltage of anodization on topographical parameters of TiO2 has been discussed.
10
Content available remote Topografia i grubość warstw pasywnych na utlenianym anodowo stopie Ti6Al4V
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań wpływu wstępnego przygotowania powierzchni na topografię i grubość warstw pasywnych wytworzonych na powierzchni stopu Ti6Al4V. Wstępne przygotowanie powierzchni obejmowało kombinację zabiegów obróbki mechanicznej oraz elektrochemicznej. Utlenianie anodowe przeprowadzono przy zróżnicowanych wartościach potencjału. Wykorzystując w badaniach: elipsometrię, BRDF, kulę całkującą oraz profilometr optyczny, wyznaczono dla badanych warstw pasywnych: grubość, chropowatość, długość autokorelacyjną.
EN
The paper presents results of the influence of preliminary surface preparation on the topography and thickness of the passive layer formed on the surface of Ti6Al4V alloy. Pre-treatment of surface treatments include combination of mechanical and electrochemical processes. Anodic oxidation was carried out at various values of potential. Thickness, roughness and autocorrelation length of the analyzed layers were tested by means of the following methods: ellipsometry, BRDF, ball integrator and an optical profilometer.
11
Content available remote Nd3+-doped oxyfluoride glass ceramics optical fibre with SrF2 nanocrystals
EN
A neodymium (Nd3+) doped oxyfluoride glass ceramics containing SrF2, LaF3 nanocrystals has been presented. Transparent glass ceramics was obtained by heat treating the glass from the SiO2-Al2O3-ZnO-Na2O-SrF2 and SiO2-Al2O3-ZnF2-Na2O-LaF3 system at the first crystal-lization temperature. Cerammization of glass was studied by DTA/DSC, XRD. It has been found that nanocrystallization of SrF2 and LaF3 strongly depends on the ratio between the components and the amount of SrF2 and LaF3, respectively. The optical studies of the glasses comprised spectrophotometry (reflectance and transmittance) and spectroscopic ellipsometry. The spectrophotometric measurements yield a number of narrow absorption bands which correspond to characteristic transitions between the ground- and consecutive excited states of rare earth ions. Growth luminescence at typical neodymium wavelength was observed under diode laser (808 nm) excitation in glass ceramics with SrF2 in comparison to parent glass. The optimization of cerammization process allowed to fabricate the oxyfluoride glass ceramics optical fibre with strong emission originated from Nd3+ ions. The influence of the cerammization process on the changes in the refractive index of glass was examined.
12
Content available remote Parametry optyczne cienkich warstw krzemionkowych na podłożach krzemowych
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań właściwości optycznych cienkich warstw krzemionkowych. Badane warstwy zostały wytworzone w technologii zol-żel i naniesione na krzemowe podłoża metodą zanurzeniową. Badania przeprowadzono metodami elipsometrycznymi i spektrofotometrycznymi, a analiza otrzymanych wyników pozwoliła na wyznaczenie parametrów optycznych badanych warstw takich jak zależności dyspersyjne współczynników załamania oraz ekstynkcji. Dodatkowo, wyznaczono grubości warstw oraz ich porowatość. Ze względu na niską wartość współczynnika załamania (1,22-1,25) warstwy krzemionkowe są stosowane jako powłoki antyrefleksyjne oraz elementy światłowodów planarnych.
EN
Studies of optical properties of thin silica fi lms are shown in the paper. The films were manufactured by the sol-gel method combined with spreading on a silicon substrate by immersing. The studies were performed by ellipsometric and spectrophotometric methods to determine optical characteristics of the films such as dispersion dependences of refractive indices or extinction coeffi cients. Moreover, the thickness and porosity of the films were determined. The silica layers are used as antireflective coatings and components of planar optical fibres due to low values of refractive index (1,22-1,25).
PL
Opisano metody i aparaturę służącą do badania parametrów powierzchni opartą na następujących zasadach: pomiaru całkowitej mocy promieniowania rozproszonego przez powierzchnię (TIS), pomiaru kątowego rozkładu natężenia promieniowania rozproszonego (ARS) oraz pomiaru indykatrys promieniowania rozproszonego zmodyfikowaną metodą ARS. Głównym celem prac było porównanie wyników pomiarów chropowatości powierzchni uzyskiwanych za pomocą nowego układu TIS, tj. integratora fotodiodowego i sfery integracyjnej, a także doświadczalne sprawdzenie poprawności założeń przyjmowanych przy projektowaniu integratora. Dokonano tego na podstawie pomiarów za pomocą aparatury ARS rozkładów natężenia promieniowania, pomiarów długości autokorelacji nierówności powierzchni i innych. Badania przeprowadzono przy wykorzystaniu próbek wykonanych z materiałów charakteryzujących się wysokościami nierówności od ok. 0,5 do ok. 25 nm. Badania wykazały dużą zgodność wyników pomiaru chropowatości uzyskanych za pomocą integratora i innej aparatury oraz potwierdziły zasadność przyjętych założeń projektowych.
EN
Methods and instruments destined for testing smooth surface parameters have been described in the paper. They are based on the following principles: total integrated scatter (TIS), angle-resolved scatter (ARS) and modified ARS method. The main purpose of investigations was comparing of roughness measurement results obtained using a novel TIS device, e.g., the photodiode integrator and the integrating sphere, as well as experimental proving validity of assumptions accepted when designing the integrator. They have been accomplished using ARS apparatus for measuring scatter distribution, r.m.s. roughness and autocorrelation length. Investigations have been performed using samples characterized by r.m.s. roughness from 0.5 nm to about 25 nm. They show a good compatibility of results obtained using the integrator and other instruments and confirm correctness of initial assumptions.
14
Content available remote Analiza kolorymetryczna składu farb akrylowych przy użyciu kuli integrującej
PL
W artykule przedstawiono metodykę wyznaczania barw farb akrylowych na podstawie znanych wartości procentowych stosowanych do ich utworzenia pigmentów. Wykazano że dla farb, w których stosowany jest jeden rodzaj pigmentu barwiącego, można, ze znajomości parametrów barwy wyrażonej w jednostkach systemu L*a*b, wyznaczyć udział procentowy stosowanego pigmentu. Wykazaliśmy również, że system L*a*b jest szczególnie przydatny do oceny różnic odwzorowań barw uzyskanych ze zdjęć fotograficznych oraz z wydruków.
EN
In this paper we presented the methodology of color determination of the acrylic paint basing on the known values of amount pigments used to color creation. In the work we present possibility of pigment amount determination for paints in whose one type of dye is used from the knowledge of color parameters expressed in units of L*a*b system. Also we show the system L*a*b is particularly useful to evaluate the differences of color maps derived from photographs and prints.
15
Content available remote Goniometryczny pomiar funkcji BRDF dla powierzchni stałych
PL
Artykuł opisuje stanowisko pomiarowe w Instytucie Fizyki PK umożliwiające wyznaczenie dwukierunkowej funkcji rozkładu odbicia (BRDF) światła monochromatycznego rozpraszanego od powierzchni ciał stałych. Celem ilustracji metody przeanalizowano wyniki uzyskane dla kilku wybranych próbek.
EN
This paper describes a measuring device which has been used at Institute of Physics of Cracow University of Technology to determine BRDF for monochromatic light reflection on solid surfaces. To illustrate this method's applications, we analyze the results for a few selected samples.
16
Content available remote A study of polymeric films modified with SiC nanoparticles
EN
There were studied optical properties of polymeric films of poly(N-vinylcarbazole) (PVK), polycarbonate (PC), polystyrene (PS) and films of these polymers modified with SiC nanoparticles of size between 20 and 30 nm. Thin polymeric films were deposited on glass plates with spin coating method, using polymer solution in tetrahydrofuran (THF). In order to determine optical parameters of these new materials, the reflection spectrum was examined in the range between 350 and 860 nm, using a reflection probe and an integrating sphere. In order to determine the thickness of examined films, ellipsometric measurements were performed. The examination demonstrated that a small content of SiC nanoparticles in polymers changes the refractive index of the sample without causing its optical heterogeneity. But an increasing content of nanoparticles causes their aggregation, which strengthens light diffusion.
PL
Badano właściwości optyczne cienkich warstw polimerowych poli(N-winylokarbazolu) (PVK), poliwęglanu (PC) oraz polistyrenu (PS) oraz warstw tych polimerów modyfikowanych nanocząstkami SiC o wymiarach rzędu 20-30 nm. Cienkie warstwy polimerów nanoszono na płytki szklane metodą powlekania wirowego stosując roztwór polimeru w tetrahydrofuranie (THF). Do wyznaczenia parametrów optycznych tych nowych materiałów przeprowadzono badania widm odbicia w zakresie 350-860 nm z użyciem sondy odbiciowej i sfery integrującej. W celu wyznaczenia grubości badanych warstw, wykonano pomiary elipsometryczne. Badania wykazały, że niewielka zawartość nanocząstek SiC w polimerach zmienia współczynnik załamania światła próbki, nie powodując przy tym optycznej niejednorodności (tabela 1, rys. 1 i 2). Jednak zwiększanie zawartości nanocząstek powoduje ich agregację, co skutkuje wzmocnieniem rozpraszania światła (rys. 3 i 4).
EN
The influence of nanocrystallization process in oxyfluoride glasses Na2O–Al2O3–SiO2–LaF3–NaF doped with rare earth (RE) ions on their thermal and optical properties is studied. The thermal characteristics of oxyfluoride glasses (OG) with Tm3+, Yb3+ are presented. The effect of the glass crystallization on thermal stability of the glass and crystallizing phases formed upon heat treatment is investigated by DTA/DSC and XRD methods. It has been found that the effect of nanocrystallization of LaF3 and incorporation of RE elements in formed upon heat treatment nanocrystallites depends on the kind of rare earth elements and is determined by factors of crystallochemical nature and requires adequate proportions between the components forming glass structure. The influence of nanocrystallization process in oxyfluoride glasses Na2O–Al2O3–SiO2–LaF3–NaF doped with rare earth (RE) ions on their thermal and optical properties is studied. The thermal characteristics of oxyfluoride glasses (OG) with Tm3+, Yb3+ are presented. The effect of the glass crystallization on thermal stability of the glass and crystallizing phases formed upon heat treatment is investigated by DTA/DSC and XRD methods. It has been found that the effect of nanocrystallization of LaF3 and incorporation of RE elements in formed upon heat treatment nanocrystallites depends on the kind of rare earth elements and is determined by factors of crystallochemical nature and requires adequate proportions between the components forming glass structure.
18
Content available remote Studies of polymer surface topography by means of optical profilometry
EN
The optical reflection measurements of polyvinylocarbazole (PVK) and polyazomethine (PPI) thin films have been done by means of optical profilometry (OP) exhibiting many advantages in surface and subsurface investigations. The obtained OP images clearly demonstrate that the thickness of the polymer films under investigation is not uniform over their lateral dimensions. For the PVK thin film, the fast Fourier transform (FFT) in the inverse space of the OP image is also presented along with distribution of the surface highs.
EN
The goal of this work was to investigate the influence of rare earth ions such as Tm3+, Yb3+ on physico-chemical properies of tellurite glass from the TeO2-WO3-PbO-PbF2-Na2O system. The thermal characteristic of tellurite glass Tm3+, Yb3+ doped have been presented. The effect of the glass crystallization on thermal stability of the glass and crystallizing phases formed upon heat treatment were investigated by DTA/DSC/, XRD methods. The spectral dependence of ellipsometric angles of the tellurite glass samples, have been studied. The influence of ions of rare earth elements, i.e. Tm 3+ and Yb3+, onto changes of refractive index of glass P1 (without RE admixture) were examined. The optical measurements were conducted on Woollam M2000 spectroscopic ellipsometer, in spectral range of 190–1700 nm.
PL
Przepuszczalność szkła można zmieniać poprzez modyfikacje jego powierzchni. W pracy zostały opisane następujące metody badania powierzchni szkła: sfera integrująca, metoda BRDF (funkcja dwukierunkowego odbicia) i profilometria optyczna. Metody te oraz AFM (mikroskopia sił atomowych) zostały wykorzystane do oceny procesu satynowania i piaskowania szkła ze względu na ich przydatność w produkcji szkła dla szklarni.
EN
The light transmittance parameter can be modified by modification of glass surface. In this paper the: integrated sphere, BRDF (bidirectional reflection distribution function) and optical profilometry methods have been described. These methods and AFM (atomic force microscope) are used to the control of glass satination and sand blasting processes aimed glass application for green house.
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.